74ABT16543 16位寄存收发器与3态输出
1993年10月
修订后的1999年1月
74ABT16543
16位寄存收发器与3态输出
概述
该ABT16543 16位收发器包含两组D-端
型锁存器，用于使在数据的临时存储任
方向。独立的锁存使能和输出使能输入
提供给每个寄存器以允许独立CON-
输入和输出的数据的任一方向的控制
流动。每个字节都有单独的控制输入，它可以是
全16位操作短接在一起。
特点
s
背到背寄存器存储
s
双向数据路径
s
A和B输出具有32个电流源输出能力
mA和64个电流吸收能力毫安
s
每个字节单独的控制逻辑
s
16位版本的ABT543的
s
每个方向的数据溢流单独控制
s
保证闭锁保护
s
整个过程中高阻抗故障免费巴士装
上电和断电周期
s
无损热插入功能
订购代码：
订单号
74ABT16543CSSC
74ABT16543CMTD
包装数
MS56A
MTD56
包装说明
56引脚紧缩小型封装（ SSOP ） ， JEDEC MO- 118 ， 0.300 “宽
56引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 6.1毫米宽
可在磁带和卷轴设备也。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
接线图
引脚分配为SSOP和TSSOP
引脚说明
引脚名称
OEAB
n
OEBA
n
CEAB
n
CEBA
n
LEAB
n
LEBA
n
A
0
–A
15
描述
A到B输出使能输入（低电平有效）
B对A输出使能输入（低电平有效）
A到B使能输入（低电平有效）
B对A使能输入（低电平有效）
A到B锁存使能输入（低电平有效）
B对A锁存使能输入（低电平有效）
A到B的数据输入或
B对A 3态输出
B
0
–B
15
B对A数据输入或
A到B 3态输出
1999仙童半导体公司
DS011646.prf
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74ABT16543
逻辑符号
数据I / O控制表
输入
CEAB
n
LEAB
n
OEAB
n
H
X
L
X
L
X
H
L
X
X
X
X
X
H
L
锁存状态输出缓冲器
（字节n ）
LATCHED
LATCHED
透明
—
—
（字节n ）
高Z
—
—
高Z
主动
H
=
高电压电平
L
=
低电压电平
X
=
非物质
如图A到B的数据流;
B对甲流的控制是一样的，但使用CEBA
n
， LEBA
n
和OEBA
n
功能说明
该ABT16543包含两组D型锁存器，具有
分开的输入和输出控制的每个。为数据流
从A到B ，例如A到B启用（ CEAB ）输入
必须为低电平，以便从A端口输入的数据或取
从B端口的数据作为数据I表示/ O控制
表。随着CEAB低，在低信号（ LEAB ）输入使
在A到B锁存透明;随后的由低到高
在LEAB线过渡提出了A锁存器中存储
模式和它们的输出端不再与A输入端发生变化。
与CEAB和OEAB都为低电平时， B输出缓冲器
积极反思A的输出数据目前
锁存器。从B数据流向的控制是相似的，但使用
在CEBA ， LEBA和OEBA 。每个字节都有独立的CON-
控制输入端，从而使该装置被用来作为两个8位
收发器或一个16位收发器。
逻辑图
字节1 （ 0 ： 7 ）
字节2 （ 8:15 ）
请注意，该图仅用于逻辑的理解提供
操作和不应该被用来估计的传播延迟。
请注意，该图仅用于逻辑的理解提供
操作和不应该被用来估计的传播延迟。
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2
74ABT16543
AC电气特性
T
A
= +25°C
符号
参数
民
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
传播延迟
A
n
到B
n
或B
n
到A
n
传播延迟
LEAB
n
到B
n
， LEBA
n
到A
n
启用时间
OEBA
n
或OEAB
n
到A
n
或B
n
禁止时间
OEAB
n
或OEBA
n
到A
n
或B
n
启用时间
CEBA
n
或CEAB
n
到A
n
或B
n
禁止时间
CEBA
n
或CEAB
n
到A
n
或B
n
1.7
3.2
6.3
1.7
6.3
ns
1.5
3.1
6.2
1.5
6.2
ns
1.6
3.1
6.0
1.6
6.0
ns
1.5
2.8
5.2
1.5
5.2
ns
1.5
3.0
5.5
1.5
5.5
ns
1.5
V
CC
= +5.0V
C
L
=
50 pF的
典型值
3.0
最大
5.7
1.5
T
A
= 55°C
to
+85°C
V
CC
=
4.5V–5.5V
C
L
=
50 pF的
民
最大
5.7
ns
单位
AC操作要求
（ SSOP封装）
T
A
= +25°C
符号
参数
V
CC
= +5.0V
C
L
=
50 pF的
民
t
S
(H)
t
S
(L)
t
H
(H)
t
H
(L)
t
W
(L)
建立时间，高或低
A
n
或B
n
到LEBA
n
或LEAB
n
保持时间，高或低
A
n
或B
n
到LEBA
n
或LEAB
n
脉冲宽度，低
2.0
2.0
1.0
1.0
3.0
最大
民
2.0
2.0
1.0
1.0
3.0
ns
ns
T
A
= 55°C
to
+85°C
V
CC
=
4.5V–5.5V
C
L
=
50 pF的
最大
ns
单位
电容
符号
C
IN
C
I / O
（注4 ）
参数
输入电容
输出电容
典型值
5.0
11.0
单位
pF
pF
条件
T
A
=
25°C
V
CC
=
0V （非I / O引脚）
V
CC
=
5.0V （A
n
, B
n
)
注4 ：
C
I / O
的测量是在频率f
=
1 MHz时，每MIL -STD -883方法3012 。
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