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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符6型号页 > 首字符6的型号第134页 > 6N138SD
6N138,6N139
东芝光电耦合器
GaAAs IRED &图片IC
6N138, 6N139
电流回路驱动程序。
低输入电流线路接收器。
CMOS逻辑接口。
东芝6N138和6N139由一个GaAAs
红外线
再加上分裂复合晶体管输出的发光二极管
配置。
一种高速GaAAs IRED与独特的制造
LPE交界处，有美德的快速上升和下降时间
低驱动电流。
隔离电压： 2500Vrms的（分钟）
电流传输比
: 6N138
300％ （分） （我
F
=1.6mA)
: 6N139
400％ （分） （我
F
=0.5mA)
开关时间： 6N138
t
PHL
= 10μs的（最大）
t
PLH
=为35μs （最大值）
6N139
t
PHL
= 1μs的时间（最大）
t
PLH
=为7μs （最大）
UL认证： UL1577 ，文件号E67349
东芝
重量： 0.54克
1110C4
以毫米单位
引脚配置（顶视图）
1 ：N .C 。
2 ：阳极
3 ：C一个个 D E
2
7
4 ：N .C 。
5 ：摹次
3
6
6 ： O u那样TP ü吨
7 ：O型ü ü TP T B A S é
8 : V
CC
4
5
1
8
概要
V
CC
8
2
+
I
F
I
C C
I
O
6
V
O
V
F
-
3
I
B
V
B
7
5
GND
1
2007-10-01
6N138,6N139
绝对最大额定值
(
*
时）（Ta = 0 ° C至+ 70 ° C）
特征
正向电流
脉冲正向电流
LED
总脉冲正向电流
反向电压
二极管功耗
输出电流
探测器
发射极 - 基反向电压
电源电压
输出电压
输出功率耗散
工作温度范围
存储温度范围
无铅焊锡温度（ 10秒）
(*4)
符号
（注1 ）
I
F
I
FP
I
FP
(*1)
(*2)
等级
20
40
1
5
35
60
0.5
0.5
18
0.5
18
100
0到70
55
到125
260
2500
3540
单位
mA
mA
A
V
mW
mA
V
V
V
mW
°C
°C
°C
V
RMS
V
dc
V
R
（注2 ）
（注3）
P
D
I
O
V
EB
V
CC
V
O
（注4 ）
(*3)
(*3)
P
O
T
OPR
T
英镑
T
SOL
BV
S
(**)
隔离电压（ 1分， R.H.≤ 60 ％ ）
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
（*）的JEDEC注册数据
（ ** ）不符合JEDEC注册
（* 1） 50％的占空比， 1ms的脉冲宽度
（* 2 ）脉冲宽度为1μs ， 300pps
(*3) 6N138…
0.5
至7V
（ * 4 ）低于飞机座位1.6毫米
2
2007-10-01
6N138,6N139
电气特性
在推荐的温度
例（Ta = 0℃至70℃，除非另有说明）
特征
符号
测试条件
I
F
= 0.5毫安，V
O
=0.4V
V
CC
=4.5V
CTR （ * ）
I
F
= 1.6毫安，V
O
=0.4V
V
CC
=4.5V
I
F
= 1.6毫安，我
O
=6.4mA
V
CC
=4.5V
逻辑低输出
电压
6N139
（注6 ）
V
OL
I
F
= 5毫安，我
O
=15mA
V
CC
=4.5V
I
F
= 12毫安，我
O
=24mA
V
CC
=4.5V
I
F
= 1.6毫安，我
O
=4.8mA
V
CC
=4.5V
I
OH
(*)
I
CCL
I
CCH
V
F
(*)
BV
R
(*)
I
F
= 0毫安，V
O
=V
CC
=18V
I
F
= 0毫安，V
O
=V
CC
=7V
I
F
= 1.6毫安，V
O
→打开
V
CC
=5V
I
F
= 0毫安，V
O
=打开，V
CC
=5V
I
F
= 1.6毫安， TA = 25℃
I
R
= 10μA ， TA = 25℃
分钟。
400
500
300
5
（注7 ）
（注7 ）
(*5)Typ.
800
900
600
0.1
0.1
0.2
0.1
0.05
0.05
0.2
10
1.65
1.9
60
10
12
马克斯。
0.4
0.4
单位
电流传输
比
6N139
（注5,6）
6N138
%
V
0.4
0.4
100
250
1.7
μA
mA
nA
V
V
毫伏/°C的
pF
pF
6N138
逻辑高电平输出。
当前
6N139
（注6 ）
6N138
（注6 ）
逻辑高电平电源电流
（注6 ）
输入正向电压
输入反向击穿
电压
温度COEF网络cient
正向电压
输入电容
电阻（输入输出）
电容（输入输出）
逻辑低电源电流
ΔV
F
/
= TA
I
F
=1.6mA
C
IN
R
我-O
C
我-O
F = 1MHz时， V
F
=0
V
我-O
=500V
R.H.≤ 60 ％
f=1MHz
0.6
（**） JEDEC的注册数据。
（ * 5 ）所有标准结构在Ta = 25°C和V
CC
= 5V ，除非另有说明。
3
2007-10-01
6N138,6N139
交换特定网络阳离子
（ TA = 25 ° C，V
CC
= 5V ，除非另有规定）
特征
传播延迟
时间逻辑低
在输出
（注6,8）
6N139
6N138
6N139
6N138
CM
H
2
符号
TEST
电路
测试条件
I
F
= 0.5毫安，R
L
=4.7k
t
PHL
(*)
1
I
F
= 12毫安，R
L
=270
I
F
= 1.6毫安，R
L
=2.2k
I
F
= 0.5毫安，R
L
=4.7k
t
PLH
(*)
1
I
F
= 12毫安，R
L
=270
I
F
= 1.6毫安，R
L
=2.2k
I
F
= 0毫安，R
L
=2.2k
V
CM
=400V
pp
I
F
=1.6mA
R
L
=2.2k
V
CM
=400V
pp
分钟。
典型值。
5
0.2
1
5
1
4
500
马克斯。
25
1
10
60
7
35
V /
μs
μs
μs
单位
传播延迟
时间逻辑高
在输出
（注6,8）
共模瞬变
免疫力的逻辑高
电平输出
共模瞬变
免疫力处于逻辑低电平
电平输出
（注9 ）
（注9 ）
CM
L
2
500
V /
μs
（*） JEDEC的注册数据。
（注1 ） ：
（注2 ） ：
（注3） ：
（注4 ） ：
（注5 ） ：
（注6 ） ：
（注7 ） ：
（注8 ） ：
（注9 ）
降额直线高于50℃的自由空气的温度在0.4毫安/ ℃的速率
降额直线高于50℃的自由空气的温度为0.7mW的/ ℃的速率
线性降额高于25 ℃的自由空气的温度在0.7毫安/ ℃的速率
线性降额高于25 ℃的自由空气的温度为2.0MW / ℃的速率
直流电流传输比被定义为输出集电极电流的比率，我
O
到前进
LED的输入电流，I
F
乘以100％。
引脚7打开。
设备认为是一个双端器件：引脚1 ， 2 ，3和4短接在一起，并且销5 ，6，7和8
短接在一起。
使用PIN码5和7之间的电阻会降低增益和延迟时间。
在逻辑高电平共模瞬态抗扰度是最大容许（正）DV
CM
/ DT上
共模脉冲，V的前沿
CM
，以保证该输出将保持在逻辑高
状态（即，V
O
> 2.0V ） 。
在逻辑低电平共模瞬变抗扰度是最大容忍的（负面）DV
CM
/ DT上
共模脉冲信号V的后缘
CM
，以保证输出将保持在逻辑
低状态（即，V
O
< 0.8V ） 。
4
2007-10-01
6N138,6N139
测试电路1 。
I
F
0
V
O
（饱和
回应）
1.5V
t
PHL
V
O
（非
饱和的
回应）
10%
90%
t
r
90%
10%
t
f
1.5V
t
PLH
5V
5V
PULSE GEN 。
ZO = 50Ω
t
f
=为5ns
10 ％占空比
的1 / f < 100μS
100Ω
I
F
MONITOR
F
I
F
1
2
3
4
8
7
6
5
R
L
+5V
V
OL
V
O
C
L
(*)
(*)C
L
大约是15pF的，其中包括探头
和杂散电容的接线。
测试电路2 。
t
r,
t
f
= 0.64μs
90%
t
r
V
O
SWITH的答：我
F
= 0毫安
V
OL
V
O
SWITH在B：我
F
= 1.6毫安
根脉
t
f
0V
B
5V
V
FF
A
I
F
1
2
3
4
8
7
6
5
R
CC
R
L
V
O
+5V
400V
V
CM
10%
+
V
CM
－
5
2007-10-01
单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731低输入电流，高增益分裂达林顿光电耦合器
2006年7月
单通道： 6N138 ， 6N139
双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731
低输入电流，高增益分裂
达林顿光耦合器
特点
■
低电流 - 0.5毫安
■
高级CTR -2000 ％
■
■
■
■
高级CMR - 10 KV / μs的
CTR保证0-70 ℃，
U.L.认可（文件＃ E90700 ）
VDE认可（文件＃ 120915 ）订购选项
V，如6N138V
tm
描述
该6N138 / 9和HCPL- 2730 / HCPL- 2731光电耦合器组成
的AlGaAs的LED光学耦合到一个高增益分裂darling-
吨的探测器。
分裂达林顿CON组fi guration分离输入光电
二极管和所述网络连接第一个阶段增益从输出晶体管许可证
较低的输出饱和电压和高于高速运行
可能与传统的达林顿晶体管光耦合器
后将其。在双通道设备， HCPL- 2730 / HCPL2731 ，一个
集成的发射极 - 基极电阻提供了卓越的稳定性
温度。
为0.5mA和一个非常低的输入电流的组合
2000 ％的高电流传输比，使这个家庭particu-
输入接口MOS ， CMOS ， LSTTL和EIA larly有用
RS-232C ，而输出兼容性确保在CMOS以及
高扇出TTL要求。内部噪音屏蔽亲
志愿组织极为出色的共模抑制10千伏/微秒。
■
双通道 - HCPL- 2730
■
HCPL-2731
应用
■
数字逻辑接地隔离
■
电话铃声探测器
■
EIA -RS - 232C线路接收器
■
高共模噪声线路接收器
■
微处理器总线隔离
■
电流环路接收器
包
概要
N / C 1
8 V
CC
+ 1
V
F1
8 V
CC
8
1
+ 2
V
F
_
3
7 V
B
_ 2
7 V
01
6 V
O
_
V
F2
3
6 V
02
N / C 4
5 GND
+ 4
5 GND
8
1
8
1
6N138 / 6N139
HCPL - 2730 / HCPL- 2731
1
单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731修订版1.0.2
2005仙童半导体公司
www.fairchildsemi.com
单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731低输入电流，高增益分裂达林顿光电耦合器
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度（波峰焊仅见，建议再溢流廓曲线图
SMD安装）
辐射源
DC /平均正向电流输入
正向峰值输入电流（占空比为50％ ， 1毫秒PW ）
峰值瞬态输入电流 - （
≤
1微秒P.W. ， 300 ，PPS）
反向输入电压
输入功率耗散
探测器
平均输出电流
发射极 - 基反向电压
电源电压，输出电压
每个通道
（ 6N138和6N139 ）
（ 6N138 ， HCPL- 2730 ）
（ 6N139 ， HCPL- 2731 ）
输出功率耗散
每个通道
P
O
I
O
（ AVG）
V
ER
V
CC
, V
O
60
0.5
-0.5 7
-0.5到18
100
mW
mA
V
V
每个通道
每个通道
每个通道
每个通道
I
F
（ AVG）
I
F
（ PK）
I
F
（反式）
V
R
P
D
20
40
1.0
5
35
mA
mA
A
V
mW
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
价值
-55到+125
-40至+85
260 ，持续10秒
单位
°C
°C
°C
电气特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
输入反向击穿电压
测试条件符号
T
A
=25°C
每个通道（I
F
= 1.6 mA）的
(T
A
= 25 ° C，I
R
= 10 A)
每个通道
BV
R
(
V
F
/
T
A
)
I
OH
V
F
设备
所有
最小值典型值最大值**
1.30
1.7
1.75
单位
V
所有
5.0
20
V
正向电压的温度COEF网络cient （我
F
= 1.6 mA）的
探测器
逻辑高电平输出电流
(I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 18 V)
每个通道
(I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 7 V)
每个通道
逻辑低电平电源
(I
F
= 1.6毫安， V
O
=开）
(V
CC
= 18 V)
(I
F1
= I
F2
= 1.6毫安， V
CC
= 18 V)
(V
O1
- V
O2
=打开，V
CC
= 7 V
逻辑高电源
(I
F
= 0 mA时，V
O
=开，
V
CC
= 18 V)
(I
F1
= I
F2
= 0 mA时，V
CC
= 18 V)
(V
O1
- V
O2
=打开，V
CC
= 7 V
**所有标准结构在T
A
= 25°C
所有
-1.8
毫伏/°C的
6N139
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730
0.01
100
A
0.01
250
I
CCL
6N138
6N139
HCPL-2731
HCPL-2730
0.4
1.3
1.5
3
mA
I
CCH
6N135
6N136
HCPL-2731
HCPL-2730
0.05
0.10
10
20
A
2
单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731修订版1.0.2
www.fairchildsemi.com
单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731低输入电流，高增益分裂达林顿光电耦合器
传输特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
参数
再加
电流传输比
（注1,2）
测试条件符号
(I
F
= 0.5毫安， V
O
= 0.4 V, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安， V
O
= 0.4 V, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安， V
O
= 0.4 V, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
CTR
设备
6N139
HCPL-2731
6N139
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730
民
400
典型**
1100
3500
最大
单位
%
500
1300
2500
%
300
1300
2500
0.08
0.01
0.4
0.4
%
逻辑低输出电压
输出电压（注2 ）
(I
F
= 0.5毫安，我
O
= 2毫安， V
CC
= 4.5 V)
(I
F
= 1.6毫安，我
O
= 8毫安， V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 0.5毫安，我
O
= 15毫安， V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 12 mA时，我
O
= 24 mA时， V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安，我
O
= 4.8毫安，V
CC
= 4.5 V)
每个通道
V
OL
6N139
6N139
HCPL-2731
6N139
HCPL-2731
6N139
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730
V
0.13
0.4
0.20
0.4
0.10
0.4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
3
单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731修订版1.0.2
www.fairchildsemi.com
单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731低输入电流，高增益分裂达林顿光电耦合器
开关特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编，V
CC
= 5 V)
参数
传播延迟
时间逻辑低
（注2） （图22）
测试条件符号
(R
L
= 4.7 k
, I
F
= 0.5 mA）的
T
A
= 25°C
(R
L
= 4.7 k
, I
F
= 0.5 mA）的
每个通道
T
A
= 25°C
(R
L
= 270
, I
F
= 12 mA）的
T
A
= 25°C
(R
L
= 270
, I
F
= 12 mA）的
每个通道
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
(R
L
= 2.2 kΩ的，我
F
= 1.6 mA）的
每个通道
T
A
= 25°C
T
PLH
每个通道
(R
L
= 4.7kΩ的，我
F
= 0.5毫安）T
A
= 25°C
每个通道
(R
L
= 270
,
I
F
= 12 mA）的
T
A
= 25°C
(R
L
= 270
,
I
F
= 12 mA）的每个通道
T
A
= 25°C
(R
L
= 2.2 kΩ的，我
F
= 1.6 mA）的
每个通道
(R
L
= 2.2 kΩ的，我
F
= 1.6毫安）T
A
= 25°C
每个通道
(R
L
= 2.2 k
,
I
F
= 1.6 mA）的
T
PHL
设备
6N139
民
**典型值最大值单位
30
4
25
120
3
100
2
0.2
1
3
0.3
2
15
1.5
10
25
1
20
90
s
s
HCPL-2731
6N139
HCPL-2730
HCPL-2731
6N138
HCPL-2731
HCPL-2730
6N139
HCPL-2731
6N139
HCPL-2731
6N139
传播延迟
时间逻辑高
（注2） （图22）
(R
L
= 4.7kΩ的，我
F
= 0.5 mA）的
12
22
60
10
1.3
7
15
5
10
50
HCPL-2730
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730/1
6N138
HCPL-2730/1
|厘米
H
|
6N138
6N139
HCPL-2730
HCPL-2731
|厘米
L
|
6N138
6N139
HCPL-2730
HCPL-2731
1,000
1,000
7
16
10,000
35
共模
瞬态抗扰度
在逻辑高
(I
F
= 0 mA时， | V
CM
| = 10 V
P-P
)
T
A
= 25 ℃， （注册商标
L
= 2.2千欧）（注3）（图23）
每个通道
(I
F
= 1.6毫安， | V
CM
| = 10 V
P-P
, R
L
= 2.2 k)
T
A
= 25 ℃， （注3）（图23）
每个通道
V / μs的
共模
瞬态抗扰度
在逻辑低电平
10,000
V / μs的
**所有标准结构在T
A
= 25°C
4
单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731修订版1.0.2
www.fairchildsemi.com
单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731低输入电流，高增益分裂达林顿光电耦合器
隔离特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
特征
输入输出
绝缘泄漏电流
测试条件符号
（相对湿度= 45％）
(T
A
= 25 ℃， T = 5秒）
(V
我-O
= 3000 VDC ）
（注8）
（ RH
≤
50%, T
A
= 25 ° C，I
我-O
≤
2 A)
（注4） （ T = 1分。 ）
（注4 ） （V
我-O
= 500 VDC）
（注4,5）中（f = 1 MHz）的
（ RH
≤
45%, V
I-I
= 500 VDC） （注6 ）
T = 5秒， （ HCPL -二千七百三十一分之二千七百三十○只）
(V
I-I
= 500 VDC） （注6 ）
（ HCPL -二千七百三十一分之二千七百三十○只）
中（f = 1兆赫） （注6）
（ HCPL -二千七百三十一分之二千七百三十○只）
I
我-O
民
典型**
最大
1.0
单位
A
耐压绝缘测试电压
电阻（输入到输出）
电容（输入输出）
输入 - 输入
绝缘泄漏电流
输入 - 输入电阻
输入 - 输入电容
V
ISO
R
我-O
C
我-O
I
I-I
R
I-I
C
I-I
2500
10
12
0.6
0.005
10
11
0.03
V
RMS
pF
A
pF
**所有标准结构在T
A
= 25°C
笔记
1.电流传递比是德音响定义为输出集电极电流的比率，我
O
到正向LED的输入电流，我
F
乘以100％。
2.引脚7打开。 （ 6N138和6N139只）
在逻辑高电平3.共模瞬态抗扰度是最大容许（正）DV
cm
/ dt的上的COM的前缘
共模脉冲信号V
CM
，以保证该输出将保持在逻辑高状态（也就是，V
O
>2.0 V） 。共模瞬变
免疫在逻辑低电平的最大可容忍（负）的dV
cm
/ dt的对共模脉冲信号的后沿，
V
CM
，以保证该输出将保持在逻辑低状态（也就是，V
O
<0.8 V） 。
4.设备被认为是一个双端器件：引脚1 ，2，3和4被短接在一起，并且销5 ，图6，图7和8被短接在一起。
5.对于双通道器件，C
我-O
通过短路引脚1和2或引脚3和4一起和引脚5到8被测量短路
在一起。
6.测量引脚1和2短接在一起，针3和4短接在一起的。
I
5
单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731修订版1.0.2
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单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731低输入电流，高增益分裂达林顿光电耦合器
2005年7月
单通道： 6N138 ， 6N139
双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731
低输入电流，高增益分裂
达林顿光耦合器
特点
■
低电流 - 0.5毫安
■
高级CTR -2000 ％
■
■
■
■
高级CMR - 10 KV / μs的
CTR保证0-70 ℃，
U.L.认可（文件＃ E90700 ）
VDE认可（文件＃ 120915 ）订购选项
V，如6N138V
描述
该6N138 / 9和HCPL- 2730 / HCPL- 2731光电耦合器组成
的AlGaAs的LED光学耦合到一个高增益分裂darling-
吨的探测器。
分裂达林顿CON组fi guration分离输入光电
二极管和所述网络连接第一个阶段增益从输出晶体管许可证
较低的输出饱和电压和高于高速运行
可能与传统的达林顿晶体管光耦合器
后将其。在双通道设备， HCPL- 2730 / HCPL2731 ，一个
集成的发射极 - 基极电阻提供了卓越的稳定性
温度。
为0.5mA和一个非常低的输入电流的组合
2000 ％的高电流传输比，使这个家庭particu-
输入接口MOS ， CMOS ， LSTTL和EIA larly有用
RS-232C ，而输出兼容性确保在CMOS以及
高扇出TTL要求。内部噪音屏蔽亲
志愿组织极为出色的共模抑制10千伏/微秒。
■
双通道 - HCPL- 2730
■
HCPL-2731
应用
■
数字逻辑接地隔离
■
电话铃声探测器
■
EIA -RS - 232C线路接收器
■
高共模噪声线路接收器
■
微处理器总线隔离
■
电流环路接收器
包
概要
N / C 1
8 V
CC
+ 1
V
F1
8 V
CC
8
1
+ 2
V
F
_
3
7 V
B
_ 2
7 V
01
6 V
O
_
V
F2
3
6 V
02
N / C 4
5 GND
+ 4
5 GND
8
1
8
1
6N138 / 6N139
HCPL - 2730 / HCPL- 2731
1
单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731修订版1.0.0
2005仙童半导体公司
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单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731低输入电流，高增益分裂达林顿光电耦合器
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度（波峰焊仅见，建议再溢流廓曲线图
SMD安装）
辐射源
DC /平均正向电流输入
正向峰值输入电流（占空比为50％ ， 1毫秒PW ）
峰值瞬态输入电流 - （
≤
1微秒P.W. ， 300 ，PPS）
反向输入电压
输入功率耗散
探测器
平均输出电流
发射极 - 基反向电压
电源电压，输出电压
每个通道
（ 6N138和6N139 ）
（ 6N138 ， HCPL- 2730 ）
（ 6N139 ， HCPL- 2731 ）
输出功率耗散
每个通道
P
O
I
O
（ AVG）
V
ER
V
CC
, V
O
60
0.5
-0.5 7
-0.5到18
100
mW
mA
V
V
每个通道
每个通道
每个通道
每个通道
I
F
（ AVG）
I
F
（ PK）
I
F
（反式）
V
R
P
D
20
40
1.0
5
35
mA
mA
A
V
mW
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
价值
-55到+125
-40至+85
260 ，持续10秒
单位
°C
°C
°C
电气特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
输入反向击穿电压
测试条件符号
T
A
=25°C
每个通道（I
F
= 1.6 mA）的
(T
A
= 25 ° C，I
R
= 10 A)
每个通道
BV
R
(
V
F
/
T
A
)
I
OH
V
F
设备
所有
最小值典型值最大值**
1.30
1.7
1.75
单位
V
所有
5.0
20
V
正向电压的温度COEF网络cient （我
F
= 1.6 mA）的
探测器
逻辑高电平输出电流
(I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 18 V)
每个通道
(I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 7 V)
每个通道
逻辑低电平电源
(I
F
= 1.6毫安， V
O
=开）
(V
CC
= 18 V)
(I
F1
= I
F2
= 1.6毫安， V
CC
= 18 V)
(V
O1
- V
O2
=打开，V
CC
= 7 V
逻辑高电源
(I
F
= 0 mA时，V
O
=开，
V
CC
= 18 V)
(I
F1
= I
F2
= 0 mA时，V
CC
= 18 V)
(V
O1
- V
O2
=打开，V
CC
= 7 V
**所有标准结构在T
A
= 25°C
所有
-1.8
毫伏/°C的
6N139
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730
0.01
100
A
0.01
250
I
CCL
6N138
6N139
HCPL-2731
HCPL-2730
0.4
1.3
1.5
3
mA
I
CCH
6N135
6N136
HCPL-2731
HCPL-2730
0.05
0.10
10
20
A
2
单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731修订版1.0.0
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单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731低输入电流，高增益分裂达林顿光电耦合器
传输特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
参数
再加
电流传输比
（注1,2）
测试条件符号
(I
F
= 0.5毫安， V
O
= 0.4 V, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安， V
O
= 0.4 V, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安， V
O
= 0.4 V, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
CTR
设备
6N139
HCPL-2731
6N139
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730
民
400
典型**
1100
3500
最大
单位
%
500
1300
2500
%
300
1300
2500
0.08
0.01
0.4
0.4
%
逻辑低输出电压
输出电压（注2 ）
(I
F
= 0.5毫安，我
O
= 2毫安， V
CC
= 4.5 V)
(I
F
= 1.6毫安，我
O
= 8毫安， V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 0.5毫安，我
O
= 15毫安， V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 12 mA时，我
O
= 24 mA时， V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安，我
O
= 4.8毫安，V
CC
= 4.5 V)
每个通道
V
OL
6N139
6N139
HCPL-2731
6N139
HCPL-2731
6N139
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730
V
0.13
0.4
0.20
0.4
0.10
0.4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
3
单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731修订版1.0.0
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单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731低输入电流，高增益分裂达林顿光电耦合器
开关特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编，V
CC
= 5 V)
参数
传播延迟
时间逻辑低
（注2） （图22）
测试条件符号
(R
L
= 4.7 k
, I
F
= 0.5 mA）的
T
A
= 25°C
(R
L
= 4.7 k
, I
F
= 0.5 mA）的
每个通道
T
A
= 25°C
(R
L
= 270
,
I
F
= 12 mA）的
T
A
= 25°C
(R
L
= 270
,
I
F
= 12 mA）的
每个通道
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
(R
L
= 2.2 kΩ的，我
F
= 1.6 mA）的
每个通道
T
A
= 25°C
T
PLH
每个通道
(R
L
= 4.7kΩ的，我
F
= 0.5毫安）T
A
= 25°C
每个通道
(R
L
= 270
,
I
F
= 12 mA）的
T
A
= 25°C
(R
L
= 270
,
I
F
= 12 mA）的每个通道
T
A
= 25°C
(R
L
= 2.2 kΩ的，我
F
= 1.6 mA）的
每个通道
(R
L
= 2.2 kΩ的，我
F
= 1.6毫安）T
A
= 25°C
每个通道
(R
L
= 2.2 kΩ的，我
F
= 1.6 mA）的
T
PHL
设备
6N139
民
**典型值最大值单位
30
4
25
120
3
100
2
0.2
1
3
0.3
2
15
1.5
10
25
1
20
90
s
s
HCPL-2731
6N139
HCPL-2730
HCPL-2731
6N138
HCPL-2731
HCPL-2730
6N139
HCPL-2731
6N139
HCPL-2731
6N139
传播延迟
时间逻辑高
（注2） （图22）
(R
L
= 4.7kΩ的，我
F
= 0.5 mA）的
12
22
60
10
1.3
7
15
5
10
50
HCPL-2730
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730/1
6N138
HCPL-2730/1
|厘米
H
|
6N138
6N139
HCPL-2730
HCPL-2731
|厘米
L
|
6N138
6N139
HCPL-2730
HCPL-2731
1,000
1,000
7
16
10,000
35
共模
瞬态抗扰度
在逻辑高
(I
F
= 0 mA时， | V
CM
| = 10 V
P-P
)
T
A
= 25 ℃， （注册商标
L
= 2.2千欧）（注3）（图23）
每个通道
(I
F
= 1.6毫安， | V
CM
| = 10 V
P-P
, R
L
= 2.2 k)
T
A
= 25 ℃， （注3）（图23）
每个通道
V / μs的
共模
瞬态抗扰度
在逻辑低电平
10,000
V / μs的
**所有标准结构在T
A
= 25°C
4
单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731修订版1.0.0
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单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731低输入电流，高增益分裂达林顿光电耦合器
隔离特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
特征
输入输出
绝缘泄漏电流
测试条件符号
（相对湿度= 45％）
(T
A
= 25 ℃， T = 5秒）
(V
我-O
= 3000 VDC ）
（注8）
（ RH
≤
50%, T
A
= 25°C)
（注4） （ T = 1分。 ）
（注4 ） （V
我-O
= 500 VDC）
（注4,5）中（f = 1 MHz）的
（ RH
≤
45%, V
I-I
= 500 VDC） （注6 ）
T = 5秒， （ HCPL -二千七百三十一分之二千七百三十○只）
(V
I-I
= 500 VDC） （注6 ）
（ HCPL -二千七百三十一分之二千七百三十○只）
中（f = 1兆赫） （注6）
（ HCPL -二千七百三十一分之二千七百三十○只）
I
我-O
民
典型**
最大
1.0
单位
A
耐压绝缘测试电压
电阻（输入到输出）
电容（输入输出）
输入 - 输入
绝缘泄漏电流
输入 - 输入电阻
输入 - 输入电容
V
ISO
R
我-O
C
我-O
I
I-I
R
I-I
C
I-I
2500
10
12
0.6
0.005
10
11
0.03
V
RMS
pF
A
pF
**所有标准结构在T
A
= 25°C
笔记
1.电流传递比是德音响定义为输出集电极电流的比率，我
O
到正向LED的输入电流，我
F
乘以100％。
2.引脚7打开。 （ 6N138和6N139只）
在逻辑高电平3.共模瞬态抗扰度是最大容许（正）DV
cm
/ dt的上的COM的前缘
共模脉冲信号V
CM
，以保证该输出将保持在逻辑高状态（也就是，V
O
>2.0 V） 。共模瞬变
免疫在逻辑低电平的最大可容忍（负）的dV
cm
/ dt的对共模脉冲信号的后沿，
V
CM
，以保证该输出将保持在逻辑低状态（也就是，V
O
<0.8 V） 。
4.设备被认为是一个双端器件：引脚1 ，2，3和4被短接在一起，并且销5 ，图6，图7和8被短接在一起。
5.对于双通道器件，C
我-O
通过短路引脚1和2或引脚3和4一起和引脚5到8被测量短路
在一起。
6.测量引脚1和2短接在一起，针3和4短接在一起的。
I
5
单通道： 6N138 ， 6N139双通道： HCPL - 2730 ， HCPL- 2731修订版1.0.0
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6N138W
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    6N138SD
    -
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电话：0755-83226745/82584980
联系人：马小姐
地址：福田区振华路深纺大厦A座1708室
6N138SD
FSC
21+
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电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
6N138SD
ON/安森美
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9634
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全新原装现货，原厂代理。
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电话：0755-22929859
联系人：朱先生
地址：深圳福田区振兴路华康大厦211
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