74ABT162244
有30个16位缓冲/线路驱动器
串联端接电阻器;
3-state
牧师04 - 2009年4月9日
产品数据表
1.概述
该74ABT162244高性能的双极CMOS （ BiCMOS工艺）设备结合了低
静态和动态功耗，高速和高输出驱动。
该74ABT162244是一个16位的缓冲区，非常适合驾驶的公交线路。该设备的特点
四个输出使能输入（ 10E， 2OE ， 3Oe时，如图40E所示） ，三态的每一个控制4
输出。
该74ABT162244设计30
在上部和下部的串联电阻
输出结构。这种设计减少了线路噪声在诸如存储器地址
驱动器，时钟驱动器和总线接收器/发射器。
2.特点
I
I
I
I
I
I
I
I
16位总线接口
多V
CC
和GND引脚最大限度地降低开关噪声
开机三态
三态缓冲器
输出能力： 12毫安和
32
mA
在线插拔许可
闭锁性能： JESD 78 II级
ESD保护：
N
MIL STD 883方法3015 ：超过2000 V
N
CDM JESD 22 - C101 - C超过1000 V
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74ABT162244DGG
74ABT162244DL
40 °C
+85
°C
40 °C
+85
°C
TSSOP48
SSOP48
描述
塑料薄小外形封装; 48线索;
体宽6.1毫米
VERSION
SOT362-1
类型编号
塑料小外形封装; 48线索;身体SOT370-1
宽度7.5毫米
恩智浦半导体
74ABT162244
有30个16位缓冲/线路驱动器
串联端接电阻器;三态
5.2引脚说明
表2中。
符号
1OE
1Y[0:3]
GND
V
CC
2Y[0:3]
GND
3Y[0:3]
GND
V
CC
4Y[0:3]
GND
4OE
3OE
GND
4A[0:3]
V
CC
GND
3A[0:3]
GND
2A[0:3]
V
CC
GND
1A[0:3]
2OE
引脚说明
针
1
2, 3, 5, 6
4
7
8, 9, 11, 12
10
15
18
21
24
25
28
31
34
39
42
45
48
描述
1输出使能（低电平有效）
1数据输出0 3输出
接地（ 0 V ）
电源电压
2数据输出0 3输出
接地（ 0 V ）
接地（ 0 V ）
电源电压
接地（ 0 V ）
4输出使能（低电平有效）
3输出使能（低电平有效）
接地（ 0 V ）
电源电压
接地（ 0 V ）
接地（ 0 V ）
电源电压
接地（ 0 V ）
2输出使能（低电平有效）
13，14， 16，17 3输出的数据0至3输出
19 ， 20 ， 22 ， 23 4数据输出0 3输出
30 ， 29 ， 27 ， 26 4的数据输入0输入3
36 ， 35 ， 33 ， 32 3数据输入0输入3
41 ， 40 ， 38 ， 37 2数据输入0输入3
47 ， 46 ， 44 ， 43 1数据输入0输入3
6.功能描述
表3中。
控制
诺埃
L
L
H
[1]
功能表
[1]
输入
NAX
L
H
X
产量
NYX
L
H
Z
H =高电压电平; L =低电压电平; X =不会在意; Z =高阻关断状态。
74ABT162244_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2009年4月9日
4 14
恩智浦半导体
74ABT162244
有30个16位缓冲/线路驱动器
串联端接电阻器;三态
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
T
j
T
英镑
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
结温
储存温度
条件
[1]
民
0.5
1.2
0.5
18
50
-
-
[2]
最大
+7.0
+7.0
+5.5
-
-
128
64
150
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
在关断状态或高输出状态
V
I
＆ LT ; 0 V
V
O
＆ LT ; 0 V
在低输出状态
在高输出状态
[1]
-
65
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
的高性能的性能能力的集成电路结合其热环境可以创建结
温度，这是不利于可靠性。
8.推荐工作条件
表5 。
工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
IH
V
IL
I
OH
I
OL
ΔT/ ΔV
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
输入过渡上升或下降速率
环境温度
在自由空气
条件
民
4.5
0
2.0
-
32
-
-
40
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
5.5
V
CC
-
0.8
-
12
10
+85
单位
V
V
V
V
mA
mA
NS / V
°C
74ABT162244_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2009年4月9日
5 14
飞利浦半导体
产品speci fi cation
用30Ω系列的16位缓冲器/线路驱动器
终端电阻（三态）
74ABT162244
74ABTH162244
特点
16位总线接口
多V
CC
和GND引脚最大限度地降低开关噪声
开机三态
三态缓冲器
输出能力： 12毫安/ -32mA
直播插入/拔出许可
闭锁保护超过每JEDEC标准17 500毫安
ESD保护超过每MIL STD 883方法3015 2000伏
每机型号200 V
引脚配置
1OE
1Y0
1Y1
GND
1Y2
1Y3
V
CC
2Y0
2Y1
GND
2Y2
2Y3
3Y0
3Y1
GND
3Y2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
2OE
1A0
1A1
GND
1A2
1A3
V
CC
2A0
2A1
GND
2A2
2A3
3A0
3A1
GND
3A2
3A3
V
CC
4A0
4A1
GND
4A2
4A3
3OE
相同的部分74ABT162244-1
74ABTH162244结合这消除了总线保持数据输入
总线保持数据输入，无需外部上拉
电阻持有未使用的输入
无需外部上拉电阻持有未使用的输入
描述
该74ABT162244高性能BiCMOS器件联合收割机
低的静态和动态功耗高速。
该74ABT162244装置是一个16位的缓冲区，是理想的驾驶
公交线路。该器件具有四个输出启用（ 10E， 2OE ，
3Oe时，如图40E所示） ，每个控制4的三态输出。
该74ABT162244设计有两个30Ω串联电阻
上部和下部输出结构。这种设计减少了线
在诸如存储器地址驱动器，时钟驱动器的噪声
和公交车的接收器/发射器。
该74ABT162244是一样的74ABT16244-1 。部分
号码已更改，以反映行业标准。
有两种选择， 74ABT162244不具备
总线保持功能，并集成了总线74ABTH162244
保持功能。
3Y4
V
CC
4Y0
4Y1
GND
4Y2
4Y3
4OE
SA00013
快速参考数据
符号
t
PLH
t
PHL
C
IN
C
OUT
I
CCZ
I
CCL
传播延迟
NAX以NYX
输入电容
输出电容
静态电源电流
参数
条件
T
AMB
= 25°C ; GND = 0V
C
L
= 50pF的; V
CC
= 5V
V
I
= 0V或V
CC
V
O
= 0V或V
CC
;三态
输出禁用; V
CC
= 5.5V
输出低电平; V
CC
= 5.5V
典型
1.8
3.2
3
7
500
10
单位
ns
pF
pF
A
mA
订购信息
套餐
48引脚塑封SSOP III型
48引脚塑料TSSOP II型
48引脚塑封SSOP III型
48引脚塑料TSSOP II型
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
北美以外的地区
74ABT162244 DL
74ABT162244 DGG
74ABTH162244 DL
74ABTH162244 DGG
北美
BT162244 DL
BT162244 DGG
BH162244 DL
BH162244 DGG
DWG号
SOT370-1
SOT362-1
SOT370-1
SOT362-1
1998年10月22日
2
853-1773 20224
飞利浦半导体
产品speci fi cation
用30Ω系列的16位缓冲器/线路驱动器
终端电阻（三态）
74ABT162244
74ABTH162244
绝对最大额定值
1, 2
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
OUT
I
O
OUT
T
英镑
直流电源电压
DC输入二极管电流
直流输入电压
3
DC输出二极管电流
直流输出电压
3
直流输出电流
高输出状态
存储温度范围
–64
-65到150
°C
V
O
＆ LT ; 0
在关闭或高输出状态
在低输出状态
V
I
＆ LT ; 0
参数
条件
等级
-0.5到+7.0
–18
-1.2到+7.0
–50
-0.5到+5.5
128
mA
单位
V
mA
V
mA
V
注意事项：
1.强调超越那些可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值只和功能操作
器件在这些或超出下标明的任何其他条件， “推荐工作条件”是不是暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
2.高性能集成电路的结合它的热环境可以创建结的性能能力
温度，这是不利于可靠性。该集成电路的最高结温度不应超过150 ℃。
3.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
推荐工作条件
范围
符号
V
CC
V
I
V
IH
V
IL
I
OH
I
OL
ΔT/ ΔV
T
AMB
直流电源电压
输入电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
输入过渡上升或下降速率
工作自由空气的温度范围内
0
–40
参数
民
4.5
0
2.0
0.8
–32
12
10
+85
最大
5.5
V
CC
V
V
V
V
mA
mA
NS / V
°C
单位
1998年10月22日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
用30Ω系列的16位缓冲器/线路驱动器
终端电阻（三态）
74ABT162244
74ABTH162244
DC电气特性
范围
符号
参数
测试条件
T
AMB
= +25°C
民
V
IK
输入钳位电压
V
CC
= 4.5V ;我
IK
= -18mA
V
CC
= 4.5V ;我
OH
= -3mA ; V
I
= V
IL
或V
IH
V
OH
高电平输出电压
3
V
CC
= 5V ;我
OH
= -3mA ; V
I
= V
IL
或V
IH
V
CC
= 4.5V ;我
OH
= -32mA ; V
I
= V
IL
或V
IH
V
O
OL
I
I
低电平
低电平输出电压
输入漏电流
V
CC
= 4.5V ;我
OL
= 8毫安; V
I
= V
IL
或V
IH
V
CC
= 4.5V ;我
OL
= 12毫安; V
I
= V
IL
或V
IH
V
CC
= 5.5V; V
I
= GND或5.5V
V
CC
= 5.5V; V
I
= V
CC
或GND
I
I
输入漏电流
在UT
74ABTH162244
V
CC
= 5.5V; V
I
= V
CC
V
CC
= 5.5V; V
I
= 0
H路巴士LD
B保持目前的A输入
4
T I
t
74ABTH162244
关机漏电流
上电/下三态
输出电流
三态输出大电流
三态输出低电平电流
输出高泄漏电流
输出电流
1
V
CC
= 4.5V; V
I
= 0.8V
V
CC
= 5.5V; V
I
= 2.0V
V
CC
= 5.5V; V
I
= 0至5.5V
I
关闭
I
PU / PD
I
OZH
I
OZL
I
CEX
I
O
I
CCH
I
CCL
I
CCZ
静态电源电流
3
V
CC
= 0.0V; V
O
或V
I
≤
4.5V
V
CC
= 2.0V; V
O
= 0.5V; V
I
= GND或V
CC
;
V
OE
= DO NOT CARE
V
CC
= 5.5V; V
O
= 5.5V; V
I
= V
IL
或V
IH
V
CC
= 5.5V; V
O
= 0.0V; V
I
= V
IL
或V
IH
V
CC
= 5.5V; V
O
= 5.5V; V
I
= GND或V
CC
V
CC
= 5.5V; V
O
= 2.5V
V
CC
= 5.5V ;输出高电平，V
I
= GND或V
CC
V
CC
= 5.5V ;输出低电平，V
I
= GND或V
CC
V
CC
= 5.5V ;输出三态;
V
I
= GND或V
CC
输出使能，一个数据输入在3.4V ，
其他输入在V
CC
或GND ; V
CC
= 5.5V
I
CC
每个额外的电源电流
在UT里
输入引脚
2, 3
禁止输出，一个数据输入在3.4V ，
其他输入在V
CC
或GND ; V
CC
= 5.5V
控制引脚，输出禁用， 1启用
输入在3.4V ，其他输入在V
CC
或GND ;
V
CC
= 5.5V
–50
50
–75
±500
±5.0
±5.0
0.1
–0.1
5.0
–100
0.50
10
0.50
100
100
±100
±50
10
–10
50
–180
1.0
19
1.0
250
250
–50
±100
±50
10
–10
50
–180
1.0
19
1.0
250
250
A
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
A
A
A
控制
引脚
数据引脚
–2.0
–3.0
50
–75
A
–5.0
±0.01
±0.01
0.01
2.5
3.0
2.0
典型值
–0.9
2.9
3.4
2.4
0.65
0.80
±1.0
±1.0
1.0
最大
–1.2
2.5
3.0
2.0
0.65
0.80
±1.0
±1.0
1.0
T
AMB
= –40°C
至+ 85°C
民
最大
–1.2
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
单位
I
HOLD
100
250
250
注意事项：
1.不超过一个输出应在同一时间进行测试，并在测试的持续时间应不超过一秒钟。
2.这是增加的电源电流为每个输入在3.4V 。
3.本表数据可能会限制供应商的不同而有所差异。
4.这是总线保持强制输入到相反的逻辑状态需要过驱动电流。
1998年10月22日
5
74ABT162244
有30个16位缓冲/线路驱动器
Ω
串联端接电阻器;
3-state
版本05 - 2010年5月25日
产品数据表
1.概述
该74ABT162244高性能的双极CMOS （ BiCMOS工艺）设备结合了低
静态和动态功耗，高速和高输出驱动。
该74ABT162244是一个16位的缓冲区，非常适合驾驶的公交线路。该设备的特点
四个输出使能输入（ 10E， 2OE ， 3Oe时，如图40E所示） ，三态的每一个控制4
输出。
该74ABT162244设计30
Ω
在上部和下部的串联电阻
输出结构。这种设计减少了线路噪声在诸如存储器地址
驱动器，时钟驱动器和总线接收器/发射器。
2.特点和好处科幻TS
16位总线接口
多V
CC
和GND引脚最大限度地降低开关噪声
开机三态
三态缓冲器
输出能力： 12毫安和
32
mA
在线插拔许可
闭锁性能： JESD 78 II级
ESD保护：
HBM JESD - A114E超过2000伏
CDM JESD 22 - C101 - C超过1000 V
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74ABT162244DGG
74ABT162244DL
40 °C
+85
°C
40 °C
+85
°C
名字
TSSOP48
SSOP48
描述
塑料薄小外形封装; 48线索;
体宽6.1毫米
VERSION
SOT362-1
类型编号
塑料小外形封装; 48线索;身体SOT370-1
宽度7.5毫米
恩智浦半导体
74ABT162244
有30个16位缓冲/线路驱动器
Ω
串联端接电阻器;三态
5.管脚信息
5.1钢钉
1OE
1Y0
1Y1
GND
1Y2
1Y3
V
CC
2Y0
2Y1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
48 2OE
47 1A0
46 1A1
45 GND
44 1A2
43 1A3
42 V
CC
41 2A0
40 2A1
39 GND
38 2A2
37 2A3
36 3A0
35 3A1
34 GND
33 3A2
32 3A3
31 V
CC
30 4A0
29 4A1
28 GND
27 4A2
26 4A3
25 3Oe时
001aaj890
GND 10
2Y2 11
2Y3 12
3Y0 13
3Y1 14
GND 15
3Y2 16
3Y3 17
V
CC
18
4Y0 19
4Y1 20
GND 21
4Y2 22
4Y3 23
如图40E 24
74ABT162244
图4 。
引脚配置
5.2引脚说明
表2中。
符号
1OE
1Y[0:3]
GND
V
CC
2Y[0:3]
GND
3Y[0:3]
GND
V
CC
4Y[0:3]
GND
4OE
74ABT162244
引脚说明
针
1
2, 3, 5, 6
4
7
8, 9, 11, 12
10
15
18
21
24
描述
1输出使能（低电平有效）
1数据输出0 3输出
接地（ 0 V ）
电源电压
2数据输出0 3输出
接地（ 0 V ）
接地（ 0 V ）
电源电压
接地（ 0 V ）
4输出使能（低电平有效）
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
13，14， 16，17 3输出的数据0至3输出
19 ， 20 ， 22 ， 23 4数据输出0 3输出
产品数据表
版本05 - 2010年5月25日
3 15
恩智浦半导体
74ABT162244
有30个16位缓冲/线路驱动器
Ω
串联端接电阻器;三态
表2中。
符号
3OE
GND
4A[0:3]
V
CC
GND
3A[0:3]
GND
2A[0:3]
V
CC
GND
1A[0:3]
2OE
引脚说明
- 续
针
25
28
31
34
39
42
45
48
描述
3输出使能（低电平有效）
接地（ 0 V ）
电源电压
接地（ 0 V ）
接地（ 0 V ）
电源电压
接地（ 0 V ）
2输出使能（低电平有效）
30 ， 29 ， 27 ， 26 4的数据输入0输入3
36 ， 35 ， 33 ， 32 3数据输入0输入3
41 ， 40 ， 38 ， 37 2数据输入0输入3
47 ， 46 ， 44 ， 43 1数据输入0输入3
74ABT162244
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产品数据表
版本05 - 2010年5月25日
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恩智浦半导体
74ABT162244
有30个16位缓冲/线路驱动器
Ω
串联端接电阻器;三态
6.功能描述
表3中。
控制
诺埃
L
L
H
[1]
功能表
[1]
输入
为NaN
L
H
X
产量
NYN
L
H
Z
H =高电压电平; L =低电压电平; X =不会在意; Z =高阻关断状态。
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
T
j
T
英镑
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
结温
储存温度
条件
[1]
民
0.5
1.2
0.5
18
50
-
-
[2]
最大
+7.0
+7.0
+5.5
-
-
128
64
150
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
在关断状态或高输出状态
V
I
＆ LT ; 0 V
V
O
＆ LT ; 0 V
在低输出状态
在高输出状态
[1]
-
65
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
的高性能的性能能力的集成电路结合其热环境可以创建结
温度，这是不利于可靠性。
8.推荐工作条件
表5 。
工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
IH
V
IL
I
OH
I
OL
ΔT/ ΔV
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
输入过渡上升和下降率
环境温度
在自由空气
条件
民
4.5
0
2.0
-
32
-
-
40
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
5.5
V
CC
-
0.8
-
12
10
+85
单位
V
V
V
V
mA
mA
NS / V
°C
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