飞利浦半导体
产品speci fi cation
四缓冲器/线路驱动器;三态
特点
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 -A
超过2000伏
MM EIA / JESD22 - A115 -A
超过200 V
CDM EIA / JESD22- C101
超过1000 V
平衡传输延迟
所有的输入有施密特触发器
操作
投入比接受更高的电压
V
CC
对于AHC只：
与CMOS输入电平工作
对于AHCT只：
与TTL电平输入操作
从指定的
40
至+85和+125
°C.
描述
该74AHC / AHCT125是
高速硅栅CMOS器件
引脚与兼容低
功率肖特基TTL （ LSTTL ） 。他们
与指定符合
JEDEC标准没有。 7A 。
该74AHC / AHCT125四
非反相缓冲器/线路驱动器与
三态输出。三态输出
（ NY ）由输出控制
使能输入（ NOE ） 。一个高为N
使输出假定一个
高阻关断状态。
该' 125 '是相同的' 126 '，但
具有低电平有效的使能输入。
74AHC125 ; 74AHCT125
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
O
C
PD
参数
传播延迟
nA至纽约
输入电容
输出电容
功耗
电容
C
L
= 50 pF的;
F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC
C
L
= 15 pF的;
V
CC
= 5 V
V
I
= V
CC
或GND
3.0
3.0
4.0
10
AHCT
3.0
3.0
4.0
12
ns
pF
pF
pF
单位
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
功能表
见注1 。
输入
诺埃
L
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不关心;
Z =高阻关断状态。
nA
L
H
X
产量
nY
L
H
Z
1999年09月27
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四缓冲器/线路驱动器;三态
推荐工作条件
74AHC125 ; 74AHCT125
74AHC
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
直流电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度
范围
见直流和交流
每个特性
设备
V
CC
= 5 V
±0.5
V
条件
分钟。
2.0
0
0
40
40
典型值。马克斯。分钟。
5.0
+25
+25
5.5
5.5
V
CC
+85
4.5
0
0
40
74AHCT
单位
典型值。马克斯。
5.0
+25
+25
5.5
5.5
V
CC
+85
V
V
V
°C
+125
40
100
20
+125
°C
20
NS / V
t
r
,t
f
（ ΔT/ ΔF ）输入上升和下降率
V
CC
= 3.3 V
±0.3
V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.对于SO封装： 70以上
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
对于TSSOP封装： 60岁以上
°C
P的值
D
减额线性5.5毫瓦/ K 。
参数
直流电源电压
输入电压范围
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC V
CC
或GND电流
存储温度范围
每个封装功耗
对于温度范围：
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
条件
分钟。马克斯。单位
0.5
0.5
65
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
500
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
DC输出源或灌电流
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
+150
°C
1999年09月27
5
74AHC125 ; 74AHCT125
四缓冲器/线路驱动器;三态
牧师04 - 2008年1月11日
产品数据表
1.概述
该74AHC125 ; 74AHCT125是高速硅栅CMOS器件，其引脚兼容
低功耗肖特基TTL （ LSTTL ） 。他们是在符合JEDEC特定网络版
标准JESD7 -A 。
该74AHC125 ; 74AHCT125提供了四个非反相缓冲器/线路驱动器，具有三态
输出。三态输出（纽约州）是由输出使能输入（ NOE ）控制。一个高
在NOE使输出呈现高阻关断状态。
该74AHC125 ; 74AHCT125是相同的74AHC126 ; 74AHCT126但活跃
低电平使能输入。
2.特点
s
s
s
s
s
s
平衡传输延迟
所有的输入有一个施密特触发器动作
输入接受比V更高的电压
CC
对于只有74AHC125 ：工作在CMOS输入电平
对于只有74AHCT125 ：工作在TTL电平输入
ESD保护：
x
HBM JESD22- A114E超过2000伏
x
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
x
CDM JESD22- C101C超过1000 V
s
多种封装选择
s
从特定网络版
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74AHC125D
74AHCT125D
74AHC125PW
74AHCT125PW
74AHC125BQ
74AHCT125BQ
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
TSSOP14
40 °C
+125
°C
名字
SO14
描述
塑料小外形封装; 14线索;
体宽3.9毫米
塑料薄小外形封装; 14线索;
体宽4.4毫米
VERSION
SOT108-1
SOT402-1
SOT762-1
类型编号
DHVQFN14塑料双列直插兼容非常热增强
薄型四方扁平的封装;没有线索; 14终端;
机身2.5
×
3
×
0.85 mm
恩智浦半导体
74AHC125 ; 74AHCT125
四缓冲器/线路驱动器;三态
4.功能图
2
1
5
4
9
10
12
13
1A
1OE
2A
2OE
1Y
3
2
1
3
2Y
6
1
5
EN1
6
4
3A
3OE
4A
4OE
mna228
3Y
8
9
8
10
4Y
11
12
11
13
nA
nY
诺埃
mna229
mna227
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
图3.逻辑图（一个缓冲区）
5.管脚信息
5.1钢钉
74AHC125
74AHCT125
1OE
2
3
4
5
6
7
GND
3Y
8
GND
(1)
1
1号航站楼
索引区
1A
14 V
CC
13如图40E所示
12 4A
11 4Y
10 3Oe时
9
8
001aae755
74AHC125
74AHCT125
1OE
1A
1Y
2OE
2A
2Y
GND
1
2
3
4
5
6
7
14 V
CC
13如图40E所示
12 4A
11 4Y
10 3Oe时
9
3A
1Y
2OE
2A
2Y
3A
3Y
001aah082
透明的顶视图
（1）模具基体是利用连接到该垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作
电源引脚或输入。
图4.引脚CON组fi guration SO14和TSSOP14
图5.引脚CON组fi guration DHVQFN14
74AHC_AHCT125_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2008年1月11日
2 15
恩智浦半导体
74AHC125 ; 74AHCT125
四缓冲器/线路驱动器;三态
5.2引脚说明
表2中。
符号
1OE
1A
1Y
2OE
2A
2Y
GND
3Y
3A
3OE
4Y
4A
4OE
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
描述
输出使能输入（低电平有效）
数据输入
数据输出
输出使能输入（低电平有效）
数据输入
数据输出
接地（ 0 V ）
数据输出
数据输入
输出使能输入（低电平有效）
数据输出
数据输入
输出使能输入（低电平有效）
电源电压
6.功能描述
表3中。
控制
诺埃
L
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不关心;
Z =高阻关断状态。
功能表
[1]
输入
nA
L
H
X
产量
nY
L
H
Z
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
74AHC_AHCT125_4
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
条件
民
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
-
±20
±25
75
-
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到（V
CC
+ 0.5 V)
[1]
[1]
20
-
-
-
75
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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3 15
恩智浦半导体
74AHC125 ; 74AHCT125
四缓冲器/线路驱动器;三态
表4 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
T
英镑
P
合计
参数
储存温度
总功耗
SO14封装
TSSOP14封装
DHVQFN14包
[1]
[2]
[3]
[4]
条件
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
[3]
[4]
民
65
-
-
-
最大
+150
500
500
500
单位
°C
mW
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
°C.
P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
°C.
P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K以上60
°C.
8.推荐工作条件
表5 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入转换崛起
和下降率
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
条件
民
2.0
0
0
40
-
-
74AHC125
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
民
4.5
0
0
40
-
-
74AHCT125
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
-
20
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
单位
9.静态特性
表6 。
静态特性
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
对于类型74AHC125
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
1.5
2.1
3.85
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
1.5
2.1
3.85
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
1.5
2.1
3.85
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
V
V
V
V
V
V
条件
民
25
°C
典型值
最大
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
民
最大
民
最大
74AHC_AHCT125_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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