74ACT373
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
储存温度
焊接温度（ 10秒）
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
50
±
400
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
o
o
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
C
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作，是不是暗示。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
DT / DV
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度：
输入上升和下降时间V
CC
= 4.5 5.5V （注1 ）
参数
VALU ê
4.5 5.5
0到V
CC
0到V
CC
-40至+85
8
单位
V
V
V
o
C
NS / V
1) V
IN
从0.8 V至2.0 V
3/10
74ACT373
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的，R
L
= 500
,
输入吨
r
= t
f
3 = NS）
符号
参数
V
CC
(V)
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
t
PLH
t
PHL
t
w
t
s
t
h
传播延迟时间
LE到Q
传播延迟时间
D到Q
输出使能时间
输出禁止时间
CK脉冲宽度，高
或低
建立时间Q到CK
高或低
保持时间Q到CK
高或低
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
牛逼EST电导率银行足球比赛
o
价值
-40至85℃
T
A
= 25 C
分钟。典型值。马克斯。分钟。马克斯。
6.0
10.0
11.5
5.5
6.0
7.0
1.0
0.5
0.5
10.0
9.5
11.0
7.0
7.0
0.0
11.5
10.5
12.5
8.0
8.0
1.0
o
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
（ *）的电压范围为5V
±
0.5V
电容特性
符号
参数
V
CC
(V)
C
OUT
C
IN
C
PD
输出电容
输入电容
功耗
电容（注1 ）
5.0
5.0
5.0
测试刀豆DITION s
o
价值
T
A
= 25 C
分钟。
典型值。
10
5
25
马克斯。
-40至85℃
分钟。
马克斯。
o
单位
pF
pF
pF
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算无负载的值。 （参考
测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC
（ OPR ） = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
/ N（每路）
5/10
74ACT373
八路D型锁存器
具有三态输出（非反相）
s
s
s
s
s
s
s
s
s
高速：吨
PD
= 6ns的（ TYP 。 ）在V
CC
= 5V
低功耗：
I
CC
= 4μA （ MAX 。 ）在T
A
=25°C
兼容TTL输出
V
IH
= 2V （ MIN 。 ） ，V
IL
= 0.8V （最大）
50Ω传输线驱动
能力
对称的输出阻抗：
|I
OH
| = I
OL
= 24毫安（ MIN ）
平衡传输延迟：
t
PLH
t
PHL
工作电压范围：
V
CC
（ OPR） = 4.5V至5.5V
引脚和功能兼容
74系列373
改进的闭锁抗扰度
DIP
SOP
TSSOP
订购代码
包
DIP
SOP
TSSOP
管
74ACT373B
74ACT373M
T&R
74ACT373MTR
74ACT373TTR
描述
该74ACT373是一个高速CMOS八路
D类锁存器与3态输出非
反相制备亚微米硅
门和双层金属布线
2
MOS
技术。
这8位D型锁存器由一个锁存控制
使能输入端（LE）和一个输出使能输入端（OE） 。
当（ LE）的输入为高时， Q输出跟随
的数据（D）输入端。当（ LE ）为低电平时，
在Q输出将在逻辑电平设置被锁定
引脚连接和IEC逻辑符号
了在D输入端。当（OE）输入为低时，
8个输出将是一个正常的逻辑状态（高或
低逻辑电平） ;当（OE）输入为高时，
输出将处于高阻抗状态。
此装置被设计成连接直接高
高速CMOS系统具有TTL和NMOS
组件。
所有输入和输出都配备有
防止静电放电保护电路，使
他们2KV ESD免疫能力和瞬态过剩
电压。
2001年4月
1/11
74ACT373
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
储存温度
焊接温度（ 10秒）
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
50
±
400
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不是暗示。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
DT / DV
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间V
CC
= 4.5 5.5V （注1 ）
参数
价值
4.5 5.5
0到V
CC
0到V
CC
-55至125
8
单位
V
V
V
°C
NS / V
1) V
IN
0.8V至2.0V
3/11
74ACT373
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
V
OL
低电平输出
电压
4.5
5.5
4.5
5.5
I
I
I
OZ
输入漏电流
租金
高阻抗
输出Leakege
当前
我最大
CC
/输入
静态电源
当前
动态输出
电流（注1,2）
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
V
O
= 0.1 V或
V
CC
-0.1V
V
O
= 0.1 V或
V
CC
-0.1V
I
O
=-50
A
I
O
=-50
A
I
O
= -24毫安
I
O
= -24毫安
I
O
=50
A
I
O
=50
A
I
O
= 24毫安
I
O
= 24毫安
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
IH
或V
IL
V
O
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
- 2.1V
V
I
= V
CC
或GND
V
老
= 1.65 V最大
V
OHD
= 3.85 V分钟
0.6
4
4.4
5.4
3.86
4.86
0.001
0.001
0.1
0.1
0.36
0.36
±
0.1
±
0.5
T
A
= 25°C
分钟。
2.0
2.0
典型值。
1.5
1.5
1.5
1.5
4.49
5.49
马克斯。
价值
-40到85°C
分钟。
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.76
4.76
0.1
0.1
0.44
0.44
±
1
±
5
1.5
40
75
-75
0.8
0.8
4.4
5.4
3.7
4.7
0.1
0.1
0.5
0.5
±
1
±
5
1.6
80
50
-50
A
A
mA
A
mA
mA
V
马克斯。
-55到125°C
分钟。
2.0
2.0
0.8
0.8
V
马克斯。
V
单位
V
IH
V
IL
V
OH
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
I
CCT
I
CC
I
老
I
OHD
1 ）最大测试时间为2ms ，一个输出负载在时间
2 ）入射波切换的保证trasmission线阻抗低至50Ω
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的，R
L
= 500
,
输入吨
r
= t
f
= 3纳秒）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5.5
6.0
6.0
7.0
1.3
-0.5
0.5
马克斯。
10.0
10.0
9.5
11.0
7.0
7.0
0.0
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
11.5
11.5
10.5
12.5
8.0
8.0
1.0
-55到125°C
分钟。
马克斯。
11.5
11.5
10.5
12.5
8.0
8.0
1.0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
PLH
t
PHL
传播延迟
勒到Q
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间D到Q
t
PZL
t
PZH
OUTPUT ENABLE
时间
t
PLZ
t
PHZ
输出禁用
时间
t
W
LE最小脉冲
宽，高
t
s
设置时间D来
LE ，高或低
t
h
保持时间D为LE ，
高或低
（ *）的电压范围为5.0V
±
0.5V
4/11
74ACT373
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
5.0
5.0
f
IN
= 10MHz时
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
4
8
25
马克斯。
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
-55到125°C
分钟。
马克斯。
pF
pF
pF
单位
C
IN
C
OUT
C
PD
输入电容
产量
电容
功耗
电容（注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。 （请参考测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC （ OPR ）
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
/ N（每路）
测试电路
TEST
t
PLH
, t
PHL
t
PZL
, t
PLZ
t
PZH
, t
PHZ
C
L
= 50pF的或同等学历（包括夹具和探头电容）
R
L
= R
1
= 500Ω或同等学历
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器（通常为50Ω ）
开关
开放
2V
CC
开放
5/11
74ACT373
八路D型锁存器
具有三态输出（非反相）
s
s
s
s
s
s
s
s
s
高速：吨
PD
= 6ns的（ TYP 。 ）在V
CC
= 5V
低功耗：
I
CC
= 4μA （ MAX 。 ）在T
A
=25°C
兼容TTL输出
V
IH
= 2V （ MIN 。 ） ，V
IL
= 0.8V （最大）
50Ω传输线驱动
能力
对称的输出阻抗：
|I
OH
| = I
OL
= 24毫安（ MIN ）
平衡传输延迟：
t
PLH
t
PHL
工作电压范围：
V
CC
（ OPR） = 4.5V至5.5V
引脚和功能兼容
74系列373
改进的闭锁抗扰度
DIP
SOP
TSSOP
订购代码
包
DIP
SOP
TSSOP
管
74ACT373B
74ACT373M
T&R
74ACT373MTR
74ACT373TTR
描述
该74ACT373是一个高速CMOS八路
D类锁存器与3态输出非
反相制备亚微米硅
门和双层金属布线
2
MOS
技术。
这8位D型锁存器由一个锁存控制
使能输入端（LE）和一个输出使能输入端（OE） 。
当（ LE）的输入为高时， Q输出跟随
的数据（D）输入端。当（ LE ）为低电平时，
在Q输出将在逻辑电平设置被锁定
引脚连接和IEC逻辑符号
了在D输入端。当（OE）输入为低时，
8个输出将是一个正常的逻辑状态（高或
低逻辑电平） ;当（OE）输入为高时，
输出将处于高阻抗状态。
此装置被设计成连接直接高
高速CMOS系统具有TTL和NMOS
组件。
所有输入和输出都配备有
防止静电放电保护电路，使
他们2KV ESD免疫能力和瞬态过剩
电压。
2001年4月
1/11
74ACT373
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
储存温度
焊接温度（ 10秒）
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
50
±
400
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不是暗示。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
DT / DV
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间V
CC
= 4.5 5.5V （注1 ）
参数
价值
4.5 5.5
0到V
CC
0到V
CC
-55至125
8
单位
V
V
V
°C
NS / V
1) V
IN
0.8V至2.0V
3/11
74ACT373
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
V
OL
低电平输出
电压
4.5
5.5
4.5
5.5
I
I
I
OZ
输入漏电流
租金
高阻抗
输出Leakege
当前
我最大
CC
/输入
静态电源
当前
动态输出
电流（注1,2）
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
V
O
= 0.1 V或
V
CC
-0.1V
V
O
= 0.1 V或
V
CC
-0.1V
I
O
=-50
A
I
O
=-50
A
I
O
= -24毫安
I
O
= -24毫安
I
O
=50
A
I
O
=50
A
I
O
= 24毫安
I
O
= 24毫安
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
IH
或V
IL
V
O
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
- 2.1V
V
I
= V
CC
或GND
V
老
= 1.65 V最大
V
OHD
= 3.85 V分钟
0.6
4
4.4
5.4
3.86
4.86
0.001
0.001
0.1
0.1
0.36
0.36
±
0.1
±
0.5
T
A
= 25°C
分钟。
2.0
2.0
典型值。
1.5
1.5
1.5
1.5
4.49
5.49
马克斯。
价值
-40到85°C
分钟。
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.76
4.76
0.1
0.1
0.44
0.44
±
1
±
5
1.5
40
75
-75
0.8
0.8
4.4
5.4
3.7
4.7
0.1
0.1
0.5
0.5
±
1
±
5
1.6
80
50
-50
A
A
mA
A
mA
mA
V
马克斯。
-55到125°C
分钟。
2.0
2.0
0.8
0.8
V
马克斯。
V
单位
V
IH
V
IL
V
OH
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
I
CCT
I
CC
I
老
I
OHD
1 ）最大测试时间为2ms ，一个输出负载在时间
2 ）入射波切换的保证trasmission线阻抗低至50Ω
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的，R
L
= 500
,
输入吨
r
= t
f
= 3纳秒）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5.5
6.0
6.0
7.0
1.3
-0.5
0.5
马克斯。
10.0
10.0
9.5
11.0
7.0
7.0
0.0
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
11.5
11.5
10.5
12.5
8.0
8.0
1.0
-55到125°C
分钟。
马克斯。
11.5
11.5
10.5
12.5
8.0
8.0
1.0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
PLH
t
PHL
传播延迟
勒到Q
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间D到Q
t
PZL
t
PZH
OUTPUT ENABLE
时间
t
PLZ
t
PHZ
输出禁用
时间
t
W
LE最小脉冲
宽，高
t
s
设置时间D来
LE ，高或低
t
h
保持时间D为LE ，
高或低
（ *）的电压范围为5.0V
±
0.5V
4/11
74ACT373
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
5.0
5.0
f
IN
= 10MHz时
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
4
8
25
马克斯。
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
-55到125°C
分钟。
马克斯。
pF
pF
pF
单位
C
IN
C
OUT
C
PD
输入电容
产量
电容
功耗
电容（注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。 （请参考测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC （ OPR ）
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
/ N（每路）
测试电路
TEST
t
PLH
, t
PHL
t
PZL
, t
PLZ
t
PZH
, t
PHZ
C
L
= 50pF的或同等学历（包括夹具和探头电容）
R
L
= R
1
= 500Ω或同等学历
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器（通常为50Ω ）
开关
开放
2V
CC
开放
5/11
74ACT373
八路D型锁存器
具有三态输出（非反相）
s
s
s
s
s
s
s
s
s
高速：吨
PD
= 6ns的（ TYP 。 ）在V
CC
= 5V
低功耗：
I
CC
= 4μA （ MAX 。 ）在T
A
=25°C
兼容TTL输出
V
IH
= 2V （ MIN 。 ） ，V
IL
= 0.8V （最大）
50Ω传输线驱动
能力
对称的输出阻抗：
|I
OH
| = I
OL
= 24毫安（ MIN ）
平衡传输延迟：
t
PLH
t
PHL
工作电压范围：
V
CC
（ OPR） = 4.5V至5.5V
引脚和功能兼容
74系列373
改进的闭锁抗扰度
DIP
SOP
TSSOP
订购代码
包
DIP
SOP
TSSOP
管
74ACT373B
74ACT373M
T&R
74ACT373MTR
74ACT373TTR
描述
该74ACT373是一个高速CMOS八路
D类锁存器与3态输出非
反相制备亚微米硅
门和双层金属布线
2
MOS
技术。
这8位D型锁存器由一个锁存控制
使能输入端（LE）和一个输出使能输入端（OE） 。
当（ LE）的输入为高时， Q输出跟随
的数据（D）输入端。当（ LE ）为低电平时，
在Q输出将在逻辑电平设置被锁定
引脚连接和IEC逻辑符号
了在D输入端。当（OE）输入为低时，
8个输出将是一个正常的逻辑状态（高或
低逻辑电平） ;当（OE）输入为高时，
输出将处于高阻抗状态。
此装置被设计成连接直接高
高速CMOS系统具有TTL和NMOS
组件。
所有输入和输出都配备有
防止静电放电保护电路，使
他们2KV ESD免疫能力和瞬态过剩
电压。
2001年4月
1/11
74ACT373
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
储存温度
焊接温度（ 10秒）
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
50
±
400
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不是暗示。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
DT / DV
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间V
CC
= 4.5 5.5V （注1 ）
参数
价值
4.5 5.5
0到V
CC
0到V
CC
-55至125
8
单位
V
V
V
°C
NS / V
1) V
IN
0.8V至2.0V
3/11
74ACT373
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
V
OL
低电平输出
电压
4.5
5.5
4.5
5.5
I
I
I
OZ
输入漏电流
租金
高阻抗
输出Leakege
当前
我最大
CC
/输入
静态电源
当前
动态输出
电流（注1,2）
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
V
O
= 0.1 V或
V
CC
-0.1V
V
O
= 0.1 V或
V
CC
-0.1V
I
O
=-50
A
I
O
=-50
A
I
O
= -24毫安
I
O
= -24毫安
I
O
=50
A
I
O
=50
A
I
O
= 24毫安
I
O
= 24毫安
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
IH
或V
IL
V
O
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
- 2.1V
V
I
= V
CC
或GND
V
老
= 1.65 V最大
V
OHD
= 3.85 V分钟
0.6
4
4.4
5.4
3.86
4.86
0.001
0.001
0.1
0.1
0.36
0.36
±
0.1
±
0.5
T
A
= 25°C
分钟。
2.0
2.0
典型值。
1.5
1.5
1.5
1.5
4.49
5.49
马克斯。
价值
-40到85°C
分钟。
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.76
4.76
0.1
0.1
0.44
0.44
±
1
±
5
1.5
40
75
-75
0.8
0.8
4.4
5.4
3.7
4.7
0.1
0.1
0.5
0.5
±
1
±
5
1.6
80
50
-50
A
A
mA
A
mA
mA
V
马克斯。
-55到125°C
分钟。
2.0
2.0
0.8
0.8
V
马克斯。
V
单位
V
IH
V
IL
V
OH
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
I
CCT
I
CC
I
老
I
OHD
1 ）最大测试时间为2ms ，一个输出负载在时间
2 ）入射波切换的保证trasmission线阻抗低至50Ω
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的，R
L
= 500
,
输入吨
r
= t
f
= 3纳秒）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
5.0
(*)
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5.5
6.0
6.0
7.0
1.3
-0.5
0.5
马克斯。
10.0
10.0
9.5
11.0
7.0
7.0
0.0
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
11.5
11.5
10.5
12.5
8.0
8.0
1.0
-55到125°C
分钟。
马克斯。
11.5
11.5
10.5
12.5
8.0
8.0
1.0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
PLH
t
PHL
传播延迟
勒到Q
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间D到Q
t
PZL
t
PZH
OUTPUT ENABLE
时间
t
PLZ
t
PHZ
输出禁用
时间
t
W
LE最小脉冲
宽，高
t
s
设置时间D来
LE ，高或低
t
h
保持时间D为LE ，
高或低
（ *）的电压范围为5.0V
±
0.5V
4/11
74ACT373
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
5.0
5.0
f
IN
= 10MHz时
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
4
8
25
马克斯。
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
-55到125°C
分钟。
马克斯。
pF
pF
pF
单位
C
IN
C
OUT
C
PD
输入电容
产量
电容
功耗
电容（注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。 （请参考测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC （ OPR ）
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
/ N（每路）
测试电路
TEST
t
PLH
, t
PHL
t
PZL
, t
PLZ
t
PZH
, t
PHZ
C
L
= 50pF的或同等学历（包括夹具和探头电容）
R
L
= R
1
= 500Ω或同等学历
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器（通常为50Ω ）
开关
开放
2V
CC
开放
5/11
74AC373 ， 74ACT373 - 八路透明锁存器带3态输出
2008年1月
74AC373 ， 74ACT373
八路透明锁存器具有三态输出
特点
■
I
CC
我
OZ
减少了50％
■
八个锁存器在一个封装
■
总线接口3态输出
■
输出源/汇24毫安
■
ACT373具有TTL兼容的输入
概述
在AC / ACT373包括八个锁存器带3态
输出的总线组织系统的应用。在倒装
把触发电路出现透明的数据时，锁存使能
（LE）为HIGH 。当LE是低电平时，数据满足
建立时间被锁定。数据出现在总线上时，
输出使能（ OE）为LOW 。当OE为高电平时，总线
输出处于高阻抗状态。
订购信息
订单号
74AC373SC
74AC373SJ
74AC373MTC
74AC373PC
74ACT373SC
74ACT373SJ
74ACT373MSA
74ACT373MTC
74ACT373PC
包
数
M20B
M20D
MTC20
N20A
M20B
M20D
MSA20
MTC20
N20A
包装说明
20引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 013 ， 0.300"宽
20引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米
WIDE
20引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 001 ， 0.300"宽
20引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 013 ， 0.300"宽
20引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
20引脚紧缩小型封装（ SSOP ） ， JEDEC MO- 150 ， 5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米
WIDE
20引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 001 ， 0.300"宽
也可在磁带和卷轴装置。通过附加后缀字母“X”在订购号指定。
所有的包都根据JEDEC无铅： J- STD- 020B标准。
1988仙童半导体公司
74AC373 ， 74ACT373版本1.5.0
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74AC373 ， 74ACT373 - 八路透明锁存器带3态输出
接线图
逻辑符号
IEEE / IEC
引脚说明
引脚名称
D
0
–D
7
LE
OE
O
0
–O
7
描述
数据输入
锁存使能输入
输出使能输入
三态输出锁存器
功能说明
在AC / ACT373包含八个D型锁存器
3 ，国家标准输出。当锁存使能（ LE ）
输入为高电平时，在D个数据
n
输入端进入锁存器。
在这种条件下，锁存器是透明的，即，锁存器
输出将每次的D型输入状态改变
变化。当LE为低电平时，锁存器存储Infor公司
息，这是存在于D型输入了设置
时间之前LE的高到低的跳变。该
3态标准输出由输出控制
启用（ OE ）输入。当OE为低电平时，标准
输出在2态模式。当OE为高电平，则
标准输出是在高阻抗模式，但
这不与输入新的数据插入干扰
锁存器。
真值表
输入
LE
X
H
H
L
输出
D
n
X
L
H
X
OE
H
L
L
L
O
n
Z
L
H
O
0
H
=
高电压电平
L
=
低电压电平
Z
=
高阻抗
X
=
非物质
O
0
=
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0
之前HIGH到LOW过渡
锁存使能
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74AC373 ， 74ACT373版本1.5.0
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2
74AC373 ， 74ACT373 - 八路透明锁存器带3态输出
逻辑图
请注意，该图仅用于逻辑操作的理解提供的，不应该被用来
估计传播延迟。
1988仙童半导体公司
74AC373 ， 74ACT373版本1.5.0
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3
74AC373 ， 74ACT373 - 八路透明锁存器带3态输出
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
V
CC
I
IK
电源电压
DC输入二极管电流
V
I
=
0.5V
V
I
=
V
CC
+
0.5
V
I
I
OK
直流输入电压
DC输出二极管电流
V
O
=
0.5V
V
O
=
V
CC
+
0.5V
V
O
I
O
直流输出电压
参数
等级
0.5V至
+
7.0V
20mA
+
20mA
0.5V至V
CC
+
0.5V
20mA
+
20mA
0.5V至V
CC
+
0.5V
±
50mA
±
50mA
65
°
C到
+
150
°
C
140
°
C
DC输出源或灌电流
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
每个输出引脚或接地电流
T
英镑
储存温度
T
J
结温
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计，以绝对最大额定值。
符号
V
CC
电源电压
AC
法案
V
I
V
O
T
A
V /
t
V /
t
输入电压
输出电压
工作温度
参数
等级
2.0V至6.0V
4.5V至5.5V
0V至V
CC
0V至V
CC
40
°
C到
+
85
°
C
125mV/ns
125mV/ns
最小输入边沿速率， AC设备：
V
IN
从30％到V的70％
CC
, V
CC
@ 3.3V, 4.5V, 5.5V
最小输入边沿速率， ACT设备：
V
IN
从0.8V到2.0V ，V
CC
@ 4.5V, 5.5V
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74AC373 ， 74ACT373版本1.5.0
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74AC373 ， 74ACT373 - 八路透明锁存器带3态输出
直流电气特性交流
T
A
= +
25
°
C
符号
V
IH
T
A
=
40
°
C到
+
85
°
C
单位
V
2.1
3.15
3.85
0.9
1.35
1.65
2.9
4.4
5.4
2.46
3.76
4.76
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
0.44
±1.0
±2.5
A
A
V
V
V
参数
最低高层
输入电压
V
CC
(V)
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
条件
V
OUT
=
0.1V或
V
CC
– 0.1V
V
OUT
=
0.1V或
V
CC
– 0.1V
I
OUT
=
–50A
典型值。
1.5
2.25
2.75
1.5
2.25
2.75
2.99
4.49
5.49
2.1
保证限制
3.15
3.85
0.9
1.35
1.65
2.9
4.4
5.4
2.56
3.86
4.86
V
IL
最大低电平
输入电压
V
OH
最低高层
输出电压
V
IN
=
V
IL
或V
IH
,
I
OH
=
–12mA
V
IN
=
V
IL
或V
IH
,
I
OH
=
–24mA
V
IN
=
V
IL
或V
IH
,
I
OH
=
–24mA
(1)
0.002
0.001
0.001
V
IN
=
V
IL
或V
IH
,
I
OL
=
12mA
V
IN
=
V
IL
或V
IH
,
I
OL
=
24mA
V
IN
=
V
IL
或V
IH
,
I
OL
=
24mA
(1)
V
I
=
V
CC
， GND
V
I
（ OE）的
=
V
IL
, V
IH
;
V
I
=
V
CC
， GND ;
V
O
=
V
CC
， GND
V
老
=
1.65V最大。
V
OHD
=
3.85V最小。
V
IN
=
V
CC
或GND
I
OUT
=
50A
V
OL
最大低电平
输出电压
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.36
±0.1
±0.25
I
IN(2)
I
OZ
最大输入
漏电流
最大的3 -STATE
漏电流
最小动态
输出电流
(3)
最大静态
电源电流
5.5
5.5
I
老
I
OHD
I
CC(2)
5.5
5.5
5.5
75
75
4.0
40.0
mA
mA
A
注意事项：
1.所有输出负载;输入阈值与输出测试有关。
2. I
IN
我
CC
@ 3.0V保证是小于或等于各自的极限@ 5.5VV
CC
.
3.最大测试时间2.0ms ，一个输出一次加载。
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74AC373 ， 74ACT373版本1.5.0
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5
QQ：2880707522 复制
