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74ABT245八路双向收发器与3态输出
2007年3月
74ABT245
八路双向收发器与3态输出
特点
双向非反相缓冲器
A和64毫安的B输出吸收能力,源
tm
概述
该ABT245包含八个非反相双向
与3态输出缓冲器和适用于巴士─
导向的应用。电流吸收能力64毫安
在A和B两个端口。发射/接收(T / R)
输入通过确定数据流的方向
双向收发器。发送(高电平有效),可
从A口与B口的数据;接收(低电平有效)
能够从B端口的数据到A端口。输出使能
投入,高时,禁止A和B端口通过plac-
荷兰国际集团他们在一个高阻态条件。
32毫安能力
保证输出偏斜
保证多路输出开关规格
输出切换为50pF的和250pF规定
负载
保证同步开关噪声水平和
动态阈值的表现
保证闭锁保护
高阻抗,整个过程无干扰总线负载
上电和断电周期
无损,热插入功能
禁用时间小于使能时间,以避免总线
订购信息
订单号
74ABT245CSC
74ABT245CSJ
74ABT245CMSA
74ABT245CMTC
74ABT245CMTCX_NL
(1)
M20B
M20D
MSA20
MTC20
MTC20
包装说明
20引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 013 ,
0.300"宽
20引脚小外形封装( SOP ) , EIAJ TYPE II , 5.3毫米宽
20引脚紧缩小型封装( SSOP ) , JEDEC MO- 150 ,
5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装( TSSOP ) , JEDEC
MO- 153 , 4.4毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装( TSSOP ) , JEDEC
MO- 153 , 4.4毫米宽
也可在磁带和卷轴装置。通过附加后缀字母“X”在订购号指定。
根据JEDEC J- STD- 020B无铅封装。
注意:
1.设备只有磁带和卷轴可用。
1991仙童半导体公司
74ABT245版本1.4
www.fairchildsemi.com
74ABT245八路双向收发器与3态输出
接线图
逻辑符号
真值表
输入
OE
L
L
T / R
L
H
X
产量
总线B数据总线A
总线数据总线B
高Z状态
引脚说明
引脚名称
OE
T / R
A
0
–A
7
B
0
–B
7
H
描述
输出使能输入(低电平有效)
发送/接收输入
A侧输入或3态输出
B面输入或三态输出
H
=
高电压电平
L
=
低电压电平
X
=
非物质
逻辑图
1991仙童半导体公司
74ABT245版本1.4
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2
74ABT245八路双向收发器与3态输出
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件,并强调部分这些级别是不推荐的。
此外,过度暴露在高于推荐的工作条件下,会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
T
英镑
T
A
T
J
V
CC
V
IN
I
IN
V
O
储存温度
参数
在偏置环境温度
在偏置结温
V
CC
端子电位接地引脚
输入电压
(2)
输入电流
(2)
电压适用于任何输出
禁用或断电状态
高邦
在低态电流施加到输出
直流闭锁源电流
过电压闭锁( I / O)
等级
-65 ° C至+ 150°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 150°C
-0.5V至+ 7.0V
-0.5V至+ 7.0V
-30mA至+ 5.0毫安
-0.5V至5.5V
-0.5V到V
CC
额定我两次
OL
(MA )
–500mA
10V
注意:
2.无论是电压限制或限流足以保护的投入。
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定,以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计,以绝对最大额定值。
符号
T
A
V
CC
V /
t
电源电压
最小输入边沿速率
数据输入
使能输入
参数
自由空气环境温度
等级
-40 ° C至+ 85°C
+ 4.5V至+ 5.5V
50mV/ns
20mV/ns
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3
74ABT245八路双向收发器与3态输出
DC电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
CD
V
OH
V
OL
I
IH
I
英属维尔京群岛
I
BVIT
I
IL
V
ID
参数
输入高电压
输入低电压
输入钳位二极管电压
输出高电压
输出低电压
输入高电流
输入大电流击穿
TEST
输入大电流击穿
测试( I / O)
输入低电平电流
输入漏电流测试
V
CC
条件
公认的高信号
公认的低信号
分钟。
2.0
典型值。
马克斯。
0.8
–1.2
单位
V
V
V
V
分钟。
分钟。
分钟。
分钟。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
0.0
0–5.5V
0–5.5V
马克斯。
马克斯。
0.0
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
I
IN
=
-18毫安( OE , T / R)
I
OH
=
-3毫安(A
n
, B
n
)
I
OH
=
-32毫安(A
n
, B
n
)
I
OL
=
64毫安(A
n
, B
n
)
V
IN
=
2.7V ( OE , T / R)
V
IN
=
V
CC
( OE , T / R)
V
IN
=
7.0V ( OE , T / R)
V
IN
=
5.5V (A
n
, B
n
)
V
IN
=
0.5V ( OE , T / R)
V
IN
=
0.0V ( OE , T / R)
I
ID
=
1.9 μA ( OE , T / R ) ,
所有其他引脚接地
V
OUT
=
2.7V (A
n
, B
n
),
OE
=
2.0V
V
OUT
=
0.5V (A
n
, B
n
),
OE
=
2.0V
V
OUT
=
0.0V (A
n
, B
n
)
V
OUT
=
V
CC
(A
n
, B
n
)
V
OUT
=
5.5V (A
n
, B
n
),
所有其他GND
所有输出高
所有输出低
OE
=
V
CC
, T / R
=
GND或
V
CC
,其他GND或V
CC
V
I
=
V
CC
– 2.1V
OE , T / R V
I
=
V
CC
– 2.1V
数据输入V
I
=
V
CC
– 2.1V,
所有其他在V
CC
或GND 。
–100
4.75
2.5
2.0
0.55
1
1
7
100
–1
–1
V
A
A
A
A
V
I
IH
+ I
OZH
输出漏电流
I
IL
+ I
OZL
输出漏电流
I
OS
I
CEX
I
ZZ
I
CCH
I
CCL
I
CCZ
I
CCT
输出短路电流
输出高泄漏电流
公交排水试验
电源电流
电源电流
电源电流
另外
I
CC
/输入
输出启用
输出三态
输出三态
I
CCD
我的动态
CC
空载
10
–10
–275
50
100
50
30
50
2.5
2.5
50
0.1
A
A
mA
A
A
A
mA
A
mA
mA
A
毫安/
兆赫
马克斯。
输出打开, OE
=
GND ,
T / R
=
GND或V
CC
,
一号位切换,
占空比为50%
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74ABT245版本1.4
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74ABT245八路双向收发器与3态输出
DC电气特性
SOIC封装。
符号
V
OLP
V
OLV
V
OHV
V
IHD
V
ILD
参数
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态
输出电压
最低高层动态输入
电压
最大低电平输入动态
电压
V
CC
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
条件
C
L
=
50 pF的,
R
L
=
500
T
A
=
25°C
(3)
T
A
=
25°C
(3)
T
A
=
25°C
(5)
T
A
=
25°C
(4)
T
A
=
25°C
(4)
分钟。
–1.3
2.7
2.0
典型值。
0.7
–1.0
3.1
1.7
0.9
马克斯。
1.0
单位
V
V
V
V
0.6
V
注意事项:
定义为( n)的输出3.最大数量。 n-1个数据输入驱动0V至3V 。一个输出为低电平。保证,但不
测试。
数据输入( N)开关4.最大数量。 n-1个开关量输入0V至3V 。输入被测开关: 3V阈值
(V
ILD
) , 0V到阈值(Ⅴ
IHD
) 。保证,但未经测试。
定义为( n)的输出5.最大数量。 N - 1的数据输入驱动0V至3V 。一个输出高电平。保证,但不
测试。
AC电气特性
SOIC和SSOP封装。
T
A
=
+25°C,
V
CC
=
+5V,
C
L
=
50pF
符号
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
输出禁止时间
T
A
=
-55 ° C至+ 125°C ,
V
CC
=
4.5V至5.5V ,
C
L
=
50pF
分钟。
1.0
1.0
1.0
2.0
1.7
1.7
T
A
=
-40 ° C至+ 85°C ,
V
CC
=
4.5V至5.5V ,
C
L
=
50pF
分钟。
1.0
1.0
1.5
1.5
1.0
1.0
参数
传播延迟,
数据输出
输出使能时间
分钟。
1.0
1.0
1.5
1.5
1.0
1.0
典型值。
2.1
2.4
3.2
3.7
3.6
3.3
马克斯。
3.6
3.6
6.0
6.0
6.1
5.6
马克斯。
4.8
4.8
6.7
7.5
7.4
6.5
马克斯。
3.6
3.6
6.0
6.0
6.1
5.6
单位
ns
ns
ns
1991仙童半导体公司
74ABT245版本1.4
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74ABT245八路双向收发器与3态输出
1991年9月
修订后的1999年11月
74ABT245
八路双向收发器与3态输出
概述
该ABT245包含八个非反相双向缓冲的
与三态输出器和适用于面向总线的
应用程序。电流吸收能力为64毫安两个
A和B端口。发射/接收(T / R)输入阻止 -
地雷数据的方向流动通过双向
收发器。发送(高电平有效)允许数据从A
端口B端口;接收(低电平有效)允许数据从
B端口到端口。输出使能输入,高电平时,
通过将其放置在一个高阻态禁止A和B端口
条件。
特点
s
双向非反相缓冲器
s
一个64毫安B输出吸收能力,源
的32毫安能力
s
保证输出偏斜
s
保证多路输出开关规格
s
输出开关为50 pF和250 pF的规定
负载
s
保证同步开关噪声水平和
动态阈值的表现
s
保证闭锁保护
s
整个过程中高阻抗无干扰总线负载
上电和断电周期
s
无损热插入功能
s
禁用时间小于使能时间,以避免总线
订购代码:
订单号
74ABT245CSC
74ABT245CSJ
74ABT245CMSA
74ABT245CMTC
74ABT245CPC
包装数
M20B
M20D
MSA20
MTC20
N20A
包装说明
20引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 013 , 0.300 “宽体
20引脚小外形封装( SOP ) , EIAJ TYPE II , 5.3毫米宽
20引脚紧缩小型封装( SSOP ) , EIAJ TYPE II , 5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装( TSSOP ) , JEDEC MO- 153 , 4.4毫米宽
20引脚塑料双列直插式封装( PDIP ) , JEDEC MS- 001 , 0.300 “宽
也可在磁带和卷轴装置。通过附加后缀字母“X”的订货代码指定。
接线图
引脚说明
引脚名称
OE
T / R
A
0
–A
7
B
0
–B
7
描述
输出使能输入(低电平有效)
发送/接收输入
A侧输入或3态输出
B面输入或三态输出
1999仙童半导体公司
DS010945
www.fairchildsemi.com
74ABT245
逻辑符号
真值表
输入
OE
L
L
H
H
=
高电压电平
L
=
低电压电平
X
=
非物质
产量
T / R
L
H
X
总线B数据总线A
总线数据总线B
高Z状态
逻辑图
www.fairchildsemi.com
2
74ABT245
绝对最大额定值
(注1 )
储存温度
在偏置环境温度
在偏置结温
V
CC
端子电位接地引脚
输入电压(注2 )
输入电流(注2 )
电压适用于任何输出
在禁用或
电源关闭状态
在高国
目前适用于输出
在低状态(最大)
直流闭锁源电流
过电压闭锁( I / O)
额定我两次
OL
(MA )
500
mA
10V
0.5V
至5.5V
0.5V
到V
CC
65°C
to
+150°C
55°C
to
+125°C
55°C
to
+150°C
0.5V
to
+7.0V
0.5V
to
+7.0V
30
mA至
+5.0
mA
推荐工作
条件
自由空气环境温度
电源电压
最小输入边沿速率( ΔV / ΔT)
数据输入
使能输入
50毫伏/纳秒
20毫伏/纳秒
40°C
to
+85°C
+4.5V
to
+5.5V
注1 :
绝对最大额定值是值超出该设备
可能被损坏或有其使用寿命降低。功能操作
在这些条件下,是不是暗示。
注2 :
无论是电压限制或限流足以保护的投入
DC电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
CD
V
OH
V
OL
I
IH
参数
输入高电压
输入低电压
输入钳位二极管电压
输出高电压
输出低电压
输入高电流
2.5
2.0
0.55
1
1
I
英属维尔京群岛
I
BVIT
I
IL
输入大电流击穿测试
输入大电流击穿测试( I / O)
输入低电平电流
7
100
1
1
V
ID
I
IH
+
I
OZH
I
IL
+
I
OZL
I
OS
I
CEX
I
ZZ
I
CCH
I
CCL
I
CCZ
I
CCT
输入漏电流测试
4.75
2.0
0.8
1.2
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
V
最大
最大
最大
最大
0.0
V
CC
条件
公认的高信号
公认的低信号
I
IN
= 18
MA( OE , T / R)
I
OH
= 3
毫安(A
n
, B
n
)
I
OH
= 32
毫安(A
n
, B
n
)
I
OL
=
64毫安(A
n
, B
n
)
V
IN
=
2.7V ( OE , T / R)
V
IN
=
V
CC
( OE , T / R)
V
IN
=
7.0V ( OE , T / R)
V
IN
=
5.5V (A
n
, B
n
)
V
IN
=
0.5V ( OE , T / R)
V
IN
=
0.0V ( OE , T / R)
I
ID
=
1.9
A
( OE , T / R)
所有其他引脚接地
输出漏电流
输出漏电流
输出短路电流
输出高泄漏电流
公交排水试验
电源电流
电源电流
电源电流
100
10
10
275
50
100
50
30
50
A
A
mA
A
A
A
mA
A
mA
mA
A
毫安/
兆赫
最大
0
5.5V V
OUT
=
2.7V (A
n
, B
n
) ; OE
=
2.0V
0
5.5V V
OUT
=
0.5V (A
n
, B
n
) ; OE
=
2.0V
最大
最大
0.0
最大
最大
最大
V
OUT
=
0.0V (A
n
, B
n
)
V
OUT
=
V
CC
(A
n
, B
n
)
V
OUT
=
5.5V (A
n
, B
n
);
所有其他GND
所有输出高
所有输出低
OE
=
V
CC
, T / R
=
GND或V
CC
;
所有其他GND或V
CC
另外
I
CC
/输入
输出启用
输出三态
输出三态
I
CCD
我的动态
CC
空载
2.5
2.5
50
0.1
V
I
=
V
CC
2.1V
OE , T / R V
I
=
V
CC
2.1V
数据输入V
I
=
V
CC
2.1V
所有其他在V
CC
或GND 。
最大
输出打开
OE
=
GND , T / R
=
GND或V
CC
一号位切换,占空比为50%
3
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74ABT245
DC电气特性
( SOIC封装)
符号
V
OLP
V
OLV
V
OHV
V
IHD
V
ILD
参数
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输出电压
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
1.3
2.7
2.0
典型值
0.7
1.0
3.1
1.7
0.9
0.6
最大
1.0
单位
V
V
V
V
V
V
CC
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
条件
C
L
=
为50 pF ,R
L
=
500
T
A
=
25 ° C(注3 )
T
A
=
25 ° C(注3 )
T
A
=
25 ° C(注5 )
T
A
=
25 ° C(注4 )
T
A
=
25 ° C(注4 )
注3 :
定义为(n )输出最大数量。 n-1个数据输入驱动0V至3V 。一个输出为低电平。保证,但未经测试。
注4 :
数据输入( N)开关最大数量。 n-1个开关量输入0V至3V 。输入被测开关: 3V阈值(V
ILD
) , 0V到阈值(Ⅴ
IHD
).
保证,但未经测试。
注5 :
定义为(n )输出最大数量。
1数据输入驱动0V至3V 。一个输出高电平。保证,但未经测试。
AC电气特性
( SOIC和SSOP封装)
T
A
= +25°C
符号
参数
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
传播延迟
数据输出
OUTPUT ENABLE
时间
输出禁用
时间
1.0
1.0
1.5
1.5
1.0
1.0
V
CC
= +5V
C
L
=
50 pF的
典型值
2.1
2.4
3.2
3.7
3.6
3.3
最大
3.6
3.6
6.0
6.0
6.1
5.6
T
A
= 55°C
to
+125°C
V
CC
=
4.5V–5.5V
C
L
=
50 pF的
1.0
1.0
1.0
2.0
1.7
1.7
最大
4.8
4.8
6.7
7.5
7.4
6.5
T
A
= 40°C
to
+85°C
V
CC
=
4.5V–5.5V
C
L
=
50 pF的
1.0
1.0
1.5
1.5
1.0
1.0
最大
3.6
3.6
6.0
6.0
6.1
5.6
ns
ns
ns
单位
扩展交流电气特性
( SOIC封装)
40°C
to
+85°C
V
CC
=
4.5V–5.5V
符号
参数
C
L
=
50 pF的
8路输出开关
(注6 )
f
切换
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
输出禁止时间
最大切换频率
传播延迟
数据输出
输出使能时间
1.5
1.5
1.5
1.5
1.0
1.0
典型值
100
5.0
5.0
6.5
6.5
6.5
5.6
1.5
1.5
2.5
2.5
(注9 )
6.0
6.0
7.5
7.5
2.5
2.5
2.5
2.5
(注9 )
8.5
8.5
9.5
11.0
最大
T
A
= 40°C
to
+85°C
V
CC
=
4.5V–5.5V
C
L
=
250 pF的
1输出开关
(注7 )
最大
T
A
= 40°C
to
+85°C
V
CC
=
4.5V–5.5V
C
L
=
250 pF的
8路输出开关
(注8)
最大
兆赫
ns
ns
ns
单位
注6 :
本规范是保证,但未经测试。该限制适用于传输延迟为所有路径切换描述相
(即,所有低到高,高到低,等等) 。
注7 :
本规范是保证,但未经测试。极限代表取代50 pF负载capac-的传播延迟为250 pF负载电容
itors在标准的AC负载。本规范适用于单路输出开关而已。
注8 :
本规范是保证,但未经测试。这些限制代表的传播延迟为所有路径切换描述相
(即,所有低到高,高到低,等)代替了标准的交流负载的50 pF负载电容250 pF负载电容。
注9 :
三态延迟通过对输出端的RC网络( 500Ω , 250 pF)的主导和被排斥的数据表。
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4
74ABT245
SKEW
( SOIC封装)
T
A
= 40°C
to
+85°C
V
CC
=
4.5V–5.5V
符号
参数
C
L
=
50 pF的
8路输出开关
(注12 )
最大
t
OSHL
(注10 )
t
OSLH
(注10 )
t
PS
(注14 )
t
OST
(注10 )
t
PV
(注11 )
引脚到引脚歪斜
HL转换
引脚到引脚歪斜
LH转换
占空比
LH- HL倾斜
引脚到引脚歪斜
LH / HL转换
设备到设备斜
LH / HL转换
1.3
1.0
2.0
2.0
2.0
T
A
= 40°C
to
+85°C
V
CC
=
4.5V–5.5V
C
L
=
250 pF的
8路输出开关
(注13 )
最大
2.3
1.8
3.5
3.5
3.5
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注10 :
歪斜是指实际的传播延迟为同一装置的任何两个单独的输出之间的差的绝对值。
该规范适用于任何输出切换HIGH到LOW (T
OSHL
) ,低
-
to
-
HIGH (T
OSLH
) ,或者其任意组合切换低
-
to
-
高和/或
-
to
-
低(T
OST
) 。该规范是保证,但未经测试。
注11 :
对于一组给定的条件(即,温度和V的传播延迟变化
CC
)从设备到设备。本规范是保证,但不
测试。
注12 :
本规范是保证,但未经测试。该限制适用于传输延迟为所有路径切换描述相
(即,所有低到高,高到低,等等)
注13 :
保证这些规范,但未经测试。极限代表取代50 pF负载的传输延迟与250 pF负载电容
电容器中的标准AC负载。
注14 :
这说明在同一引脚低到高和高到低转换的延迟之间的差异。它在所有测量
输出在同一芯片上(驱动程序)中,最差(最大增量)数是保证规范。本规范是保证,但未经测试。
电容
条件
符号
C
IN
C
I / O
(注15 )
参数
输入电容
I / O容量
典型值
5.0
11.0
单位
pF
pF
T
A
=
25°C
V
CC
=
0V ( OE , T / R)
V
CC
=
5.0V (A
n
, B
n
)
注15 :
C
I / O
的测量是在频率f
=
1 MHz时,每MIL -STD -883方法3012 。
5
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74ABT245八路双向收发器与3态输出
1991年9月
修订后的2005年3月
74ABT245
八路双向收发器与3态输出
概述
该ABT245包含八个非反相双向缓冲的
与三态输出器和适用于面向总线的
应用程序。电流吸收能力为64毫安两个
A和B端口。发射/接收(T / R)输入阻止 -
地雷数据的方向流动通过双向
收发器。发送(高电平有效)允许数据从A
端口B端口;接收(低电平有效)允许数据从
B端口到端口。输出使能输入,高电平时,
通过将其放置在一个高阻态禁止A和B端口
条件。
特点
s
双向非反相缓冲器
s
一个64毫安B输出吸收能力,源
的32毫安能力
s
保证输出偏斜
s
保证多路输出开关规格
s
输出开关为50 pF和250 pF的规定
负载
s
保证同步开关噪声水平和
动态阈值的表现
s
保证闭锁保护
s
整个过程中高阻抗无干扰总线负载
上电和断电周期
s
无损热插入功能
s
禁用时间小于使能时间,以避免总线
订购代码:
订单号
74ABT245CSC
74ABT245CSJ
74ABT245CMSA
74ABT245CMTC
74ABT245CMTCX_NL
(注1 )
74ABT245CPC
M20B
M20D
MSA20
MTC20
MTC20
N20A
包装说明
20引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 013 , 0.300"宽
无铅20引脚小外形封装( SOP ) , EIAJ TYPE II , 5.3毫米宽
20引脚紧缩小型封装( SSOP ) , JEDEC MO- 150 , 5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装( TSSOP ) , JEDEC MO- 153 , 4.4毫米宽
无铅20引脚超薄紧缩小型封装( TSSOP ) , JEDEC MO- 153 , 4.4毫米
WIDE
20引脚塑料双列直插式封装( PDIP ) , JEDEC MS- 001 , 0.300"宽
也可在磁带和卷轴装置。通过附加后缀字母“X”的订货代码指定。
根据JEDEC J- STD- 020B无铅封装。
注1 :
“ _NL ”表示无铅封装(每JEDEC J- STD- 020B ) 。设备只在磁带和卷轴可用。
2005仙童半导体公司
DS010945
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74ABT245
接线图
逻辑符号
引脚说明
引脚名称
OE
T / R
A
0
–A
7
B
0
–B
7
描述
输出使能输入(低电平有效)
发送/接收输入
A侧输入或3态输出
B面输入或三态输出
真值表
输入
OE
L
L
H
H亮电压电平
l低电压电平
X无形
产量
T / R
L
H
X
总线B数据总线A
总线数据总线B
高Z状态
逻辑图
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2
74ABT245
绝对最大额定值
(注2 )
储存温度
在偏置环境温度
在偏置结温
V
CC
端子电位接地引脚
输入电压(注3)
输入电流(注3)
电压适用于任何输出
在禁用或
电源关闭状态
在高国
目前适用于输出
在低状态(最大)
直流闭锁源电流
过电压闭锁( I / O)
额定我两次
OL
(MA )

65
q
C到

150
q
C

55
q
C到

125
q
C

55
q
C到

150
q
C

0.5V至

7.0V

0.5V至

7.0V

30毫安到

5.0毫安
推荐工作
条件
自由空气环境温度
电源电压
最小输入边沿速率(
'
V/
'
t)
数据输入
使能输入
50毫伏/纳秒
20毫伏/纳秒

40
q
C到

85
q
C

4.5V至

5.5V

0.5V至5.5V

0.5V至V
CC
注2 :
绝对最大额定值是值超出该设备
可能被损坏或有其使用寿命降低。功能操作
在这些条件下,是不是暗示。
注3 :
无论是电压限制或限流足以保护的投入

500毫安
10V
DC电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
CD
V
OH
V
OL
I
IH
参数
输入高电压
输入低电压
输入钳位二极管电压
输出高电压
输出低电压
输入高电流
2.5
2.0
0.55
1
1
I
英属维尔京群岛
I
BVIT
I
IL
输入大电流击穿测试
输入大电流击穿测试( I / O)
输入低电平电流
7
100
2.0
0.8
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
V
最大
最大
最大
最大
0.0
V
CC
条件
公认的高信号
公认的低信号
I
IN
I
OH
I
OH
I
OL
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
I
ID

1.2

18毫安( OE , T / R)

3毫安(A
n
, B
n
)

32毫安(A
n
, B
n
)
64毫安(A
n
, B
n
)
2.7V ( OE , T / R)
V
CC
( OE , T / R)
7.0V ( OE , T / R)
5.5V (A
n
, B
n
)
0.5V ( OE , T / R)
0.0V ( OE , T / R)
1.9
P
A( OE , T / R)
P
A
P
A
P
A
P
A
V

1

1
4.75
V
ID
I
IH

I
OZH
I
IL

I
OZL
I
OS
I
CEX
I
ZZ
I
CCH
I
CCL
I
CCZ
I
CCT
输入漏电流测试
所有其他引脚接地
输出漏电流
输出漏电流
输出短路电流
输出高泄漏电流
公交排水试验
电源电流
电源电流
电源电流
另外
I
CC
/输入
输出启用
输出三态
输出三态
I
CCD
我的动态
CC
空载
10
P
A
P
A
mA
0

5.5V V
OUT
0

5.5V V
OUT
最大
最大
0.0
最大
最大
最大
V
OUT
V
OUT
V
OUT
2.7V (A
n
, B
n
) ; OE
0.5V (A
n
, B
n
) ; OE
0.0V (A
n
, B
n
)
V
CC
(A
n
, B
n
)
5.5V (A
n
, B
n
);
2.0V
2.0V

10

100

275
50
100
50
30
50
2.5
2.5
50
0.1
P
A
P
A
P
A
mA
所有其他GND
所有输出高
所有输出低
OE
V
I
最大
V
CC
, T / R
V
CC

2.1V
V
CC

2.1V
V
CC

2.1V
GND或V
CC
;
P
A
mA
mA
所有其他GND或V
CC
OE , T / R V
I
数据输入V
I
输出打开
OE
GND , T / R
GND或V
CC
一号位切换,占空比为50%
P
A
毫安/
兆赫
所有其他在V
CC
或GND 。
最大
3
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74ABT245
DC电气特性
( SOIC封装)
符号
V
OLP
V
OLV
V
OHV
V
IHD
V
ILD
参数
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输出电压
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
典型值
0.7
最大
1.0
单位
V
V
V
V
0.6
V
V
CC
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
T
A
T
A
T
A
T
A
T
A
条件
C
L
为50 pF ,R
L
500
:
25
q
C(注4 )
25
q
C(注4 )
25
q
C(注6 )
25
q
C(注5 )
25
q
C(注5 )

1.3
2.7
2.0

1.0
3.1
1.7
0.9
注4 :
定义为(n )输出最大数量。 n-1个数据输入驱动0V至3V 。一个输出为低电平。保证,但未经测试。
注5 :
数据输入( N)开关最大数量。 n-1个开关量输入0V至3V 。输入被测开关: 3V阈值(V
ILD
) , 0V到阈值(Ⅴ
IHD
).
保证,但未经测试。
注6 :
定义为(n )输出最大数量。

1数据输入驱动0V至3V 。一个输出高电平。保证,但未经测试。
AC电气特性
( SOIC和SSOP封装)
T
A
符号
参数
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
传播延迟
数据输出
OUTPUT ENABLE
时间
输出禁用
时间
1.0
1.0
1.5
1.5
1.0
1.0
V
CC
C
L

25
q
C

5V
50 pF的
典型值
2.1
2.4
3.2
3.7
3.6
3.3
最大
3.6
3.6
6.0
6.0
6.1
5.6
T
A

55
q
C到

125
q
C
V
CC
C
L
1.0
1.0
1.0
2.0
1.7
1.7
4.5V–5.5V
50 pF的
最大
4.8
4.8
6.7
7.5
7.4
6.5
T
A

40
q
C到

85
q
C
4.5V–5.5V
50 pF的
最大
3.6
3.6
6.0
6.0
6.1
5.6
ns
ns
ns
单位
C
L
V
CC
1.0
1.0
1.5
1.5
1.0
1.0
扩展交流电气特性
( SOIC封装)

40
q
C到

85
q
C
V
CC
符号
参数
C
L
4.5V–5.5V
50 pF的
T
A

40
q
C到

85
q
C
4.5V–5.5V
250 pF的
C
L
T
A

40
q
C到

85
q
C
4.5V–5.5V
250 pF的
单位
C
L
V
CC
V
CC
8路输出开关
(注7 )
f
切换
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
输出禁止时间
最大切换频率
传播延迟
数据输出
输出使能时间
1.5
1.5
1.5
1.5
1.0
1.0
典型值
100
5.0
5.0
6.5
6.5
6.5
5.6
最大
1输出开关
(注8)
1.5
1.5
2.5
2.5
(注10 )
最大
6.0
6.0
7.5
7.5
8路输出开关
(注9 )
2.5
2.5
2.5
2.5
最大
兆赫
8.5
8.5
9.5
11.0
(注10 )
ns
ns
ns
注7 :
本规范是保证,但未经测试。该限制适用于传输延迟为所有路径切换描述相
(即,所有低到高,高到低,等等) 。
注8 :
本规范是保证,但未经测试。极限代表取代50 pF负载capac-的传播延迟为250 pF负载电容
itors在标准的AC负载。本规范适用于单路输出开关而已。
注9 :
本规范是保证,但未经测试。这些限制代表的传播延迟为所有路径切换描述相
(即,所有低到高,高到低,等)代替了标准的交流负载的50 pF负载电容250 pF负载电容。
注10 :
三态延迟是由RC网络为主( 500
:
, 250 pF)的输出端或已被排除在数据表。
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4
74ABT245
SKEW
( SOIC封装)
T
A

40
q
C到

85
q
C
4.5V–5.5V
50 pF的
C
L
T
A

40
q
C到

85
q
C
4.5V–5.5V
250 pF的
单位
C
L
V
CC
符号
参数
V
CC
8路输出开关
(注13 )
最大
t
OSHL
(注11 )
t
OSLH
(注11 )
t
PS
(注15 )
t
OST
(注11 )
t
PV
(注12 )
引脚到引脚歪斜
HL转换
引脚到引脚歪斜
LH转换
占空比
LH- HL倾斜
引脚到引脚歪斜
LH / HL转换
设备到设备斜
LH / HL转换
1.3
1.0
2.0
2.0
2.0
8路输出开关
(注14 )
最大
2.3
1.8
3.5
3.5
3.5
ns
ns
ns
ns
ns
注11 :
歪斜是指实际的传播延迟为同一装置的任何两个单独的输出之间的差的绝对值。该
规范适用于任何输出切换HIGH到LOW (T
OSHL
) ,低到高(叔
OSLH
) ,或者其任意组合开关低到高的和/或
HIGH到LOW (T
OST
) 。该规范是保证,但未经测试。
注12 :
对于一组给定的条件(即,温度和V的传播延迟变化
CC
)从设备到设备。本规范是保证,但不
测试。
注13 :
本规范是保证,但未经测试。该限制适用于传输延迟为所有路径切换描述相
(即,所有低到高,高到低,等等)
注14 :
保证这些规范,但未经测试。极限代表取代50 pF负载的传输延迟与250 pF负载电容
电容器中的标准AC负载。
注15 :
这说明在同一引脚低到高和高到低转换的延迟之间的差异。它在所有测量
输出在同一芯片上(驱动程序)中,最差(最大增量)数是保证规范。本规范是保证,但未经测试。
电容
条件
符号
C
IN
C
I / O
(注16 )
参数
输入电容
I / O容量
典型值
5.0
11.0
1 MHz时,每MIL -STD -883方法3012 。
单位
pF
pF
V
CC
V
CC
T
A
0V ( OE , T / R)
5.0V (A
n
, B
n
)
25
q
C
注16 :
C
I / O
的测量是在频率f
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    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人:欧阳
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Fairchild
2002+
6809
TSSOP
原装自家库存,接受订货
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电话:0755-89697985
联系人:李
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onsemi
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20-TSSOP
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地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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11512
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