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74ABT573八D型锁存器带3态输出
1993年1月
修订后的1999年11月
74ABT573
八D型锁存器带3态输出
概述
该ABT573是常见的缓冲锁存器的锁存八
使能( LE )和缓冲常见的输出使能( OE )
输入。
该装置在功能上等同的ABT373 ,但有
宽边引脚。
特点
s
在包的两侧输入和输出允许
简单的接口与微处理器
s
有用的,作为微处理器的输入或输出端口
s
功能上等同于ABT373
s
总线接口3态输出
s
64毫安输出吸收能力,源能力
32毫安
s
保证输出偏斜
s
保证多路输出开关规格
s
输出开关为50 pF和250 pF的规定
负载
s
保证同步开关噪声水平和
动态阈值的表现
s
保证闭锁保护
s
整个过程中高阻抗无干扰总线负载
上电和断电
s
无损热插入功能
订购代码:
订单号
74ABT573CSC
74ABT573CSJ
74ABT573CMSA
74ABT573CMTC
74ABT573CPC
包装数
M20B
M20D
MSA20
MTC20
N20A
包装说明
20引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 013 , 0.300 “宽体
20引脚小外形封装( SOP ) , EIAJ TYPE II , 5.3毫米宽
20引脚紧缩小型封装( SSOP ) , EIAJ TYPE II , 5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装( TSSOP ) , JEDEC MO- 153 , 4.4毫米宽
20引脚塑料双列直插式封装(PDIP ) , JEDEC MS- 01 , 0.300 “宽
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
接线图
引脚说明
引脚名称
D
0
–D
7
LE
OE
O
0
–O
7
数据输入
锁存使能输入(高电平有效)
三态输出使能输入(低电平有效)
三态输出锁存器
说明
1999仙童半导体公司
DS011548
www.fairchildsemi.com
74ABT573
功能说明
该ABT573包含八个D型锁存器带3态
输出缓冲器。当锁存使能( LE )输入为高电平,
在D个数据
n
输入端进入锁存器。在此条件下
锁存器是透明的,也就是说,锁存器输出将改变
说明每一次的D输入的变化。当LE为低电平时,
锁存器存储,这是存在于D中的信息
输入高至低跳变之前的准备时间
的LE 。的三态缓冲器由所述输出控制
启用( OE )输入。当OE为低电平时,缓冲器中的
双态模式。当OE为高电平的缓冲器是处于高
阻抗模式,但这并不与进入干涉
新数据进入锁存器。
功能表
输入
OE
L
L
L
H
LE
H
H
L
X
D
H
L
X
X
输出
O
H
L
O
0
Z
H
=
高电压电平
L
=
低电压电平
X
=
非物质
O
0
=
从以前的时钟周期储值
逻辑图
请注意,该图仅用于逻辑操作的理解提供的,不应该被用来估计的传播延迟。
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2
74ABT573
绝对最大额定值
(注1 )
储存温度
在偏置环境温度
在偏置结温
V
CC
端子电位接地引脚
输入电压(注2 )
输入电流(注2 )
电压适用于任何输出
在禁用或
电源关闭状态
在高国
目前适用于输出
在低状态(最大)
直流闭锁源电流
过电压闭锁( I / O)
额定我两次
OL
(MA )
500
mA
10V
0.5V
to
+5.5V
0.5V
到V
CC
65°C
to
+150°C
55°C
to
+125°C
55°C
to
+150°C
0.5V
to
+7.0V
0.5V
to
+7.0V
30
mA至
+5.0
mA
推荐工作
条件
自由空气环境温度
电源电压
最小输入边沿速率( ΔV / ΔT)
数据输入
使能输入
50毫伏/纳秒
20毫伏/纳秒
40°C
to
+85°C
+4.5V
to
+5.5V
注1 :
绝对最大额定值是值超出该设备
可能被损坏或有其使用寿命降低。功能操作
在这些条件下,是不是暗示。
注2 :
无论是电压限制和电流限制是足够的,以保护输入。
DC电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
CD
V
OH
V
OL
I
IH
I
英属维尔京群岛
I
IL
V
ID
I
OZH
I
OZL
I
OS
I
CEX
I
ZZ
I
CCH
I
CCL
I
CCZ
I
CCT
参数
输入高电压
输入低电压
输入钳位二极管电压
输出高电压
输出低电压
输入高电流
输入高电流
击穿测试
输入低电平电流
输入漏电流测试
4.75
2.5
2.0
0.55
1
1
7
1
1
2.0
0.8
1.2
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
V
A
A
mA
A
A
A
mA
A
mA
mA
mA
毫安/
0.12
兆赫
最大
最大
最大
最大
最大
0.0
V
CC
条件
公认的高信号
公认的低信号
I
IN
= 18
mA
I
OH
= 3
mA
I
OH
= 32
mA
I
OL
=
64毫安
V
IN
=
2.7V (注4 )
V
IN
=
V
CC
V
IN
=
7.0V
V
IN
=
0.5V (注4 )
V
IN
=
0.0V
I
ID
=
1.9
A
所有其他引脚接地
输出漏电流
输出漏电流
输出短路电流
输出高泄漏电流
公交排水试验
电源电流
电源电流
电源电流
100
10
10
275
50
100
50
30
50
输出启用
输出三态
输出三态
I
CCD
我的动态
CC
(注4 )
注3 :
对于8位的切换,我
CCD
& LT ;
0.8毫安/ MHz的。
注4 :
保证,但未经测试。
0
5.5V V
OUT
=
2.7V ; OE
=
2.0V
0
5.5V V
OUT
=
0.5V ; OE
=
2.0V
最大
最大
0.0
最大
最大
最大
V
OUT
=
0.0V
V
OUT
=
V
CC
V
OUT
=
5.5V ;所有其他GND
所有输出高
所有输出低
OE
=
V
CC
所有其他在V
CC
或GND
V
I
=
V
CC
2.1V
使能输入V
I
=
V
CC
2.1V
数据输入V
I
=
V
CC
2.1V
所有其他在V
CC
或GND
输出打开
OE
=
GND , LE
=
V
CC
(注3)
一号位切换,占空比为50%
其他我
CC
/输入
2.5
2.5
2.5
空载
3
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74ABT573
DC电气特性
符号
V
OLP
V
OLV
V
OHV
V
IHD
V
ILD
参数
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输出电压
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
1.5
2.5
2.2
典型值
0.7
1.2
3.0
1.8
1.0
0.7
最大
1.0
单位
V
V
V
V
V
V
CC
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
条件
C
L
=
为50 pF ,R
L
=
500
T
A
=
25 ° C(注5 )
T
A
=
25 ° C(注5 )
T
A
=
25 ° C(注6 )
T
A
=
25 ° C(注7 )
T
A
=
25 ° C(注7 )
注5 :
定义为(n )输出最大数量。
1数据输入驱动0V至3V 。一个输出为低电平。保证,但未经测试。
注6 :
定义为(n )输出最大数量。
1数据输入驱动0V至3V 。一个输出高电平。保证,但未经测试。
注7 :
数据输入( N)开关最大数量。
1输入切换0V至3V 。输入被测开关: 3V阈值(V
ILD
) , 0V到阈值(Ⅴ
IHD
).
保证,但未经测试。
AC电气特性
( SOIC和SSOP封装)
T
A
= +25°C
符号
参数
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
输出禁止时间
时间
传播延迟
D
n
与O
n
传播延迟
LE与O
n
输出使能时间
1.9
1.9
2.0
2.0
1.5
1.5
2.0
2.0
V
CC
= +5.0V
C
L
=
50 pF的
典型值
2.7
2.8
3.1
3.0
3.1
3.1
3.6
3.4
最大
4.5
4.5
5.0
5.0
5.3
5.3
5.4
5.4
1.9
1.9
2.0
2.0
1.5
1.5
2.0
2.0
T
A
= 40°C
to
+85°C
V
CC
=
4.5V至5.5V
C
L
=
50 pF的
最大
4.5
4.5
5.0
5.0
5.3
5.3
5.4
5.4
ns
ns
ns
ns
单位
AC操作要求
( SOIC和SSOP封装)
T
A
= +25°C
符号
参数
f
切换
t
S
(H)
t
S
(L)
t
H
(H)
t
H
(L)
t
W
(H)
最大切换频率
设置时间,高
或D越低
n
以LE
保持时间,高
或D越低
n
以LE
脉冲宽度,
乐高
1.5
1.5
1.0
1.0
3.0
V
CC
= +5.0V
C
L
=
50 pF的
典型值
100
1.5
1.5
1.0
1.0
3.0
最大
T
A
= 40°C
to
+85°C
V
CC
=
4.5V至5.5V
C
L
=
50 pF的
最大
兆赫
ns
ns
ns
单位
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4
74ABT573
扩展交流电气特性
( SOIC封装)
T
A
= 40°C
to
+85°C
V
CC
=
4.5V至5.5V
符号
参数
C
L
=
50 pF的
8路输出开关
(注8)
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
输出禁止时间
传播延迟
D
n
与O
n
传播延迟
LE与O
n
输出使能时间
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.0
1.0
最大
5.2
5.2
5.5
5.5
6.2
6.2
5.5
5.5
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
(注11 )
最大
6.8
6.8
7.5
7.5
8.0
8.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
T
A
= 40°C
to
+85°C
V
CC
=
4.5V至5.5V
C
L
=
250 pF的
(注9 )
T
A
= 40°C
to
+85°C
V
CC
=
4.5V至5.5V
C
L
=
250 pF的
8路输出开关
(注10 )
最大
9.0
9.0
9.5
9.5
10.5
10.5
(注11 )
ns
ns
ns
ns
单位
注8 :
本规范是保证,但未经测试。该限制适用于传输延迟为所有路径描述相位切换(即所有低到
HIGH , HIGH到LOW ,等等) 。
注9 :
本规范是保证,但未经测试。极限代表取代50 pF负载capac-的传播延迟为250 pF负载电容
itors在标准的AC负载。本规范适用于单路输出开关而已。
注10 :
本规范是保证,但未经测试。这些限制代表的传播延迟为所有路径描述开关相位(即所有低到
HIGH , HIGH到LOW ,等)代替了标准的交流负载的50 pF负载电容250 pF负载电容。
注11 :
三态延迟时间是在输出RC网络( 500Ω , 250 pF)的主导,并已被排除在数据表。
SKEW
(注12 )
( SOIC封装)
T
A
= 40°C
to
+85°C
V
CC
=
4.5V至5.5V
符号
参数
C
L
=
50 pF的
8路输出开关
(注12 )
最大
t
OSHL
(注14 )
t
OSLH
(注14 )
t
PS
(注15 )
t
OST
(注14 )
t
PV
(注16 )
引脚到引脚歪斜, HL转换
引脚到引脚歪斜, LH转换
占空比, LH- HL倾斜
引脚到引脚歪斜, LH / HL转换
设备到设备斜LH / HL转换
1.0
1.0
1.4
1.5
2.0
T
A
= 40°C
to
+85°C
V
CC
=
4.5V至5.5V
C
L
=
250 pF的
8路输出开关
(注13 )
最大
1.5
1.5
3.5
3.9
4.0
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注12 :
本规范是保证,但未经测试。该限制适用于传输延迟为所有路径描述相位切换(即所有低到
HIGH , HIGH到LOW ,等等)
注13 :
本规范是保证,但未经测试。极限代表取代50 pF负载的传输延迟与250 pF负载电容
电容器中的标准AC负载。
注14 :
歪斜是指实际的传播延迟为同一装置的任何两个单独的输出之间的差的绝对值。
该规范适用于任何输出切换HIGH到LOW (T
OSHL
) ,低到高(叔
OSLH
) ,或者其任意组合切换低
-
to
-
高和/或高
-
to
-
低(T
OST
) 。本规范是保证,但未经测试。
注15 :
这说明在同一引脚低到高和高到低转换的延迟之间的差异。它在所有测量
输出在同一芯片上(驱动程序)中,最差(最大增量)数是保证规范。本规范是保证,但未经测试。
注16 :
对于一组给定的条件(即,温度和V的传播延迟变化
CC
)从设备到设备。本规范是保证,但不
测试。
电容
条件
符号
C
IN
C
OUT
(注17 )
参数
输入电容
输出电容
典型值
5
9
单位
pF
pF
V
CC
=
0V
V
CC
=
5.0V
(T
A
=
25°C)
注17 :
C
OUT
的测量是在频率f
=
每MIL -STD - 883B为1 MHz ,方法3012 。
5
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    电话:0755-82780082
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    -
    -
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