【SPICE器件模型Si1404DHVishay Siliconix公司N通道25 -V （D -S 】,IC型号73120,73120 PDF资料,73120经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPICE器件模型Si1404DH

Vishay Siliconix公司

N通道25 -V （D -S ）的MOSFET

特征

N沟道垂直DMOS

宏模型（子电路模型）

3级MOS

同时申请线性和开关应用

在精确的

至125°C温度范围

模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复

特征

描述

所附的SPICE模型描述了典型的电

的n沟道垂直DMOS特性。子电路

模型中提取并优化过

至125℃

脉冲0 5V栅极驱动下的温度范围内工作。该

饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合

阈值电压。

一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟

同时避免收敛困难的栅极电荷特性

交换的C

模型。所有的模型参数值进行了优化

以提供最适合于所测量的电数据，并且不

目的是作为该装置的一个具体的物理解释。

子电路模型示意图

本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的

相同数量的保证规范限制的数据表。

文档编号： 73120

27-Aug-04

www.vishay.com

SPICE器件模型Si1404DH

Vishay Siliconix公司

规格（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

栅极阈值电压

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

符号

测试条件

模拟

数据

0.28

0.33

2.3

0.76

测

数据

单位

GS （ TH）

D（上）

DS （ ON）

= V

, I

= 250

= 5 V, V

= 4.5 V

= 4.5 V，I

= 1.57 A

= 2.5 V，I

= 1.39 A

= 15 V，I

= 0.75 A

= 1.23 ，V

= 0 V

0.28

0.36

1.5

0.85

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

D（上）

D（关闭）

= 15 V ，R

= 20

0.75 A，V

根

= 4.5 V ，R

= 6

= 15 V, V

= 4.5 V，I

= 1.57 A

0.31

0.49

1.3

0.31

0.49

笔记

一。脉冲测试;脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2%.

B 。通过设计保证，不受生产测试。

www.vishay.com

文档编号： 73120

27-Aug-04

SPICE器件模型Si1404DH

Vishay Siliconix公司

与实测数据模型的比较（T

= 25 ° C除非另有说明）

文档编号： 73120

27-Aug-04

www.vishay.com

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Vishay Siliconix公司

N通道25 -V （D -S ）的MOSFET

特征

N沟道垂直DMOS

宏模型（子电路模型）

3级MOS

同时申请线性和开关应用

在精确的

至125°C温度范围

模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复

特征

描述

所附的SPICE模型描述了典型的电

的n沟道垂直DMOS特性。子电路

模型中提取并优化过

至125℃

脉冲0 5V栅极驱动下的温度范围内工作。该

饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合

阈值电压。

一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟

同时避免收敛困难的栅极电荷特性

交换的C

模型。所有的模型参数值进行了优化

以提供最适合于所测量的电数据，并且不

目的是作为该装置的一个具体的物理解释。

子电路模型示意图

本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的

相同数量的保证规范限制的数据表。

文档编号： 73120

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规格（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

栅极阈值电压

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

符号

测试条件

模拟

数据

0.28

0.33

2.3

0.76

测

数据

单位

GS （ TH）

D（上）

DS （ ON）

= V

, I

= 250

= 5 V, V

= 4.5 V

= 4.5 V，I

= 1.57 A

= 2.5 V，I

= 1.39 A

= 15 V，I

= 0.75 A

= 1.23 ，V

= 0 V

0.28

0.36

1.5

0.85

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

D（上）

D（关闭）

= 15 V ，R

= 20

0.75 A，V

根

= 4.5 V ，R

= 6

= 15 V, V

= 4.5 V，I

= 1.57 A

0.31

0.49

1.3

0.31

0.49

笔记

一。脉冲测试;脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2%.

B 。通过设计保证，不受生产测试。

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与实测数据模型的比较（T

= 25 ° C除非另有说明）

文档编号： 73120

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Vishay Siliconix公司

N通道25 -V （D -S ）的MOSFET

特征

N沟道垂直DMOS

宏模型（子电路模型）

3级MOS

同时申请线性和开关应用

在精确的

至125°C温度范围

模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复

特征

描述

所附的SPICE模型描述了典型的电

的n沟道垂直DMOS特性。子电路

模型中提取并优化过

至125℃

脉冲0 5V栅极驱动下的温度范围内工作。该

饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合

阈值电压。

一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟

同时避免收敛困难的栅极电荷特性

交换的C

模型。所有的模型参数值进行了优化

以提供最适合于所测量的电数据，并且不

目的是作为该装置的一个具体的物理解释。

子电路模型示意图

本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的

相同数量的保证规范限制的数据表。

文档编号： 73120

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规格（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

栅极阈值电压

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

符号

测试条件

模拟

数据

0.28

0.33

2.3

0.76

测

数据

单位

GS （ TH）

D（上）

DS （ ON）

= V

, I

= 250

= 5 V, V

= 4.5 V

= 4.5 V，I

= 1.57 A

= 2.5 V，I

= 1.39 A

= 15 V，I

= 0.75 A

= 1.23 ，V

= 0 V

0.28

0.36

1.5

0.85

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

D（上）

D（关闭）

= 15 V ，R

= 20

0.75 A，V

根

= 4.5 V ，R

= 6

= 15 V, V

= 4.5 V，I

= 1.57 A

0.31

0.49

1.3

0.31

0.49

笔记

一。脉冲测试;脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2%.

B 。通过设计保证，不受生产测试。

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27-Aug-04

SPICE器件模型Si1404DH

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与实测数据模型的比较（T

= 25 ° C除非另有说明）

文档编号： 73120

27-Aug-04