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应用笔记AN- 3002
低电流输入回路理念
6N138 / 139系列
介绍
在光电耦合进步和LED技术有
给我们的6N139 。这种独特的光电耦合器,具有
输入LED电流特定网络阳离子为500微安,有
开了一些有趣的设计大门。除了明显
和很多写的能力直接由驱动
CMOS电路中, 6N139可以考虑用于信号
检测,瞬态检测,矩阵和非负载线
接收。以下是其中的几个电路的想法刺激
设计师的兴趣。
发光二极管设置有50微安的正向电流
充电的LED产能到VF的水平。以这种方式,该
LED不产生传导的输出电路,但
准备进行得非常快。在任何噪音或振动
在“特区电源C“ ”是通过耦合“这
跨越发展的LED信号。即使是很小的不必要的显
的NAL可以引起大的变化,在LED的正向电流。
一旦LED的正向电流等于或超过500
微安,输出电路将进行说明
不想要的信号的存在。
信号检测
噪声,尖峰或振荡的检测可以轻松,
直接由6N139的输入被检测到,如图
图1的电路。
C
+
R
直流电源
LED
-
X
6N139
瞬态检测
波形的存在或不存在的检测可以
容易地通过图2所示电路来检测。
R
S
CR
6N139
R
L
输入
C
LED
X
图2.脉冲或波形检测电路
图1. 6N139电路的输入信号检测
对于所期望的信号的存在的检测,脉搏或
波形使用:
CR =硅二极管
(
积极V峰值。输入
)
2.5伏特
R
L
= -----------------------------------------------------------------------------------
-
1毫安
中的1 / f脉冲间隔
-
C
= ----------------------------------------------
R
L
脉冲宽度或1 / 4F
R
S
最大
= ---------------------------------------------
5C
X =非锁存输出电路跟随
LED =输入6N139二极管
F =频率
对于不希望的信号上的直流电源的检测
来源用途:
电源电压
1.5伏特
R
= ------------------------------------------------------------------------------
-
50微安
C =注入500微安到LED
X =闭锁或非闭锁输出电路跟随
LED =输入6N139二极管
示例:
所期望的脉冲序列是本示于图3 。
REV 。 4.00 02年4月30日
AN-3002
应用说明
由此产生的LED正向电流会保持输出
电路导通被示为适当的设计结果。
+
输入
(伏)
t=0
LED
(MA )
产量
(伏)
1.0
0.5
0
5.0
无负荷线路接收器
为虚拟的非装载时, 6N139与兼容
图6差分放大器电路呃。
+V
+V
6N139
or
这里
10K
LED
V
REF
IN
X
V
REF
与例
1mA
0.4
图3.脉冲串波形
所期望的正弦波是本示于图4 。
由此产生的LED正向电流会保持输出
电路导通被示为适当的设计结果。
输入
(伏)
+
0
t=0
R
E
0.5毫安
图6.差分放大器驱动器
对于虚拟空载光隔离器电路中使用:
X =非锁存输出电路跟随
LED =输入6N139二极管
在“中的”电流要求将小于20微
安培。
1.0
LED
(MA ) 0.5
0
5.0
产量
(伏)
0.4
例如:
图4.正弦波波形
矩阵的光电耦合
用低输入LED的6N139的电流的优势,所述
驾驶能力矩阵与只有一个TTL输出现在POS-
sible如图5 。
5V
5.5K
电阻器
所有
ARE 6N139的输入二极管
如果“V
REF
“被制成1.4伏特和R用
E
1.2
中,
电路将很好地响应的TTL “0 ”和“1 ”电平。即,
一个“0”,在“以”将导致LED电流造成的传导
化输出电路。相反,一个“ 1 ” ,在“在”将
导致没有LED电流。请注意,这取决于哪个
收集器的LED是串联它将给的选项
LED有一个“0”或“1” ,由于电流扁平的“以” 。
6N139输出电路系统
以下是6N139输出电路的两个例子。
一卡止(图7) ;其他非锁存(图8) ,
但两者能够直接驱动TTL门。
参考图7和假设“RESET”有
已经启动了一个短暂的地面和无输入信号
被接收,显示的所有晶体管是不导通的
(输出高, “1”) 。一输入信号的到来将导致
所有的晶体管导通。 (输出低时, “0”) 。该PNP晶体管
器,被接通的输出晶体管,将依次锁存
同样的输出晶体管或者直到“RESET”又是
发起。
在图8中,在没有接收到信号,输入
晶体管不导通。输出晶体管是非常
稍微进行。该4.7M
电阻造成这种轻微
传导不会带来“输出”到“0 ”电平。
这种轻微传导的目的是为了减少
导通延迟时间。当接收到一个信号,两个输入
REV 。 4.00 02年4月30日
扫描
1 16
活跃
16 X 16
矩阵
控制
图5.光电耦合输出矩阵
2
应用说明
AN-3002
和输出晶体管导通导致“输出”到
逻辑“0”状态。在4.7米
电阻器现在将趋于减小
输出晶体管的关断时间。
如果你还没有看过比6N139特定网络阳离子表,
你可能不完全知道的目前的能力
飞兆半导体光耦合器。
(5V)
+V
6N139
4.7K
4.7K
4.7K
4.7K
输出TTL
4.7K
*常开瞬时按钮
or
TTL输出,集电极开路
复位*
图7.输出锁存电路6N139
(5V)
+V
6N139
4.7K
4.7M
输出TTL
图8.非锁存输出电路6N139
REV 。 4.00 02年4月30日
3
AN-3002
应用说明
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中,为了提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;既不
它在其专利权利的任何执照,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备中的关键部件
或系统未经明确的书面许可, FAIRCHILD SEMICONDUCTOR总统
株式会社。如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中, ( a)打算通过外科手术移植到体内,
或(b )支持或维持生命,或(c )其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签,可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统,其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统,或影响其安全性或有效性。
www.fairchildsemi.com
4/30/02 0.0m 001
Stock#AN300000xx
2002年仙童半导体公司
单通道: 6N138 , 6N139双通道: HCPL - 2730 , HCPL- 2731低输入电流,高增益分裂达林顿光电耦合器
2005年7月
单通道: 6N138 , 6N139
双通道: HCPL - 2730 , HCPL- 2731
低输入电流,高增益分裂
达林顿光耦合器
特点
低电流 - 0.5毫安
高级CTR -2000 %
高级CMR - 10 KV / μs的
CTR保证0-70 ℃,
U.L.认可(文件# E90700 )
VDE认可(文件# 120915 )订购选项
V,如6N138V
描述
该6N138 / 9和HCPL- 2730 / HCPL- 2731光电耦合器组成
的AlGaAs的LED光学耦合到一个高增益分裂darling-
吨的探测器。
分裂达林顿CON组fi guration分离输入光电
二极管和所述网络连接第一个阶段增益从输出晶体管许可证
较低的输出饱和电压和高于高速运行
可能与传统的达林顿晶体管光耦合器
后将其。在双通道设备, HCPL- 2730 / HCPL2731 ,一个
集成的发射极 - 基极电阻提供了卓越的稳定性
温度。
为0.5mA和一个非常低的输入电流的组合
2000 %的高电流传输比,使这个家庭particu-
输入接口MOS , CMOS , LSTTL和EIA larly有用
RS-232C ,而输出兼容性确保在CMOS以及
高扇出TTL要求。内部噪音屏蔽亲
志愿组织极为出色的共模抑制10千伏/微秒。
双通道 - HCPL- 2730
HCPL-2731
应用
数字逻辑接地隔离
电话铃声探测器
EIA -RS - 232C线路接收器
高共模噪声线路接收器
微处理器总线隔离
电流环路接收器
概要
N / C 1
8 V
CC
+ 1
V
F1
8 V
CC
8
1
+ 2
V
F
_
3
7 V
B
_ 2
7 V
01
6 V
O
_
V
F2
3
6 V
02
N / C 4
5 GND
+ 4
5 GND
8
1
8
1
6N138 / 6N139
HCPL - 2730 / HCPL- 2731
1
单通道: 6N138 , 6N139双通道: HCPL - 2730 , HCPL- 2731修订版1.0.0
2005仙童半导体公司
www.fairchildsemi.com
单通道: 6N138 , 6N139双通道: HCPL - 2730 , HCPL- 2731低输入电流,高增益分裂达林顿光电耦合器
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度(波峰焊仅见,建议再溢流廓曲线图
SMD安装)
辐射源
DC /平均正向电流输入
正向峰值输入电流(占空比为50% , 1毫秒PW )
峰值瞬态输入电流 - (
1微秒P.W. , 300 ,PPS)
反向输入电压
输入功率耗散
探测器
平均输出电流
发射极 - 基反向电压
电源电压,输出电压
每个通道
( 6N138和6N139 )
( 6N138 , HCPL- 2730 )
( 6N139 , HCPL- 2731 )
输出功率耗散
每个通道
P
O
I
O
( AVG)
V
ER
V
CC
, V
O
60
0.5
-0.5 7
-0.5到18
100
mW
mA
V
V
每个通道
每个通道
每个通道
每个通道
I
F
( AVG)
I
F
( PK)
I
F
(反式)
V
R
P
D
20
40
1.0
5
35
mA
mA
A
V
mW
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
价值
-55到+125
-40至+85
260 ,持续10秒
单位
°C
°C
°C
电气特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编)
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
输入反向击穿电压
测试条件符号
T
A
=25°C
每个通道(I
F
= 1.6 mA)的
(T
A
= 25 ° C,I
R
= 10 A)
每个通道
BV
R
(
V
F
/
T
A
)
I
OH
V
F
设备
所有
最小值典型值最大值**
1.30
1.7
1.75
单位
V
所有
5.0
20
V
正向电压的温度COEF网络cient (我
F
= 1.6 mA)的
探测器
逻辑高电平输出电流
(I
F
= 0 mA时,V
O
= V
CC
= 18 V)
每个通道
(I
F
= 0 mA时,V
O
= V
CC
= 7 V)
每个通道
逻辑低电平电源
(I
F
= 1.6毫安, V
O
=开)
(V
CC
= 18 V)
(I
F1
= I
F2
= 1.6毫安, V
CC
= 18 V)
(V
O1
- V
O2
=打开,V
CC
= 7 V
逻辑高电源
(I
F
= 0 mA时,V
O
=开,
V
CC
= 18 V)
(I
F1
= I
F2
= 0 mA时,V
CC
= 18 V)
(V
O1
- V
O2
=打开,V
CC
= 7 V
**所有标准结构在T
A
= 25°C
所有
-1.8
毫伏/°C的
6N139
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730
0.01
100
A
0.01
250
I
CCL
6N138
6N139
HCPL-2731
HCPL-2730
0.4
1.3
1.5
3
mA
I
CCH
6N135
6N136
HCPL-2731
HCPL-2730
0.05
0.10
10
20
A
2
单通道: 6N138 , 6N139双通道: HCPL - 2730 , HCPL- 2731修订版1.0.0
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单通道: 6N138 , 6N139双通道: HCPL - 2730 , HCPL- 2731低输入电流,高增益分裂达林顿光电耦合器
传输特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编)
参数
再加
电流传输比
(注1,2)
测试条件符号
(I
F
= 0.5毫安, V
O
= 0.4 V, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安, V
O
= 0.4 V, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安, V
O
= 0.4 V, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
CTR
设备
6N139
HCPL-2731
6N139
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730
400
典型**
1100
3500
最大
单位
%
500
1300
2500
%
300
1300
2500
0.08
0.01
0.4
0.4
%
逻辑低输出电压
输出电压(注2 )
(I
F
= 0.5毫安,我
O
= 2毫安, V
CC
= 4.5 V)
(I
F
= 1.6毫安,我
O
= 8毫安, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 0.5毫安,我
O
= 15毫安, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 12 mA时,我
O
= 24 mA时, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安,我
O
= 4.8毫安,V
CC
= 4.5 V)
每个通道
V
OL
6N139
6N139
HCPL-2731
6N139
HCPL-2731
6N139
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730
V
0.13
0.4
0.20
0.4
0.10
0.4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
3
单通道: 6N138 , 6N139双通道: HCPL - 2730 , HCPL- 2731修订版1.0.0
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单通道: 6N138 , 6N139双通道: HCPL - 2730 , HCPL- 2731低输入电流,高增益分裂达林顿光电耦合器
开关特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编,V
CC
= 5 V)
参数
传播延迟
时间逻辑低
(注2) (图22)
测试条件符号
(R
L
= 4.7 k
, I
F
= 0.5 mA)的
T
A
= 25°C
(R
L
= 4.7 k
, I
F
= 0.5 mA)的
每个通道
T
A
= 25°C
(R
L
= 270
,
I
F
= 12 mA)的
T
A
= 25°C
(R
L
= 270
,
I
F
= 12 mA)的
每个通道
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
(R
L
= 2.2 kΩ的,我
F
= 1.6 mA)的
每个通道
T
A
= 25°C
T
PLH
每个通道
(R
L
= 4.7kΩ的,我
F
= 0.5毫安)T
A
= 25°C
每个通道
(R
L
= 270
,
I
F
= 12 mA)的
T
A
= 25°C
(R
L
= 270
,
I
F
= 12 mA)的每个通道
T
A
= 25°C
(R
L
= 2.2 kΩ的,我
F
= 1.6 mA)的
每个通道
(R
L
= 2.2 kΩ的,我
F
= 1.6毫安)T
A
= 25°C
每个通道
(R
L
= 2.2 kΩ的,我
F
= 1.6 mA)的
T
PHL
设备
6N139
**典型值最大值单位
30
4
25
120
3
100
2
0.2
1
3
0.3
2
15
1.5
10
25
1
20
90
s
s
HCPL-2731
6N139
HCPL-2730
HCPL-2731
6N138
HCPL-2731
HCPL-2730
6N139
HCPL-2731
6N139
HCPL-2731
6N139
传播延迟
时间逻辑高
(注2) (图22)
(R
L
= 4.7kΩ的,我
F
= 0.5 mA)的
12
22
60
10
1.3
7
15
5
10
50
HCPL-2730
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730/1
6N138
HCPL-2730/1
|厘米
H
|
6N138
6N139
HCPL-2730
HCPL-2731
|厘米
L
|
6N138
6N139
HCPL-2730
HCPL-2731
1,000
1,000
7
16
10,000
35
共模
瞬态抗扰度
在逻辑高
(I
F
= 0 mA时, | V
CM
| = 10 V
P-P
)
T
A
= 25 ℃, (注册商标
L
= 2.2千欧)(注3)(图23)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安, | V
CM
| = 10 V
P-P
, R
L
= 2.2 k)
T
A
= 25 ℃, (注3)(图23)
每个通道
V / μs的
共模
瞬态抗扰度
在逻辑低电平
10,000
V / μs的
**所有标准结构在T
A
= 25°C
4
单通道: 6N138 , 6N139双通道: HCPL - 2730 , HCPL- 2731修订版1.0.0
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单通道: 6N138 , 6N139双通道: HCPL - 2730 , HCPL- 2731低输入电流,高增益分裂达林顿光电耦合器
隔离特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编)
特征
输入输出
绝缘泄漏电流
测试条件符号
(相对湿度= 45%)
(T
A
= 25 ℃, T = 5秒)
(V
我-O
= 3000 VDC )
(注8)
( RH
50%, T
A
= 25°C)
(注4) ( T = 1分。 )
(注4 ) (V
我-O
= 500 VDC)
(注4,5)中(f = 1 MHz)的
( RH
45%, V
I-I
= 500 VDC) (注6 )
T = 5秒, ( HCPL -二千七百三十一分之二千七百三十○只)
(V
I-I
= 500 VDC) (注6 )
( HCPL -二千七百三十一分之二千七百三十○只)
中(f = 1兆赫) (注6)
( HCPL -二千七百三十一分之二千七百三十○只)
I
我-O
典型**
最大
1.0
单位
A
耐压绝缘测试电压
电阻(输入到输出)
电容(输入输出)
输入 - 输入
绝缘泄漏电流
输入 - 输入电阻
输入 - 输入电容
V
ISO
R
我-O
C
我-O
I
I-I
R
I-I
C
I-I
2500
10
12
0.6
0.005
10
11
0.03
V
RMS
pF
A
pF
**所有标准结构在T
A
= 25°C
笔记
1.电流传递比是德音响定义为输出集电极电流的比率,我
O
到正向LED的输入电流,我
F
乘以100%。
2.引脚7打开。 ( 6N138和6N139只)
在逻辑高电平3.共模瞬态抗扰度是最大容许(正)DV
cm
/ dt的上的COM的前缘
共模脉冲信号V
CM
,以保证该输出将保持在逻辑高状态(也就是,V
O
>2.0 V) 。共模瞬变
免疫在逻辑低电平的最大可容忍(负)的dV
cm
/ dt的对共模脉冲信号的后沿,
V
CM
,以保证该输出将保持在逻辑低状态(也就是,V
O
<0.8 V) 。
4.设备被认为是一个双端器件:引脚1 ,2,3和4被短接在一起,并且销5 ,图6,图7和8被短接在一起。
5.对于双通道器件,C
我-O
通过短路引脚1和2或引脚3和4一起和引脚5到8被测量短路
在一起。
6.测量引脚1和2短接在一起,针3和4短接在一起的。
I
5
单通道: 6N138 , 6N139双通道: HCPL - 2730 , HCPL- 2731修订版1.0.0
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低输入电流,高增益
光电耦合器
技术参数
6N139
HCPL-0701
HCNW139
6N138
HCPL-0700
HCNW138
特点
高电流传输比
- 2000 %(典型) ( 4500 %
典型的HCNW139 / 138 )
低输入电流
要求 - 0.5毫安
TTL兼容输出 -
0.1 V V
OL
典型
性能保证
在整个温度范围0
°
C
70
°
C
基本的访问允许增益
带宽调整
高输出电流 -
60毫安
安全认证
UL认证 - 2500 V RMS
1分钟5000 V RMS *
对于符合UL 1577 1分钟
CSA认证
VDE 0884批准了
V
IORM
= 1414 V
PEAK
HCNW139和HCNW138
BSI认证( HCNW139和
HCNW138)
提供8引脚DIP或
SOIC - 8封装或
宽体封装
MIL -STD- 1772版本
可用( HCPL -5700 /1)
应用
接地隔离大多数逻辑
家庭 - TTL / TTL , CMOS /
TTL , CMOS / CMOS , LSTTL /
TTL , CMOS / LSTTL
低输入电流线路
接收器
高压绝缘
(HCNW139/138)
EIA RS -232线路驱动器
电话振铃检测
117 V AC线电压状态
指标 - 低输入功率
耗散
低功耗系统 -
接地隔离
描述
这些高增益耦合器系列
使用一个发光二极管和一个
集成的高增益photodetec-
TOR提供极高
之间的电流传输比
输入和输出。独立的引脚
对于光电二极管和输出
阶段结果TTL兼容
饱和电压和高
高速操作。在需要的地方
在V
CC
和V
O
终端可以是
绑在一起,实现conven-
tional光电复合操作。
一个基本接入终端允许
增益带宽调整为
进行。
工作原理图
NC 1
阳极2
阴极3
NC 4
8 V
CC
7 V
B
6 V
O
5 GND
真值表
LED
V
O
ON
关闭
* 5000 V RMS / 1分钟评级是对HCNW139 / 138和选件020 ( 6N139 / 138)只产品。
A 0.1
F
旁路电容器,连接销8和5之间被推荐。
注意:建议在正常静止的预防措施,在处理这个组件和组装
防止损坏和/或降解可通过静电诱导。
2
该6N139 , HCPL- 0701 ,和
CNW139是在CMOS的使用,
输入通道或其它低功耗应用程序
阳离子。 400%的最小电流
传输率保证在
0至70℃的工作范围只
0.5毫安LED电流。
该6N138 , HCPL -0700 ,和
HCNW138被设计用于使用
主要表现在TTL的应用程序。
电流传输比( CTR )是
300%的最小值,在0至70℃
为1.6毫安LED电流
( 1 TTL单位负载) 。 300%
最低CTR使操作
使用一个2.2 kΩ的1 TTL负载
上拉电阻。
选择为较低的输入电流
下降到250
A
可应
请求。
本HCPL- 0701和HCPL -0700
是表面贴装器件
封装在一个行业标准
SOIC - 8封装。
采用SOIC - 8不要求
“通孔”,在PCB上。这
封装面积大约
三分之一的的占位面积
标准的双列直插式封装。
引线轮廓被设计成
兼容标准的表面
安装过程。
该HCNW139和HCNW138
被封装在一个宽体
封装,可提供易渗透
年龄和间隙尺寸
适用于通过安全认证
世界各地的监管机构。
选购指南
8引脚DIP
( 300密耳)
单身
通道
6N139
6N138
HCPL-4701
[1]
通道
HCPL-
2731
[1]
2730
[1]
4731
[1]
宽体
( 400 MIL )
单身
通道
HCNW139
HCNW138
最低
输入ON
当前
(I
F
)
0.5毫安
1.6毫安
40
A
0.5毫安
绝对
马克西 -
沉默
V
CC
18 V
7V
18 V
20 V
5701
[1]
5700
[1]
5731
[1]
5730
[1]
密闭
单位和
通道
套餐
HCPL-
小外形SO- 8
单身
通道
通道
HCPL-
HCPL-
0701
0700
070A
[1]
0731
0730
073A
[1]
最低
CTR
400%
300%
800%
300%
注意:
1.技术数据是在不同的HP出版物。
3
订购信息
指定型号后面选号码(如果需要的话) 。
例如:
6N139#XXX
020 = 5000 V有效值/ 1分钟UL认证选项*
300 =鸥翼型表面贴装选项
500 =卷带式包装选项
选择数据表提供。请联系您的惠普销售代表或授权分销商
信息。
*对于6N139和6N138只。
鸥翼式表面贴装选项适用于通孔部分而已。
概要
V
CC
8
I
CC
2
阳极
+
V
F
阴极
3
I
O
6
V
O
I
F
5
GND
I
B
7
V
B
4
封装外形图
8引脚DIP封装( 6N139 / 6N138 ) **
9.65 ± 0.25
(0.380 ± 0.010)
类型编号
8
7
6
5
7.62 ± 0.25
(0.300 ± 0.010)
6.35 ± 0.25
(0.250 ± 0.010)
选项代码*
日期代码
惠普XXXXZ
YYWW RU
1
1.19 ( 0.047 )最大。
2
3
4
UL
承认
1.78 ( 0.070 )最大。
+ 0.076
0.254 - 0.051
+ 0.003)
(0.010 - 0.002)
5 ° TYP 。
4.70 ( 0.185 )最大。
0.51 ( 0.020 ) MIN 。
2.92 ( 0.115 ) MIN 。
1.080 ± 0.320
(0.043 ± 0.013)
0.65 ( 0.025 )最大。
2.54 ± 0.25
(0.100 ± 0.010)
尺寸以毫米(英寸) 。
*标识代码字母选项编号
"L" =选项020
选项编号300和500没有标明。
** JEDEC注册的数据。
与鸥翼型表面贴装选项8引脚DIP封装300 ( 6N139 / 6N138 )
PAD LOCATION (仅供参考)
9.65 ± 0.25
(0.380 ± 0.010)
8
7
6
5
1.016 (0.040)
1.194 (0.047)
4.826 TYP 。
(0.190)
6.350 ± 0.25
(0.250 ± 0.010)
9.398 (0.370)
9.906 (0.390)
1
2
3
4
1.194 (0.047)
1.778 (0.070)
1.780
(0.070)
马克斯。
9.65 ± 0.25
(0.380 ± 0.010)
7.62 ± 0.25
(0.300 ± 0.010)
0.381 (0.015)
0.635 (0.025)
1.19
(0.047)
马克斯。
4.19 MAX 。
(0.165)
+ 0.076
0.254 - 0.051
+ 0.003)
(0.010 - 0.002)
1.080 ± 0.320
(0.043 ± 0.013)
0.635 ± 0.130
2.54
(0.025 ± 0.005)
(0.100)
BSC
毫米(英寸)尺寸。
铅的共面性= 0.10毫米( 0.004英寸) 。
0.635 ± 0.25
(0.025 ± 0.010)
12 ° NOM 。
5
小外形SO - 8封装( HCPL- 0701 / HCPL -0700 )
8
7
6
5
3.937 ± 0.127
(0.155 ± 0.005)
XXX
YWW
5.994 ± 0.203
(0.236 ± 0.008)
类型编号
(后3位)
日期代码
4
销1
1
0.406 ± 0.076
(0.016 ± 0.003)
2
3
1.270 BSG
(0.050)
* 5.080 ± 0.127
(0.200 ± 0.005)
0.432
(0.017)
45° X
3.175 ± 0.127
(0.125 ± 0.005)
0 ~ 7°
1.524
(0.060)
0.203 ± 0.102
(0.008 ± 0.004)
0.228 ± 0.025
(0.009 ± 0.001)
*
总包长度(包括塑模毛边版)
5.207 ± 0.254 (0.205 ± 0.010)
毫米(英寸)尺寸。
引脚共面性= 0.10毫米( 0.004英寸)最大。
0.305 MIN 。
(0.012)
8引脚宽体DIP封装( HCNW139 / HCNW138 )
11.15 ± 0.15
(0.442 ± 0.006)
8
7
6
5
11.00 MAX 。
(0.433)
9.00 ± 0.15
(0.354 ± 0.006)
类型编号
日期代码
HP
HCNWXXXX
YYWW
1
2
3
4
1.55
(0.061)
马克斯。
10.16 (0.400)
典型值。
7 °典型。
+ 0.076
0.254 - 0.0051
+ 0.003)
(0.010 - 0.002)
5.10 MAX 。
(0.201)
3.10 (0.122)
3.90 (0.154)
2.54 (0.100)
典型值。
1.78 ± 0.15
(0.070 ± 0.006)
0.40 (0.016)
0.56 (0.022)
0.51 ( 0.021 ) MIN 。
毫米(英寸)尺寸。
低输入电流
高增益SPLIT
达林顿光耦合器
单通道
6N138
6N139
描述
该6N138 / 9和HCPL- 2730 / HCPL- 2731光电耦合器组成的AlGaAs LED的
光学耦合到一个高增益分裂达林顿光电检测器。
分割达林顿结构分离输入光电二极管和所述第一
级增益从输出晶体管允许较低的输出饱和电压和
可能比传统达林顿晶体管更高的速度运行
光电耦合器。在双通道设备, HCPL- 2730 / HCPL2731 ,集成
发射极 - 基极电阻提供出色的温度稳定性。
0.5mA的非常低的输入电流和高电流传输的组合
2000 %的比例,使这个家庭的输入接口, MOS特别有用,
CMOS , LSTTL和EIA RS-232C ,而输出的兼容性保证,以CMOS为
以及高扇出TTL要求。
内部噪音屏蔽提供极为出色的共模抑制10千伏/微秒。
一种改进的封装使绝缘性能优越,允许一个480 V工作电压
相比于行业标准的220 V.
8
1
双通道
HCPL-2730
HCPL-2731
8
1
8
1
特点
低电流 - 0.5毫安
高级CTR -2000 %
高级CMR - 10 KV / μs的
双工作电压480V RMS
CTR保证0-70 ℃,
U.L.认可(文件# E90700 )
双通道 - HCPL- 2730
HCPL-2731
应用
数字逻辑接地隔离
电话铃声探测器
EIA -RS - 232C线路接收器
高共模噪声线路接收器
微处理器总线隔离
电流环路接收器
N / C 1
8 V
CC
+ 1
V
F1
8 V
CC
+ 2
V
F
_
3
7 V
B
_ 2
7 V
01
6 V
O
_
V
F2
3
6 V
02
N / C 4
5 GND
+ 4
5 GND
6N138 / 6N139
HCPL - 2730 / HCPL- 2731
绝对最大额定值
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
辐射源
DC /平均正向电流输入
(无需降额高达85° C)
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
每个通道
每个通道
I
F
( AVG)
I
F
( PK)
I
F
(反式)
每个通道
每个通道
每个通道
( 6N138和6N139 )
( 6N138 , HCPL- 2730 )
( 6N139 , HCPL- 2731 )
每个通道
V
R
P
D
I
O
( AVG)
V
EB
V
CC
, V
O
P
D
价值
-55到+125
-40至+85
260 ,持续10秒
20
40
1.0
5
35
60
0.5
-0.5 7
-0.5到18
100
单位
°C
°C
°C
mA
mA
A
V
mW
mA
V
V
mW
正向峰值输入电流(占空比为50% , 1毫秒PW )
峰值瞬态输入电流 - ( ! "1微秒PW , 300 ,PPS)
反向输入电压
输入功率耗散
探测器
平均输出电流
发射极 - 基反向电压
电源电压,输出电压
输出功率耗散
12/27/99
200023A
低输入电流
高增益SPLIT
达林顿光耦合器
单通道
6N138
6N139
双通道
HCPL-2730
HCPL-2731
电气特性
参数
辐射源
输入正向电压
输入反向击穿电压
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编)
单个组件特性
测试条件
T
A
=25°C)
每个通道(I
F
= 1.6 mA)的
(T
A
= 25 ° C,I
R
= 10 A)
每个通道
(I
F
= 1.6 mA)的
符号
V
F
BV
R
(#V
F
/#T
A
)
设备
所有
所有
所有
6N139
I
OH
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730
6N138
I
CCL
6N139
HCPL-2731
HCPL-2730
6N138
I
CCH
6N139
HCPL-2731
HCPL-2730
0.01
0.4
1.3
0.05
0.1
250
1.5
mA
3
10
A
20
5.0
典型**
1.30
最大
1.7
1.75
20
-1.8
0.01
100
单位
V
V
毫伏/°C的
A
正向电压的温度系数
探测器
(I
F
= 0 mA时,V
O
= V
CC
= 18 V)
每个通道
(I
F
= 0 mA时,V
O
= V
CC
= 7 V)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安, V
O
=开)
(V
CC
= 18 V)
(I
F1
= I
F2
= 1.6毫安, V
CC
= 18 V)
(V
O1
= V
O2
=打开,V
CC
= 7 V)
(I
F
= 0 mA时,V
O
=开)
逻辑高电平输出电流
逻辑低电平电源
逻辑高电源
(V
CC
= 18 V)
(I
F1
= I
F2
= 0 mA时,V
CC
= 18 V)
(V
O1
= V
O2
=打开,V
CC
= 7 V)
**所有标准结构在T
A
= 25°C
12/27/99
200023A
低输入电流
高增益SPLIT
达林顿光耦合器
单通道
6N138
6N139
双通道
HCPL-2730
HCPL-2731
传输特性
参数
再加
电流传输比
(注1,2 )
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编)
测试条件
符号
设备
6N139
HCPL-2731
CTR
6N139
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730
6N139
6N139
HCPL-2731
6N139
V
OL
HCPL-2731
6N139
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730
400
500
300
典型**
1100
3500
1300
2500
1300
2500
0.08
0.01
0.13
0.20
0.10
0.4
0.4
0.4
V
0.4
0.4
最大
单位
%
%
%
(I
F
= 0.5毫安, V
O
= 0.4 V, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安, V
O
= 0.4 V, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安, V
O
= 0.4 V, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 0.5毫安,我
O
= 2毫安, V
CC
= 4.5 V)
(I
F
= 1.6毫安,我
O
= 8毫安, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
逻辑低输出电压(I
F
= 5毫安,我
O
= 15毫安, V
CC
= 4.5 V)
输出电压
(注2 )
每个通道
(I
F
= 12 mA时,我
O
= 24 mA时, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安,我
O
= 4.8毫安,V
CC
= 4.5 V)
每个通道
**所有标准结构在T
A
= 25°C
12/27/99
200023A
低输入电流
高增益SPLIT
达林顿光耦合器
单通道
6N138
6N139
开关特性
参数
双通道
HCPL-2730
HCPL-2731
(T
A
= 0至70℃,除非另有说明。 ,V
CC
= 5 V)
符号
设备
6N139
4
HCPL-2731
6N139
T
PHL
HCPL-2730
HCPL-2731
6N138
0.3
1.5
3
0.2
典型**
最大
30
25
120
100
2
1
3
2
15
10
25
1
20
90
12
22
1.3
60
10
7
15
5
10
50
7
16
35
s
s
单位
测试条件
(R
L
= 4.7千$ ,我
F
= 0.5 mA)的
T
A
= 25°C
(R
L
= 4.7千$ ,我
F
= 0.5 mA)的
每个通道
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
(R
L
= 270
$,
I
F
= 12 mA)的
每个通道
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
(R
L
=为2.2k $ ,我
F
= 1.6 mA)的
每个通道
T
A
= 25°C
(R
L
=为2.2k $ ,我
F
= 1.6 mA)的
传播延迟
时间逻辑低
(注2) (图22)
(R
L
= 270
$,
I
F
= 12 mA)的
HCPL-2731
HCPL-2730
6N139
HCPL-2731
6N139
HCPL-2731
6N139
T
PLH
HCPL-2730
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730/1
6N138
HCPL-2730/1
6N138
|厘米
H
|
6N139
HCPL-2730
HCPL-2731
6N138
|厘米
L
|
6N139
HCPL-2730
HCPL-2731
1,000
10,000
1,000
10,000
(R
L
= 4.7千$ ,我
F
= 0.5 mA)的
每个通道
(R
L
= 4.7千$ ,我
F
= 0.5毫安)T
A
= 25°C
每个通道
(R
L
= 270
$,
I
F
= 12 mA)的
传播延迟
时间逻辑高
(注2) (图22)
T
A
= 25°C
(R
L
= 270
$,
I
F
= 12 mA)的每个通道
T
A
= 25°C
(R
L
=为2.2k $ ,我
F
= 1.6 mA)的
每个通道
(R
L
=为2.2k $ ,我
F
= 1.6毫安)T
A
= 25°C
每个通道
共模
短暂
在免疫力
逻辑高
共模
短暂
在免疫力
逻辑低
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
F
= 0 mA时,
%V
CM
%
= 10 V
P-P
)
T
A
= 25 ℃, (注册商标
L
=为2.2k $) (注3) (图23)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安,
%V
CM
%
= 10 V
P-P,
R
L
= 2.2 k$)
T
A
= 25 ℃(注3 )(图23)
每个通道
V / μs的
V / μs的
12/27/99
200023A
低输入电流
高增益SPLIT
达林顿光耦合器
单通道
6N138
6N139
隔离特性
特征
输入输出
绝缘泄漏电流
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编)
测试条件
(相对湿度= 45%)
(T
A
= 25 ℃, T = 5秒)
(V
我-O
= 3000 VDC )
(注8)
耐压绝缘测试电压
电阻(输入到输出)
电容(输入输出)
输入 - 输入
绝缘泄漏电流
输入 - 输入电阻
输入 - 输入电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
( RH
!
50%, T
A
= 25°C)
(注4) ( T = 1分。 )
(注4 ) (V
我-O
= 500 VDC)
(注4,5)中(f = 1 MHz)的
T = 5秒, ( HCPL -二千七百三十一分之二千七百三十○只)
(V
I-I
= 500 VDC) (注6 )
( HCPL -二千七百三十一分之二千七百三十○只)
中(f = 1兆赫) (注6)
( HCPL -二千七百三十一分之二千七百三十○只)
V
ISO
R
我-O
C
我-O
I
I-I
R
I-I
C
I-I
2500
10
12
0.6
0.005
10
11
0.03
V
RMS
$
pF
A
$
pF
I
我-O
1.0
A
符号
典型**
最大
单位
双通道
HCPL-2730
HCPL-2731
( RH
!
45%, V
I-I
= 500 VDC) (注6 )
笔记
1.电流传输比被定义为输出集电极电流的比率,我
O,
于正向LED输入电流,I
F
乘以100%。
2.引脚7打开。 ( 6N138和6N139只)
在逻辑高电平3.共模瞬态抗扰度是最大容许(正)DV
cm
/ DT上的领先优势
共模脉冲信号,V
CM
,以保证该输出将保持在逻辑高状态(也就是,V
O
&2.0
V) 。共模
在逻辑低电平瞬态抗扰度是最大耐受(负)DV
cm
/ dt的对共模脉冲的后沿
信号V
CM
,以保证该输出将保持在逻辑低状态(也就是,V
O
'0.8
V).
4.设备被认为是一个双端器件:引脚1 ,2,3和4被短接在一起,并且销5 ,图6,图7和8被短接在一起。
5.对于双通道器件,C
我-O
通过短路引脚1和2或针3和4一起和引脚5到8短接在一起进行测量。
6.测量引脚1和2短接在一起,针3和4短接在一起的。
12/27/99
200023A
6N138
6N139
低输入电流,高增益
光电耦合器
特点
高电流传输比, 800 %
低输入电流, 0.5毫安
高输出电流, 60毫安
隔离测试电压2500 VAC
RMS
TTL兼容输出, VOL = 0.1 V
高共模抑制, 500V /
美国证券交易委员会。
可调节带宽,访问基地
标准铸就浸塑料包装
美国保险商实验室文件# E52744
应用
逻辑接地隔离- TTL / TTL , TTL / CMOS ,
CMOS / CMOS , CMOS / TTL
EIA RS 232C线路接收器
低输入电流线路接收器,线路长,
坚持党的领导
电话振铃检测
117 VAC线电压状态指示 - 低
输入功率耗散
低功耗系统,接地隔离
描述
高共模瞬态抗扰度,非常
2500 VAC绝缘高电流比起来
被耦合的LED具有集成实现
在一个8脚双列直插式高增益光检测器
封装。独立的引脚为光电二极管和输出
把舞台让TTL兼容饱和电压
年龄段的高速操作。 PHOTODARLINGTON
操作是通过搭售V实现
CC
和V
O
之三
minals在一起。获得的基极端子可
调整增益带宽。
该6N138是理想的,因为TTL应用
带有LED的300%最小电流传输比
1.6 mA电流使操作一个单元
加载中,一个单位负载出了为2.2k
引体向上
电阻器。
该6N139是最适合于低功率逻辑应用程序
阳离子包括CMOS ,低功耗TTL 。一
与只有0.5毫安LED 400 %的电流传输比
电流从0保证
°
C至70
°
C.
注意事项:
由于该设备的小的几何形状,它应该是
与静电放电( ESD )注意事处理
系统蒸发散。正确的接地可以防止进一步的损害
和/或降解可通过静电诱导。
尺寸以英寸(毫米)
4
3
2
1
内径
NC 1
2
8
7
6
5
0.305 (典型值) 。
( 7.75 ) (典型值) 。
VCC
VB
V0
GND
.268 (6.81)
.255 (6.48)
阳极
阴极3
5
6
7
8
.390 (9.91)
.379 (9.63)
.045 (1.14)
.030 (.76)
.150 (3.81)
.130 (3.30)
典型值。
.022 (.56)
.018 (.46)
.040 (1.02)
.030 (.76 )
.100 ( 2.54 ) (典型值) 。
10
°
典型值。
NC 4
.135 (3.43)
.115 (2.92)
3°–9°
.012 (.30)
.008 (.20)
最大额定值
反向输入电压............................................... ........................... 5 V
电源和输出电压,V
CC
(引脚8-5 ) ,V
O
(引脚6-5 )
6N138 ................................................. .................................. -0.5到7V
6N139 ................................................. ................................ -0.5至18 V
发射基反向电压(引脚5-7) ....................................... ..... 0.5 V
平均输入电流............................................... ...................... 20毫安
峰值输入电流(占空比为50% , 1毫秒脉冲宽度) ................ 40毫安
峰值瞬态输入电流( TP
1
秒, 300 PPS ........................... 1.0
输出电流I
O
(引脚6) .............................................. ................... 60毫安
线性降额超过25
°
C,自由的空气温度为0.7毫安/
°
C
输入功率耗散............................................... .................. 35毫瓦
减免50 %以上的线性,自由的空气温度为0.7毫瓦/
°
C
输出功率耗散............................................... .............. 100毫瓦
线性降额超过25
°
C,自由的空气温度为0.2毫安/
°
C
绝缘测试电压............................................... ............ 2500 VAC
RMS
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ,T
A
=25
°
C
.........................................................................≥
10
12
V
IO
= 500 V ,T
A
=100
°
C
.......................................................................≥
10
11
存储温度................................................ ......- 55
°
C至+ 125
°
C
工作温度................................................ ..- 55
°
C至+100
°
C
引线焊接温度(T = 10秒。 ) ........................................ 260
°
C
5–1
光电特性
(T
A
=0
°
C至70
°
C,T
A
=25
°
C-典型的,除非另有规定编)
参数
电流传输比
符号
CTR
设备
6N138
6N139
逻辑低
输出电压
V
OL
6N138
6N139
6N139
6N139
6N138
I
OH
I
CCL
I
CCH
V
F
BV
R
5
-1.8
C
IN
I-0
R
我-O
C
我-O
10
12
0.6
25
1.0
6N139
.
300
400
500
典型值。
1600
1600
2000
0.1
0.1
0.15
0.25
0.1
0.05
0.2
0.001
1.4
0.4
0.4
0.4
0.4
250
100
1.5
10
1.7
马克斯。
单位
%
%
V
V
测试条件
I
F
= 1.6毫安, V
O
=0.4 V, V
CC
=4.5 V
I
F
= 0.5毫安, V
O
=0.4 V, V
CC
=4.5 V
I
F
= 1.6毫安, V
O
=0.4 V, V
CC
=4.5 V
I
F
= 1.6毫安,我
O
= 4.8毫安,V
CC
=4.5 V
I
F
= 1.6毫安,我
O
= 8毫安, V
CC
=4.5 V
I
F
= 5毫安,我
O
= 15毫安, V
CC
=4.5 V
I
F
= 12 mA时,我
O
= 24 mA时, V
CC
=4.5 V
I
F
= 0 mA时,V
O
=V
CC
=7 V
I
F
= 0 mA时,V
O
=V
CC
=18 V
I
F
= 1.6毫安, V
O
=打开,V
CC
=18 V
I
F
= 0 mA时,V
O
=打开,V
CC
=18 V
I
F
= 1.6毫安,T
A
=25
°
C
I
R
=10
A
I
F
= 1.6毫安
F = 1MHz时, V
F
=0
45%相对湿度,T
A
=25
°
C
t=5
S
, V
1-0
= 3000 VDC
V
IO
= 500 VDC
F = 1 MHz的
7
7
7
5.6
5.6
6
6
逻辑高
输出电流
逻辑低电源电流
逻辑高电平电源电流
输入正向电压
输入反向击穿
电压
温度COEF网络cient
正向电压
输入电容
输入 - 输出绝缘
漏电流
电阻(输入输出)
电容(输入输出)
A
A
mA
A
V
V
毫伏/
°
C
pF
A
pF
6
6
6
6
交换特定网络阳离子
(T
A
=25
°
C)
参数
传播延迟时间
为逻辑低电平时输出
传播延迟时间
到输出逻辑高电平
共模瞬态抗扰度在逻辑
高电平输出
共模瞬态抗扰度在逻辑
低电平输出继电器
笔记
1.Derate线50上方
°
自由的空气温度为0.4 mA的速度/
°
C.
2.Derate线50上方
°
自由的空气温度为0.7毫瓦/分的速度
°
C.
3.Derate线25上方
°
自由的空气温度为0.7 mA的速度/
°
C.
4.Derate线25上方
°
自由的空气温度为2.0毫瓦/分的速度
°
C.
5.DC电流传输比是德定义为outpput集电极电流IO的比值音响,以向前的LED输入电流IF乘以100 %。
6.Pin 7打开。
7.Device认为是一个双端器件:引脚1 ,2,3和4短接在一起,并且销5 ,6,7和8短接在一起。
8.Using引脚5到7之间的电阻会降低增益和延迟时间。
在逻辑高电平9.Common模瞬态抑制是最大容许(正) dVcm / dt值的共模的前缘
脉冲,V
CM
,以保证该输出将保持在逻辑高状态(即V
O
& GT ;
2.0 V)在逻辑低电平的共模瞬态抗扰度是
最大容许(负) dVcm / dt的对共模脉冲信号V的后缘
CM
,以保证该输出将保持在一个
逻辑低状态(即V
O
& LT ;
0.8 V).
10.In应用的dv / dt可能超过50000 V /
S(如国家排放)的串联电阻,R
CC
应列入保护我
C
破坏性的高浪涌电流。建议值
IV
t
PLH
CM
H
CM
L
t
PHL
6N138
6N139
符号
设备
6N138
6N139
.
典型值。
2
6
0.6
2
4
1.5
500
–500
马克斯。
10
25
1
35
60
7
单位
S
S
S
S
V / μs的
V / μs的
测试条件
I
F
= 1.6毫安,R
L
=2.2 K
I
F
= 0.5毫安,R
L
=4.7 K
I
F
= 12毫安,R
L
=270
I
F
= 1.6毫安,R
L
=2.2 K
I
F
= 0.5毫安,R
L
=4.7 K
I
F
= 12毫安,R
L
=270
I
F
= 0 mA时,R
L
=2.2 K
R
CC
=0/V
CM
/=10 V
p-p
I
F
= 1.6毫安,R
L
=2.2 K
R
CC
=0/V
CM
/=10 V
p-p
6,8
9,10
9,10
6,8
-
R
CC
--------------------------------
k
0.15I
F
(
mA
)
5–2
6N139/139
6N138
6N138
s
特点
1.高电流传输比
( CTR : MIN 300在I %
F
= 1.6毫安)
2.高速响应
( t
PHL
: TYP 。 2
s的
L
= 2.2k )
3.瞬时共模抑制
电压( CM
H
: TYP 。 500V /
s )
4, TTL兼容输出
5.国外标准模型
6.通过UL , E64380号文件认可。
高感光度,高速
OPIC光耦合器
s
外形尺寸
0.85
±
0.3
8
7
6N138
1.2
±
0.3
6
5
6.5
±
0.5
(单位:毫米)
内部连接
8
7
6
5
0.5TYP
s
应用
1.接口的电脑外设
2.电子计算机,测量仪器,
控制设备
3.电话套
4.电路之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
3.7
±
0.5
3.5
±
0.5
1
2
3
4 0.8
±
0.2
1.2
±
0.3
初级侧标记(沉没的地方)
9.22
±
0.5
1
2
3
4
7.62
±
0.3
θ
0.5
±
0.1
1 NC
2.54
±
0.25
θ
=
0到13
0.26
±
0.1
θ
5 GND
6 V
O
7 V
B
8 V
CC
2阳极
3阴极
4 NC
*“ OPIC ” (光集成电路)是夏普公司的注册商标。
一个OPIC由一个光检测元件和信号 - 的
处理电路集成于单一芯片上。
s
绝对最大额定值
参数
正向电流
*1
最大正向电流
*2
峰值瞬态正向电流
反向电压
功耗
电源电压
输出电压
发射极 - 基反
耐受电压(引脚5到7 )
*3
平均输出电流
功耗
*4
隔离电压
工作温度
储存温度
*5
焊接温度
符号
I
F
I
F
I
FM
V
R
P
V
CC
V
O
V
EBO
I
O
P
O
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
等级
20
40
1
5
35
- 0.5 + 7
- 0.5 + 7
0.5
60
100
2 500
0至+ 70
- 55至+ 125
260
(大= 25℃)
单位
mA
mA
A
V
mW
V
V
V
mA
mW
V
RMS
C
C
C
输入
产量
* 1 50%的占空比,脉冲宽度: 1毫秒
* 2脉冲宽度< = 1
S, 300pps
* 3减小在0.7毫安/ C的速率,如果外部温度为25℃以上。
* 4 40 %至60% RH下,交流进行1分钟
* 5在10秒
在没有确认元器件规格说明书中,夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备,在目录显示不承担任何责任,
数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本“ 。
6N138
s
光电特性
*1
例(Ta = 0至70°C ,除非另有规定)
符号
CTR
V
OL
I
OH
I
CCL
I
CCH
V
F
*2
BV
R
C
IN
I
我-O
R
我-O
C
我-O
条件
I
F
= 1.6毫安,V
O
= 0.4V, V
CC
= 4.5V
I
O
= 4.8毫安,V
CC
= 4.5V ,我
F
= 1.6毫安
I
F
= 0, V
CC
= V
O
= 7V
I
F
= 1.6毫安,V
CC
= 5V, V
O
=打开
I
F
= 0, V
CC
= 5V, V
O
=打开
I
F
= 1.6毫安,TA = 25℃
I
F
= 1.6毫安
I
R
= 10
A,
TA = 25°C
V
F
= 0中,f = 1MHz的
TA = 25℃ , 45 % RH , T = 5秒
V
我-O
= 3kV的DC
V
我-O
= 500V DC
F = 1MHz的
分钟。
300
-
-
-
-
-
-
5.0
-
-
-
-
典型值。
1 600
0.1
0.1
0.5
10
1.5
- 1.9
-
60
-
10
12
0.6
马克斯。
-
0.4
250
-
-
1.7
-
-
-
1.0
-
-
单位
%
V
A
mA
nA
V
毫伏/°C的
V
pF
A
pF
参数
电流传输比
逻辑(0)的输出电压
逻辑(1)的输出电流
逻辑(1)电源电流
逻辑(1 )电源电流
输入正向电压
输入正向电压
温度COEF网络cient
输入反向电压
输入电容
*3
漏电流
(输入输出)
*3
(输入输出)
绝缘电阻
*3
(输入输出)
电容
* 1电流传递比是输入电流和输出的比
电流以%表示。
*2
V
F
/
Ta
* 3测量为2针元件(短1,2, 3,4和5 ,6,7 , 8)。
注)典型值:在Ta = 25℃ ,V
CC
= 5V
s
开关特性
*4
( TA = 25℃ ,V
CC
= 5V)
符号
t
PHL
t
PLH
CM
H
CM
L
条件
I
F
= 1.6毫安
R
L
= 2.2k
I
F
= 1.6毫安
R
L
= 2.2k
I
F
= 0, V
CM
= 10V
P-P
R
L
= 2.2k
I
F
= 1.6毫安,V
CM
= 10V
R
L
= 2.2k
分钟。
-
-
-
P-P
参数
传播延迟时间
(1)输出
( 0 )
*4
传播延迟时间
输出(0)
(1)
*5
*6
瞬时共模
抑制电压“输出( 1 ) ”
*5
*6
瞬时共模
抑制电压“输出(0)”
典型值。
2
7
500
- 500
马克斯。
10
35
-
-
单位
s
s
V/
s
V/
s
-
* 5瞬时共模抑制电压“输出(1) ”表示的共模电压的变化,可容纳
上述(1)电平的输出(Ⅴ
O
> 2.0V ) 。
瞬时共模抑制电压“输出(0) ”表示的共模电压的变化,可容纳
上述( 0)电平的输出(Ⅴ
O
< 0.8V ) 。
*为传播延迟时间4测试电路
脉冲振荡器
脉冲输入
占空比
=
1/10
I
F
1
2
3
I
F
MONITOR
100
4
5
6
7
8
R
L
V
O
C
L
=
15pF
t
PHL
t
PLH
V
CC
V
O
1.5V
5V
1.5V
V
OL
I
F
0
6N138
* 6测试电路瞬时共模抑制电压
I
F
t
r
=
t
f
=
16ns
10%
90%
1
2
8
7
6
5
V
CM
R
L
V
CC
=
5V
10V
V
CM
0V
CM
H
V
O
CM
L
V
O
90%
10%
t
r
B
V
FF
A
3
4
t
f
V
o
5V
I
F
=
0
0.8V
I
F
=
16mA
2V
V
OL
图。 1正向电流与
环境温度
30
图。 2功耗对比
环境温度
120
P
O
100
耗散功率P,P
o
( mW)的
正向电流I
F
(MA )
20
80
60
10
40
35
20
0
0
P
0
0
25
50
70 75
a
100
25
50
70 75
a
100
环境温度T
( C )
环境温度T
( C )
图。 3正向电流与正向电压
100
图。 4输出电流和输出电压
60
V
CC
= 5V
T
a
= 25C
(M
P
O
A
50
正向电流I
F
(MA )
输出电流I
O
(MA )
10
I
F
= 5毫安
X
.)
4.5mA
4.0mA
40
3.5mA
3.0mA
2.5mA
2.0mA
1
T
a
= 0C
25C
50C
70C
30
20
1.5mA
1.0mA
0.5mA
0.1
10
0.01
1.0
0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
正向电压V
F
( V )
2.2
0
1
输出电压V
O
( V )
2
6N138
图。 5电流传输比主场迎战
正向电流
1 000
电流传输比CTR ( % )
T
a
= 70C
25C
0C
800
V
CC
= 4.5V
V
O
= 0.4V
10
输出电流I
O
(MA )
图。 6输出电流与正向电流
50
T
a
= 70C
1
600
0.1
25C
0C
400
0.01
0.004
0.01
200
0.1
1
正向电流I
10
F
100
0.1
1
F
V
CC
= 5.0V
V
O
= 0.4V
10
100
(MA )
(MA )
正向电流I
图。 7传播延迟时间 -
环境温度
2
(
s )
I
F
= 12毫安
R
L
= 270
1/f = 100
s
图。 7 -B传输延迟时间 -
环境温度
10
(
s
)
I
F
- 0.5毫安
R
L
= 4.7k
1 / F = 1毫秒
PLH
,t
,t
PLH
传播延迟时间t
PHL
1
t
PLH
传播延迟时间t
PHL
t
PLH
5
t
PHL
t
PHL
0
0
10
20
30
40
50
60
70
环境温度T
a
( C )
0
0
10
20
30
40
50
60
70
环境温度T
a
( C )
图。 8上升时间,下降时间 -
负载电阻
1 000
我调整
F
到V
OL
= 2V
T
a
= 25C
上升时间,下降时间t
r
, t
f
(
s )
图。 9逻辑(1 )电源电流与
环境温度
10
逻辑(1 )电源电流I
CCH
( A )
-6
I
F
= 0毫安
V
CC
= 15V
V
O
=打开
-7
10
100
10
-8
t
f
10
t
r
10
-9
1
0.1
1
负载阻抗R
L
( k
)
10
10
- 10
0
10
20
30
40
50
60
环境温度T
a
( C )
70
6N138
* 7测试电路的上升时间,下降时间与负载电阻
输入
I
F
O
脉冲
输入
占空比
=
1
/
10
脉冲
振荡器
I
F
1
2
3
I
F
MONITOR
100
4
8
7
6
5
R
L
V
O
C
L
=
15
PF
10%
90%
t
r
90%
10%
t
f
5V
2V
V
CC
t
PHL
V
O
产量
(饱和)
1.5V
t
PLH
1.5V
V
OL
5V
产量
(不饱和)
s
使用注意事项
(1)建议将一个旁路电容大于0.01的
f为V之间增加
CC
以稳定的电源线GND的设备附近。
(2)在双极配置检测器侧的晶体管容易受静电
其分的设计。当处理它们,防静电的一般对策
应注意避免设备或特性的劣化击穿。
( 3 )至于其他一般注意事项,请参见“使用注意事项” 。
低输入电流
高增益SPLIT
达林顿光耦合器
单通道
6N138
6N139
描述
该6N138 / 9和HCPL- 2730 / HCPL- 2731光电耦合器组成的AlGaAs LED的
光学耦合到一个高增益分裂达林顿光电检测器。
分割达林顿结构分离输入光电二极管和所述第一
级增益从输出晶体管允许较低的输出饱和电压和
可能比传统达林顿晶体管更高的速度运行
光电耦合器。在双通道设备, HCPL- 2730 / HCPL2731 ,集成
发射极 - 基极电阻提供出色的温度稳定性。
0.5mA的非常低的输入电流和高电流传输的组合
2000 %的比例,使这个家庭的输入接口, MOS特别有用,
CMOS , LSTTL和EIA RS-232C ,而输出的兼容性保证,以CMOS为
以及高扇出TTL要求。
内部噪音屏蔽提供极为出色的共模抑制10千伏/微秒。
一种改进的封装使绝缘性能优越,允许一个480 V工作电压
相比于行业标准的220 V.
8
1
双通道
HCPL-2730
HCPL-2731
8
1
8
1
特点
低电流 - 0.5毫安
高级CTR -2000 %
高级CMR - 10 KV / μs的
双工作电压480V RMS
CTR保证0-70 ℃,
U.L.认可(文件# E90700 )
双通道 - HCPL- 2730
HCPL-2731
应用
数字逻辑接地隔离
电话铃声探测器
EIA -RS - 232C线路接收器
高共模噪声线路接收器
微处理器总线隔离
电流环路接收器
N / C 1
8 V
CC
+ 1
V
F1
8 V
CC
+ 2
V
F
_
3
7 V
B
_ 2
7 V
01
6 V
O
_
V
F2
3
6 V
02
N / C 4
5 GND
+ 4
5 GND
6N138 / 6N139
HCPL - 2730 / HCPL- 2731
绝对最大额定值
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
辐射源
DC /平均正向电流输入
(无需降额高达85° C)
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
每个通道
每个通道
I
F
( AVG)
I
F
( PK)
I
F
(反式)
每个通道
每个通道
每个通道
( 6N138和6N139 )
( 6N138 , HCPL- 2730 )
( 6N139 , HCPL- 2731 )
每个通道
V
R
P
D
I
O
( AVG)
V
EB
V
CC
, V
O
P
D
价值
-55到+125
-40至+85
260 ,持续10秒
20
40
1.0
5
35
60
0.5
-0.5 7
-0.5到18
100
单位
°C
°C
°C
mA
mA
A
V
mW
mA
V
V
mW
正向峰值输入电流(占空比为50% , 1毫秒PW )
峰值瞬态输入电流 - ( ! "1微秒PW , 300 ,PPS)
反向输入电压
输入功率耗散
探测器
平均输出电流
发射极 - 基反向电压
电源电压,输出电压
输出功率耗散
12/27/99
200023A
低输入电流
高增益SPLIT
达林顿光耦合器
单通道
6N138
6N139
双通道
HCPL-2730
HCPL-2731
电气特性
参数
辐射源
输入正向电压
输入反向击穿电压
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编)
单个组件特性
测试条件
T
A
=25°C)
每个通道(I
F
= 1.6 mA)的
(T
A
= 25 ° C,I
R
= 10 A)
每个通道
(I
F
= 1.6 mA)的
符号
V
F
BV
R
(#V
F
/#T
A
)
设备
所有
所有
所有
6N139
I
OH
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730
6N138
I
CCL
6N139
HCPL-2731
HCPL-2730
6N138
I
CCH
6N139
HCPL-2731
HCPL-2730
0.01
0.4
1.3
0.05
0.1
250
1.5
mA
3
10
A
20
5.0
典型**
1.30
最大
1.7
1.75
20
-1.8
0.01
100
单位
V
V
毫伏/°C的
A
正向电压的温度系数
探测器
(I
F
= 0 mA时,V
O
= V
CC
= 18 V)
每个通道
(I
F
= 0 mA时,V
O
= V
CC
= 7 V)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安, V
O
=开)
(V
CC
= 18 V)
(I
F1
= I
F2
= 1.6毫安, V
CC
= 18 V)
(V
O1
= V
O2
=打开,V
CC
= 7 V)
(I
F
= 0 mA时,V
O
=开)
逻辑高电平输出电流
逻辑低电平电源
逻辑高电源
(V
CC
= 18 V)
(I
F1
= I
F2
= 0 mA时,V
CC
= 18 V)
(V
O1
= V
O2
=打开,V
CC
= 7 V)
**所有标准结构在T
A
= 25°C
12/27/99
200023A
低输入电流
高增益SPLIT
达林顿光耦合器
单通道
6N138
6N139
双通道
HCPL-2730
HCPL-2731
传输特性
参数
再加
电流传输比
(注1,2 )
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编)
测试条件
符号
设备
6N139
HCPL-2731
CTR
6N139
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730
6N139
6N139
HCPL-2731
6N139
V
OL
HCPL-2731
6N139
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730
400
500
300
典型**
1100
3500
1300
2500
1300
2500
0.08
0.01
0.13
0.20
0.10
0.4
0.4
0.4
V
0.4
0.4
最大
单位
%
%
%
(I
F
= 0.5毫安, V
O
= 0.4 V, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安, V
O
= 0.4 V, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安, V
O
= 0.4 V, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 0.5毫安,我
O
= 2毫安, V
CC
= 4.5 V)
(I
F
= 1.6毫安,我
O
= 8毫安, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
逻辑低输出电压(I
F
= 5毫安,我
O
= 15毫安, V
CC
= 4.5 V)
输出电压
(注2 )
每个通道
(I
F
= 12 mA时,我
O
= 24 mA时, V
CC
= 4.5 V)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安,我
O
= 4.8毫安,V
CC
= 4.5 V)
每个通道
**所有标准结构在T
A
= 25°C
12/27/99
200023A
低输入电流
高增益SPLIT
达林顿光耦合器
单通道
6N138
6N139
开关特性
参数
双通道
HCPL-2730
HCPL-2731
(T
A
= 0至70℃,除非另有说明。 ,V
CC
= 5 V)
符号
设备
6N139
4
HCPL-2731
6N139
T
PHL
HCPL-2730
HCPL-2731
6N138
0.3
1.5
3
0.2
典型**
最大
30
25
120
100
2
1
3
2
15
10
25
1
20
90
12
22
1.3
60
10
7
15
5
10
50
7
16
35
s
s
单位
测试条件
(R
L
= 4.7千$ ,我
F
= 0.5 mA)的
T
A
= 25°C
(R
L
= 4.7千$ ,我
F
= 0.5 mA)的
每个通道
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
(R
L
= 270
$,
I
F
= 12 mA)的
每个通道
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
(R
L
=为2.2k $ ,我
F
= 1.6 mA)的
每个通道
T
A
= 25°C
(R
L
=为2.2k $ ,我
F
= 1.6 mA)的
传播延迟
时间逻辑低
(注2) (图22)
(R
L
= 270
$,
I
F
= 12 mA)的
HCPL-2731
HCPL-2730
6N139
HCPL-2731
6N139
HCPL-2731
6N139
T
PLH
HCPL-2730
HCPL-2731
6N138
HCPL-2730/1
6N138
HCPL-2730/1
6N138
|厘米
H
|
6N139
HCPL-2730
HCPL-2731
6N138
|厘米
L
|
6N139
HCPL-2730
HCPL-2731
1,000
10,000
1,000
10,000
(R
L
= 4.7千$ ,我
F
= 0.5 mA)的
每个通道
(R
L
= 4.7千$ ,我
F
= 0.5毫安)T
A
= 25°C
每个通道
(R
L
= 270
$,
I
F
= 12 mA)的
传播延迟
时间逻辑高
(注2) (图22)
T
A
= 25°C
(R
L
= 270
$,
I
F
= 12 mA)的每个通道
T
A
= 25°C
(R
L
=为2.2k $ ,我
F
= 1.6 mA)的
每个通道
(R
L
=为2.2k $ ,我
F
= 1.6毫安)T
A
= 25°C
每个通道
共模
短暂
在免疫力
逻辑高
共模
短暂
在免疫力
逻辑低
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
F
= 0 mA时,
%V
CM
%
= 10 V
P-P
)
T
A
= 25 ℃, (注册商标
L
=为2.2k $) (注3) (图23)
每个通道
(I
F
= 1.6毫安,
%V
CM
%
= 10 V
P-P,
R
L
= 2.2 k$)
T
A
= 25 ℃(注3 )(图23)
每个通道
V / μs的
V / μs的
12/27/99
200023A
低输入电流
高增益SPLIT
达林顿光耦合器
单通道
6N138
6N139
隔离特性
特征
输入输出
绝缘泄漏电流
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编)
测试条件
(相对湿度= 45%)
(T
A
= 25 ℃, T = 5秒)
(V
我-O
= 3000 VDC )
(注8)
耐压绝缘测试电压
电阻(输入到输出)
电容(输入输出)
输入 - 输入
绝缘泄漏电流
输入 - 输入电阻
输入 - 输入电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
( RH
!
50%, T
A
= 25°C)
(注4) ( T = 1分。 )
(注4 ) (V
我-O
= 500 VDC)
(注4,5)中(f = 1 MHz)的
T = 5秒, ( HCPL -二千七百三十一分之二千七百三十○只)
(V
I-I
= 500 VDC) (注6 )
( HCPL -二千七百三十一分之二千七百三十○只)
中(f = 1兆赫) (注6)
( HCPL -二千七百三十一分之二千七百三十○只)
V
ISO
R
我-O
C
我-O
I
I-I
R
I-I
C
I-I
2500
10
12
0.6
0.005
10
11
0.03
V
RMS
$
pF
A
$
pF
I
我-O
1.0
A
符号
典型**
最大
单位
双通道
HCPL-2730
HCPL-2731
( RH
!
45%, V
I-I
= 500 VDC) (注6 )
笔记
1.电流传输比被定义为输出集电极电流的比率,我
O,
于正向LED输入电流,I
F
乘以100%。
2.引脚7打开。 ( 6N138和6N139只)
在逻辑高电平3.共模瞬态抗扰度是最大容许(正)DV
cm
/ DT上的领先优势
共模脉冲信号,V
CM
,以保证该输出将保持在逻辑高状态(也就是,V
O
&2.0
V) 。共模
在逻辑低电平瞬态抗扰度是最大耐受(负)DV
cm
/ dt的对共模脉冲的后沿
信号V
CM
,以保证该输出将保持在逻辑低状态(也就是,V
O
'0.8
V).
4.设备被认为是一个双端器件:引脚1 ,2,3和4被短接在一起,并且销5 ,图6,图7和8被短接在一起。
5.对于双通道器件,C
我-O
通过短路引脚1和2或针3和4一起和引脚5到8短接在一起进行测量。
6.测量引脚1和2短接在一起,针3和4短接在一起的。
12/27/99
200023A
8引脚DIP低输入电流,高增益
SPLIT达林顿光耦合器
产品特点:
高电流传输比, 2000 %的典型
输入端之间的高隔离电压
和输出(维索= 5000 V有效值)
在0°C性能保证到70℃
无铅并符合RoHS标准。
UL认证(编号214129 )
VDE认证( 132249号)
SEMKO批准
NEMKO认可
DEMKO批准
FIMKO批准
CSA认证( 2037145号)
6N138 6N139
描述
该6N138和6N139设备各由一个红外
发光二极管,光耦合到一个高增益分裂达林顿
光电探测器。它们提供了非常高的电流传输
给基极端的输入和输出,以访问之间的比例
调整增益带宽。
这些设备均采用8引脚DIP封装
而在宽引线间距和SMD可供选择。
1
概要
8
7
6
5
应用
数字逻辑接地隔离
RS - 232C线路接收器
低输入电流线路接收器
微处理器总线隔离
电流环路接收器
2
3
4
引脚配置
1.无连接
2.阳极
3.阴极
4.无连接
5. GND
6. Vout的
7. V
B
8. Vcc的
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
文件编号: DPC- 0000019
1
Rev.2
http://www.everlight.com
2009年2月23日
8引脚DIP低输入电流,高增益
SPLIT达林顿光耦合器
绝对最大额定值(T
a
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
正向电流
最大正向电流
( 50 %的关税, 1毫秒P.W )
输入
瞬态电流峰值
(≤1μs
P.W , 300pps )
反向电压
功耗
功耗
输出电流
发射极 - 基反向电压
产量
输出电压
6N138
6N139
电源电压
隔离电压
*1
工作温度
储存温度
焊接温度
*2
6N138
6N139
符号
I
F
I
FP
I
FTRANS
V
R
P
IN
P
O
I
O
VER
V
O
6N138 6N139
等级
20
40
1
5
45
100
60
0.5
-0.5 7
-0.5到18
-0.5 7
-0.5到18
5000
-40 ~ +85
-55 ~ +125
260
单位
mA
mA
A
V
mW
mW
mA
V
V
V
V
V
V有效值
°C
°C
°C
V
CC
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
笔记
* 1交流电进行1分钟, RH = 40 60%RH下在该测试中,引脚1 , 2 ,3,4短接在一起,并且销5 , 6 ,7,8
被短接在一起。
* 2 10秒。
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
文件编号: DPC- 0000019
2
Rev.2
http://www.everlight.com
2009年2月23日
8引脚DIP低输入电流,高增益
SPLIT达林顿光耦合器
电气特性(T
a
= 0至70℃,除非另有规定)
输入
参数
正向电压
反向电压
温度COEF网络cient
正向电压
符号
V
F
V
R
ΔV
F
/
ΔT
A
分钟。
-
5.0
-
TYP 。 *
1.3
-
-1.8
马克斯。
1.7
-
-
单位
V
V
毫伏/°C的
6N138 6N139
条件
I
F
= 1.6毫安
I
R
= 10μA , TA = 25℃
I
F
=1.6mA
产量
参数
逻辑高
输出电流
逻辑低
电源电流
逻辑高
电源电流
6N139
I
OH
6N138
6N138
6N139
6N138
6N139
I
CCL
I
CCH
-
-
-
-
0.6
0.05
250
1.5
10
mA
A
符号
分钟。
-
TYP 。 *
0.01
马克斯。
100
A
I
F
= 0毫安,V
O
=V
CC
=18V
I
F
= 1.6毫安,V
O
= OPEN ,
V
CC
=18V
I
F
= 0毫安,V
O
= OPEN ,
V
CC
=18V
单位
条件
传输特性(T
a
= 0 70 ° C除非另有说明, VCC = 4.5V )
参数
符号
分钟。
400
CTR
6N138
500
300
-
-
逻辑低
输出电压
6N139
V
OL
-
-
6N138
*在T典型值
a
= 25°C
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
文件编号: DPC- 0000019
3
Rev.2
http://www.everlight.com
2009年2月23日
TYP 。 *
2500
2000
2000
0.05
0.09
0.12
0.17
0.06
马克斯。
-
-
-
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
单位
条件
I
F
= 0.5毫安,V
O
= 0.4V,
V
CC
=4.5V
电流传输
6N139
%
I
F
= 1.6毫安,V
O
= 0.4V,
V
CC
=4.5V
I
F
= 0.5毫安,我
O
= 2毫安,
V
CC
=4.5V
I
F
= 1.6毫安,我
O
= 8毫安,
V
CC
=4.5V
I
F
= 5毫安,我
O
= 15毫安,
V
CC
=4.5V
I
F
= 12毫安,我
O
= 24毫安,
V
CC
=4.5V
I
F
= 1.6毫安,我
O
= 4.8毫安,
V
CC
=4.5V
V
-
8引脚DIP低输入电流,高增益
SPLIT达林顿光耦合器
6N138 6N139
开关特性
(T
a
= 0至70℃,除非另有说明, Vcc的= 5V)
参数
符号
分钟。
-
-
传播
延迟时间
逻辑低
(图13)
6N139
的TPH1
-
-
-
6N138
-
-
-
传播
延迟时间
逻辑高
(图13)
6N139
TPLH
-
-
-
6N138
-
共模瞬变
免疫力的逻辑高
(图14)
*3
共模瞬变
免疫力处于逻辑低电平
(图14)
*3
*在T典型值
a
= 25°C
-
50
TYP 。 *
5
马克斯。
25
单位
条件
I
F
= 0.5毫安,R
L
=4.7k,
T
A
=25°C
I
F
= 0.5毫安,R
L
=4.7k
s
I
F
= 12毫安,R
L
=270,
T
A
=25°C
I
F
= 12毫安,R
L
=270
I
F
= 1.6毫安,R
L
=2.2k,
T
A
=25°C
I
F
= 1.6毫安,R
L
=2.2k
I
F
= 0.5毫安,R
L
=4.7k,
T
A
=25°C
I
F
= 0.5毫安,R
L
=4.7k
I
F
= 12毫安,R
L
=270,
T
A
=25°C
s
I
F
= 12毫安,R
L
=270
I
F
= 1.6毫安,R
L
=2.2k,
T
A
=25°C
I
F
= 1.6毫安,R
L
=2.2k
I
F
= 0毫安,V
CM
=10Vp-p,
R
L
= 2.2KΩ ,T
A
=25°C
I
F
= 1.6毫安,V
CM
=10Vp-p,
R
L
= 2.2KΩ ,T
A
=25°C
-
0.2
-
1.4
-
16
-
1.7
-
8
30
1
2
10
15
60
90
7
10
35
CM
H
1,000
-
-
V / μs的
CM
L
1,000
-
-
V / μs的
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
文件编号: DPC- 0000019
4
Rev.2
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2009年2月23日
8引脚DIP低输入电流,高增益
SPLIT达林顿光耦合器
典型性能曲线
6N138 6N139
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
文件编号: DPC- 0000019
5
Rev.2
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    -
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