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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符7型号页 > 首字符7的型号第276页 > 74AHC02BQ
74AHC02 ; 74AHCT02
四路2输入NOR门
牧师03 - 2008年1月7日
产品数据表
1.概述
该74AHC02 ; 74AHCT02是高速硅栅CMOS器件,其引脚兼容
低功耗肖特基TTL ( LSTTL ) 。他们是在符合JEDEC特定网络版
标准JESD7 -A 。
该74AHC02 ; 74AHCT02提供四2输入NOR函数。
2.特点
s
s
s
s
s
s
平衡传输延迟
所有的输入有一个施密特触发器动作
输入接受比V更高的电压
CC
对于只有74AHC02 :工作在CMOS输入电平
对于只有74AHCT02 :工作在TTL电平输入
ESD保护:
x
HBM JESD22- A114E超过2000伏
x
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
x
CDM JESD22- C101C超过1000 V
s
多种封装选择
s
从特定网络版
40 °C
+85
°C
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围
74AHC02D
74AHCT02D
74AHC02PW
74AHCT02PW
74AHC02BQ
74AHCT02BQ
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
TSSOP14
40 °C
+125
°C
名字
SO14
描述
塑料小外形封装; 14线索;
体宽3.9毫米
塑料薄小外形封装; 14线索;
体宽4.4毫米
VERSION
SOT108-1
SOT402-1
SOT762-1
类型编号
DHVQFN14塑料双列直插兼容非常热增强
薄型四方扁平的封装;没有线索; 14终端;
机身2.5
×
3
×
0.85 mm
恩智浦半导体
74AHC02 ; 74AHCT02
四路2输入NOR门
4.功能图
2
3
5
6
8
9
11
12
1A
1B
2A
2B
3A
3B
4A
4B
1Y
1
2
≥1
1
A
≥1
4
B
Y
mna215
2Y
4
3
5
3Y
10
6
8
9
11
12
4Y
13
≥1
10
mna216
≥1
13
001aah084
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
图3.逻辑图( 1门)
5.管脚信息
5.1钢钉
1号航站楼
索引区
1A
1Y
1A
1B
2Y
2A
2B
GND
1
2
3
4
5
6
7
001aac919
2
3
4
5
6
7
GND
3A
8
14 V
CC
13 4Y
12 4B
11 4A
10 3Y
9
3B
14 V
CC
13 4Y
12 4B
1B
2Y
2A
2B
GND
(1)
02
11 4A
10 3Y
9
8
3B
3A
1
1Y
02
001aac920
透明的顶视图
(1)模具基体是利用连接到该垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作
电源引脚或输入。
图4.引脚CON组fi guration SO14和TSSOP14
图5.引脚CON组fi guration DHVQFN14
5.2引脚说明
表2中。
符号
1Y
1A
1B
2Y
74AHC_AHCT02_3
引脚说明
1
2
3
4
描述
数据输出
数据输入
数据输入
数据输出
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年1月7日
2 13
恩智浦半导体
74AHC02 ; 74AHCT02
四路2输入NOR门
表2中。
符号
2A
2B
GND
3A
3B
3Y
4A
4B
4Y
V
CC
引脚说明
- 续
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
描述
数据输入
数据输入
接地( 0 V )
数据输入
数据输入
数据输出
数据输入
数据输入
数据输出
电源电压
6.功能描述
表3中。
输入nA的
L
X
H
[1]
功能表
[1]
输入NB
L
H
X
输出NY
H
L
L
H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
SO14封装
TSSOP14封装
DHVQFN14包
[1]
[2]
[3]
[4]
条件
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
-
±20
±25
75
-
+150
500
500
500
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
mW
mW
V
I
& LT ;
0.5
V
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到(V
CC
+ 0.5 V)
[1]
[1]
20
-
-
-
75
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
[3]
[4]
-
-
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
°C.
P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
°C.
P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K以上60
°C.
NXP B.V. 2008保留所有权利。
74AHC_AHCT02_3
产品数据表
牧师03 - 2008年1月7日
3 13
恩智浦半导体
74AHC02 ; 74AHCT02
四路2输入NOR门
8.推荐工作条件
表5 。
推荐工作条件
电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入转换崛起
和下降率
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
条件
74AHC02
2.0
0
0
40
-
-
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
74AHCT02
4.5
0
0
40
-
-
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
-
20
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
单位
9.静态特性
表6 。
静态特性
电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
对于类型74AHC02
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
V
OH
高位
V
I
= V
IH
或V
IL
输出电压
I
O
=
50 A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
=
50 A;
V
CC
= 3.0 V
I
O
=
50 A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
=
4.0
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
8.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平
V
I
= V
IH
或V
IL
输出电压
I
O
= 50
A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
= 50
A;
V
CC
= 3.0 V
I
O
= 50
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 4.0毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 8.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
CC
C
I
输入漏
当前
V
I
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 0 V至5.5 V
1.5
2.1
3.85
-
-
-
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
3.0
4.5
-
-
0
0
0
-
-
-
-
3.0
-
-
-
0.5
0.9
1.65
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
2.0
10
1.5
2.1
3.85
-
-
-
1.9
2.9
4.4
2.48
3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
20
10
1.5
2.1
3.85
-
-
-
1.9
2.9
4.4
2.4
3.7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
40
10
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
条件
25
°C
典型值
最大
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
最大
最大
电源电流V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 5.5 V
输入
电容
74AHC_AHCT02_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年1月7日
4 13
恩智浦半导体
74AHC02 ; 74AHCT02
四路2输入NOR门
表6 。
静态特性
- 续
电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
对于类型74AHCT02
V
IH
V
IL
V
OH
高位
输入电压
低电平
输入电压
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
2.0
-
-
-
-
0.8
2.0
-
-
0.8
2.0
-
-
0.8
V
V
条件
25
°C
典型值
最大
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
最大
最大
高位
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 4.5 V
输出电压
I
O
=
50 A
I
O
=
8.0
mA
低电平
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 4.5 V
输出电压
I
O
= 50
A
I
O
= 8.0毫安
输入漏
当前
V
I
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 0 V至5.5 V
4.4
3.94
-
-
-
-
-
4.5
-
0
-
-
-
-
-
-
0.1
0.36
0.1
2.0
1.35
4.4
3.8
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.44
1.0
20
1.5
4.4
3.7
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.55
2.0
40
1.5
V
V
V
V
A
A
mA
V
OL
I
I
I
CC
I
CC
电源电流V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 5.5 V
另外
每个输入引脚;
电源电流V
I
= V
CC
2.1 V ;我
O
= 0 A;
其他引脚在V
CC
或GND ;
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
输入
电容
C
I
-
3.0
10
-
10
-
10
pF
10.动态特性
表7中。
动态特性
GND = 0 V ;测试电路见
图7 。
符号参数
对于类型74AHC02
t
pd
传播
延迟
呐, NB到纽约;看
图6
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
PD
动力
C
L
= 50 pF的; F
i
= 1 MHz的;
耗散
V
I
= GND到V
CC
电容
[3]
[2]
条件
25
°C
典型值
[1]
最大
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
最大
最大
-
-
-
-
3.9
5.5
2.9
4.2
7.0
7.9
11.4
5.5
7.5
-
1.0
1.0
1.0
1.0
-
9.5
13
6.5
8.5
-
1.0
1.0
1.0
1.0
-
10.0
14.5
7.0
9.5
-
ns
ns
ns
ns
pF
74AHC_AHCT02_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年1月7日
5 13
74AHC02 ; 74AHCT02
四路2输入NOR门
牧师04 - 2008年5月21日
产品数据表
1.概述
该74AHC02 ; 74AHCT02是高速硅栅CMOS器件,其引脚兼容
低功耗肖特基TTL ( LSTTL ) 。这是符合JEDEC标准的特定网络版
第7 -A 。
该74AHC02 ; 74AHCT02提供了一个四2输入NOR函数。
2.特点
I
I
I
I
平衡传输延迟
所有的输入有一个施密特触发器动作
输入接受比V更高的电压
CC
输入电平:
N
对于74AHC02 : CMOS电平
N
对于74AHCT02 : TTL电平
I
ESD保护:
N
HBM EIA / JESD22- A114E超过2000伏
N
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
N
CDM EIA / JESD22- C101C超过1000 V
I
多种封装选择
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围名称
74AHC02
74AHC02D
74AHC02PW
74AHC02BQ
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
SO14
TSSOP14
DHVQFN14
塑料小外形封装; 14线索;
体宽3.9毫米
塑料薄小外形封装; 14线索;
体宽4.4毫米
SOT108-1
SOT402-1
描述
VERSION
类型编号
塑料双列直插兼容的热增强型非常SOT762-1
薄型四方扁平的封装;没有线索; 14终端;
机身2.5
×
3
×
0.85 mm
恩智浦半导体
74AHC02 ; 74AHCT02
四路2输入NOR门
表1中。
订购信息
- 续
温度范围名称
描述
塑料小外形封装; 14线索;
体宽3.9毫米
塑料薄小外形封装; 14线索;
体宽4.4毫米
VERSION
SOT108-1
SOT402-1
类型编号
74AHCT02
74AHCT02D
74AHCT02PW
74AHCT02BQ
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
SO14
TSSOP14
DHVQFN14
塑料双列直插兼容的热增强型非常SOT762-1
薄型四方扁平的封装;没有线索; 14终端;
机身2.5
×
3
×
0.85 mm
4.功能图
2
1Y
1
3
5
2Y
4
6
8
9
4Y
13
11
12
mna216
2
3
5
6
8
9
11
12
1A
1B
2A
2B
3A
3B
4A
4B
≥1
1
≥1
4
3Y
10
≥1
10
A
Y
B
mna215
≥1
13
001aah084
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
图3 。
逻辑图( 1门)
74AHC_AHCT02_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2008年5月21日
2 14
恩智浦半导体
74AHC02 ; 74AHCT02
四路2输入NOR门
5.管脚信息
5.1钢钉
1号航站楼
索引区
1A
1Y
1A
1B
2Y
2A
2B
GND
1
2
3
4
5
6
7
001aac919
2
3
4
5
6
7
GND
3A
8
14 V
CC
13 4Y
12 4B
11 4A
10 3Y
9
3B
14 V
CC
13 4Y
12 4B
1B
2Y
2A
2B
GND
(1)
02
11 4A
10 3Y
9
8
3B
3A
1
1Y
02
001aac920
透明的顶视图
(1)模具基体是利用连接到该垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作一个
电源引脚或输入。
图4 。
引脚CON组fi guration SO14和TSSOP14
图5 。
引脚CON组fi guration DHVQFN14
5.2引脚说明
表2中。
符号
1Y
1A
1B
2Y
2A
2B
GND
3A
3B
3Y
4A
4B
4Y
V
CC
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
描述
数据输出
数据输入
数据输入
数据输出
数据输入
数据输入
接地( 0 V )
数据输入
数据输入
数据输出
数据输入
数据输入
数据输出
电源电压
74AHC_AHCT02_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2008年5月21日
3 14
恩智浦半导体
74AHC02 ; 74AHCT02
四路2输入NOR门
6.功能描述
表3中。
输入
nA
L
X
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不在乎。
功能表
[1]
产量
nB
L
H
X
nY
H
L
L
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
-
+20
+25
+75
-
+150
500
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
& LT ;
0.5
V
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到(V
CC
+ 0.5 V)
[1]
[1]
20
20
25
-
75
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于SO14封装: 70以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于TSSOP14封装: 60岁以上
°C
P的值
合计
减额线性5.5毫瓦/ K 。
对于DHVQFN14包: 60岁以上
°C
P的值
合计
减额线性在4.5毫瓦/ K 。
8.推荐工作条件
表5 。
74AHC02
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
2.0
0
0
40
-
-
5.0
-
-
+25
-
-
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
工作条件
条件
典型值
最大
单位
符号参数
74AHC_AHCT02_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2008年5月21日
4 14
恩智浦半导体
74AHC02 ; 74AHCT02
四路2输入NOR门
表5 。
74AHCT02
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
工作条件
- 续
条件
4.5
0
0
40
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
-
典型值
5.0
-
-
+25
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
符号参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
9.静态特性
表6 。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
74AHC02
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
V
OH
高位
V
I
= V
IH
或V
IL
输出电压
I
O
=
50 A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
=
50 A;
V
CC
= 3.0 V
I
O
=
50 A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
=
4.0
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
8.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平
V
I
= V
IH
或V
IL
输出电压
I
O
= 50
A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
= 50
A;
V
CC
= 3.0 V
I
O
= 50
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 4.0毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 8.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
CC
C
I
输入漏
当前
V
I
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 0 V至5.5 V
1.5
2.1
3.85
-
-
-
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
3.0
4.5
-
-
0
0
0
-
-
-
-
3
-
-
-
0.5
0.9
1.65
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
2.0
10
1.5
2.1
3.85
-
-
-
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
20
10
1.5
2.1
3.85
-
-
-
1.9
2.9
4.4
2.40
3.70
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
40
10
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
条件
25
°C
典型值
最大
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
最大
最大
电源电流V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 5.5 V
输入
电容
74AHC_AHCT02_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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