飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入与非施密特触发器
特点
ESD保护:
HBM EIA / JESD22 - A114 -A
超过2000伏;
MM EIA / JESD22 - A115 -A
超过200 V
CDM EIA / JESD22- C101
超过1000 V
平衡传输延迟
投入比接受更高的电压
V
CC
对于AHC只:
与CMOS输入电平工作
对于AHCT只:
与TTL电平输入操作
从指定的
40
至+85和+125
°C.
描述
该74AHC / AHCT132是
高速硅栅CMOS器件
引脚与兼容低
功率肖特基TTL ( LSTTL ) 。他们
与指定符合
JEDEC标准没有。 7A 。
该74AHC / AHCT132包含四个
2输入与非门,它们接受
标准的输入信号。他们是
能够慢慢转变
变化的输入信号转换成大幅
定义,无抖动的输出信号。
门开关的不同点
为正和负向
信号。之间的差
正电压V
T+
和负
V
T
被定义为滞后
电压V
H
.
订购信息
北外
AMERICA
74AHC132D
74AHC132PW
74AHCT132D
74AHCT132PW
记
功能表
见注1 。
输入
nA
L
L
H
H
74AHC132 ; 74AHCT132
产量
nB
L
H
L
H
nY
H
H
H
L
1. H =高电压电平; L =低电压电平。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
O
C
PD
参数
传播延迟
nA至纽约
输入电容
输出电容
功耗
电容
C
L
= 50 pF的;
F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC
C
L
= 15 pF的;
V
CC
= 5 V
V
I
= V
CC
或GND
3.3
3.0
4.0
11
AHCT
3.5
3.0
4.0
14
ns
pF
pF
pF
单位
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =产出的总和;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
套餐
北美
引脚
74AHC132D
74AHC132PW DH
74AHCT132D
74AHCT132PW DH
14
14
14
14
包
SO
TSSOP
SO
TSSOP
材料
塑料
塑料
塑料
塑料
CODE
SOT108-1
SOT402-1
SOT108-1
SOT402-1
1999年9月24日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入与非施密特触发器
74AHC132 ; 74AHCT132
手册, halfpage
1
2
4
5
9
10
12
13
&放大器;
3
&放大器;
6
手册, halfpage
A
Y
&放大器;
8
B
MNA409
&放大器;
11
MNA408
图3 IEC逻辑符号。
图4逻辑图( 1施密特触发器) 。
推荐工作条件
74AHC
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
直流电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度
范围
见直流和交流
每个特性
设备
条件
分钟。
2.0
0
0
40
40
典型值。马克斯。分钟。
5.0
+25
+25
5.5
5.5
V
CC
+85
4.5
0
0
40
典型值。马克斯。
5.0
+25
+25
5.5
5.5
V
CC
+85
V
V
V
°C
74AHCT
单位
+125
40
+125
°C
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) ;电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.对于SO封装: 70以上
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
对于TSSOP封装: 60岁以上
°C
P的值
D
减额线性5.5毫瓦/ K 。
参数
直流电压
输入电压范围
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC V
CC
或GND电流
存储温度范围
每个封装功耗
对于温度范围:
40
+125
°C;
注2
V
I
& LT ;
0.5
V ;注1
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
条件
分钟。马克斯。单位
0.5
0.5
65
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
500
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
DC输出源或灌电流
0.5
V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
+150
°C
1999年9月24日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入与非施密特触发器
DC特性
74AHC132 ; 74AHCT132
类型74AHC132
在推荐工作条件;电压都参考GND(地= 0V)。
测试条件
符号
参数
其他
V
T+
正向
门槛
V
CC
(V)
3.0
4.5
5.5
V
T
负向
门槛
3.0
4.5
5.5
V
H
迟滞
(V
T+
V
T
)
高电平的输出
电压;所有
输出
高电平的输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
50 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
4.0
mA
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
8.0
mA
V
OL
低电平输出
电压;所有
输出
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 4毫安
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 8毫安
I
I
I
CC
C
I
输入漏
当前
静态电源
当前
输入电容
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND ;
I
O
= 0
3.0
4.5
5.5
V
OH
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
5.5
0.9
25
T
AMB
(°C)
40
+85
0.9
40
以125单位
0.9
1.35
1.65
0.25
0.35
0.45
1.9
2.9
4.4
2.40
3.7
MIN 。 TYP 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
2.2
3.15
3.85
1.2
1.4
1.6
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
2.0
10
2.2
3.15
3.85
2.2
3.15
3.85
1.2
1.4
1.6
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
40
10
A
A
pF
V
V
V
V
V
V
V
1.35
1.65
0.3
0.4
0.5
1.9
2.9
4.4
2.0
3.0
4.5
1.35
1.65
0.3
0.4
0.5
1.9
2.9
4.4
1.2
1.4
1.6
2.58
3.94
0
0
0
3
2.48
3.8
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
20
10
1999年9月24日
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