高速外延CMOS （ 16K ×9位）
并行FIFO
I
7206F
7206F
逻辑图
内存
F
EATURES
:
16K ×9位组织
R
AD
-P
AK
抗辐射对自然空间辐射
化
总剂量硬度：
- > 100拉德（SI ） ，根据航天任务
卓越的单粒子效应
- SEL
TH
： > 100兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU
TH
：= 7兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU饱和截面： 1.5E - 5厘米
2
/位
异步读/写操作
高速CMOS外延技术
重传功能
传播时间（最大存取时间） ：
- 为15ns ， 20ns的， 30纳秒， 40纳秒， 50纳秒
状态标志：空，半满，全
在这两个词的深度和宽度完全可扩展
双向应用
低功耗
电池备份操作
TTL兼容
封装：28引脚
AD
-P
AK
扁平封装
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 7206F高速FIFO微电路
拥有超过100拉德（ Si）的总剂量耐受性，
根据太空任务。它的组织，使得
数据被读出，在相同的顺序，这是书面。
提供满和空标志，以防止溢出和
下溢。扩展逻辑可以无限扩展
能力工作的大小和深度，没有时间的惩罚。双胞胎
地址指针自动生成内部读写
写地址，并自动递增的写
和读引脚。在7206F 9位宽的数据在数据被用于
通信应用中的奇偶校验位用于错误
检查是必要的。重发功能允许
读指针被复位到其初始位置，而不会影响
写指针。
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽，同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上，R
AD
-P
AK
提供大于100
拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选来上课S.
1000572
01年12月19日修订版3
所有数据表如有变更，恕不另行通知
1
（ 858 ） 503-3300-传真： （ 858 ） 503-3301- www.maxwell.com
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版权所有。
高速外延CMOS （ 16K ×9位）并行FIFO
T
ABLE
1. 7206F P
INOUT
D
ESCRIPTION
P
IN
1
2-6
7
8
9 - 13
14
15
16 - 19
20
21
22
23
24 - 27
28
S
YMBOL
W
I8, I3-I0
XI
写使能
输入
扩张
满标志
输出
地
读使能
输出
扩展输出/半满标志
空标志
RESET
首先加载/重发
输入
电源
D
ESCRIPTION
7206F
FF
Q0 - Q3, Q8
GND
R
Q4 - Q7
XO / HF
EF
RS
FL / RT
I7 - I4
V
CC
内存
T
ABLE
2. 7206F一
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
P
ARAMETER
正电源电压
输入或输出电压
存储温度范围
工作温度范围
S
YMBOL
V
CC
V
IN
T
S
T
A
M
IN
-0.3
GND -0.3
-65
-55
M
AX
7.0
V
CC
+0.3
150
125
U
NIT
V
V
°
C
°
C
T
ABLE
3. 7206F
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
P
ARAMETER
正电源电压
高电平输入电压
低电平电压
热阻抗
工作温度范围
S
YMBOL
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
M
IN
4.5
2.2
--
--
-55
M
AX
5.5
--
0.8
0.93
125
U
NIT
V
V
V
° C / W
°
C
Θ
JC
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T
ABLE
4. 7206F直流ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125 °C
除非另有说明
)
P
ARAMETER
工作电源电流
-15
-20
-30
-40
-50
待机电源电流（ R = W = RS = FLVRT = V
IH
)
掉电电流（所有输入= V
CC
)
输入漏电流（ 0.4V < V
IN
＆ LT ; V
CC
)
输出漏电流（ R = V
IH
， 0.4V ＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; V
CC
)
输入低电压
1
输入高电压
1
输出低电压（V
CC
分钟，我
OL
= 8毫安）
输出高电压（V
CC
分钟，我
OH
= -2mA ）
输入电容
2
输出电容
2
1. V
IH
最大值= V
CC
+ 0.3V. V
IL
分= -0.3V和-1.0V脉冲宽度为50ns 。
2.设计保证。
S
YMBOL
I
CCOP
M
IN
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
2.2
--
2.4
--
--
M
AX
165
160
150
140
130
5
400
±1
±1
0.8
--
0.4
--
10
10
7206F
U
NIT
mA
I
CCSB
I
文建会
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
C
IN
C
OUT
mA
A
A
A
V
V
内存
V
V
pF
pF
T
ABLE
5. 7206F牛逼
即时通信
C
极特1
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125 °C
除非另有说明
)
P
ARAMETER
读周期
读周期时间
-15
-20
-30
-40
-50
存取时间
-15
-20
-30
-40
-50
t
RC
ns
25
30
40
50
65
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
ns
15
20
30
40
50
S
YMBOL
M
IN
M
AX
U
尼特
t
A
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5. 7206F牛逼
即时通信
C
极特1
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125 °C
除非另有说明
)
P
ARAMETER
阅读恢复时间
-15
-20
-30
-40
-50
阅读脉宽
2
-15
-20
-30
-40
-50
读低到数据低-Z
3
-15
-20
-30
-40
-50
写高到低数据-Z
3,4
-15
-20
-30
-40
-50
数据有效期从读高
-15
-20
-30
-40
-50
阅读HIGH到数据总线高阻
3
-15
-20
-30
-40
-50
S
YMBOL
t
RR
M
IN
10
10
10
10
15
15
20
30
40
50
0
0
5
5
5
3
3
5
5
5
5
5
5
5
5
--
--
--
--
--
M
AX
--
--
--
--
--
7206F
U
尼特
ns
t
乡郊小工程
ns
--
--
--
--
--
ns
--
--
--
--
--
ns
--
--
--
--
--
ns
--
--
--
--
--
ns
15
15
20
25
30
t
RLZ
内存
t
WLZ
t
DV
t
RHZ
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T
ABLE
5. 7206F牛逼
即时通信
C
极特1
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125 °C
除非另有说明
)
P
ARAMETER
写周期
写周期时间
-15
-20
-30
-40
-50
把脉冲宽度
2
-15
-20
-30
-40
-50
写恢复时间
-15
-20
-30
-40
-50
数据建立时间
-15
-20
-30
-40
-50
数据保持时间
-15
-20
-30
-40
-50
复位周期
重置周期时间
-15
-20
-30
-40
-50
复位脉冲宽度
2
-15
-20
-30
-40
-50
01年12月19日修订版3
7206F
M
AX
U
尼特
ns
S
YMBOL
t
WC
M
IN
25
30
40
50
65
15
20
30
40
50
10
10
10
10
15
9
12
18
24
30
0
0
0
0
5
--
--
--
--
--
ns
--
--
--
--
--
ns
--
--
--
--
--
ns
--
--
--
--
--
ns
--
--
--
--
--
ns
t
预激
t
WR
内存
t
DS
t
DH
t
RSC
25
30
40
50
65
15
20
30
40
50
--
--
--
--
--
ns
--
--
--
--
--
t
RS
1000572
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