6N1135/ 6N1136
威世半导体
高速光耦， 1 MBd的，光电二极管与晶体管
输出， 110 °C测量
特点
工作温度从-55°C至+ 110 ℃的
隔离测试电压： 5300 V
RMS
TTL兼容
高比特率： 1.0兆位
带宽2.0 MHz的
集电极开路输出
外部接线基地可能
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
NC
A
C
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
C（ V
CC
)
B（ V
B
)
C（ V
O
)
E（ GND ）
i179081
e3
Pb
无铅
机构认证
UL 1577 - 文件号E52744系统代码H或按J
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
CUL - 文件号E52744 ，相当于CSA公告
5A
信号可以在两个电之间传输
分离电路高达2.0兆赫的频率。该
要被连接的电路之间的电势差
应不超过最大允许为参考
ENCE电压
描述
该6N1135和6N1136在110℃下的额定光耦
plers用GaAIAs红外发光二极管，光
再加上它CON组集成的光电探测器
的光电二极管，并在高速晶体管sists
DIP - 8塑料封装。
订购信息
部分
6N1135
6N1136
6N1135-X007
6N1136-X006
6N1136-X007
6N1136-X009
备注
CTR
≥
7 ％ ， DIP- 8
CTR
≥
19 ％ ， DIP- 8
CTR
≥
7 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR
≥
19 ％ ， DIP - 8 400万（选项6 ）
CTR
≥
19 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR
≥
19 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
热阻
功耗
T
AMB
= 70 °C
T = 1.0毫秒，占空比50 ％
最大正向电流浪涌吨
≤
1.0
s,
300脉冲/秒
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
R
th
P
DISS
价值
5.0
25
50
1.0
700
45
单位
V
mA
mA
A
K / W
mW
文档编号83909
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
1
6N1135/ 6N1136
威世半导体
产量
参数
电源电压
输出电压
发射极 - 基极电压
输出电流
最大输出电流
基极电流
热阻
功耗
T
AMB
= 70 °C
P
DISS
I
B
测试条件
符号
V
CC
V
O
V
EBO
I
O
价值
- 0.5-15
- 0.5-15
5.0
8.0
16
5.0
300
100
单位
V
V
V
mA
mA
mA
K / W
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（与T = 1.0秒
每个发射器和探测器的气候
根据DIN 50014第2部分，十一月74
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
马克斯。
≤
10秒，浸焊
≥
0.5毫米从外壳底部
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
T
英镑
T
AMB
T
SLD
- 55至+ 125
- 55至+ 110
260
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
温度系数，正向电压
测试条件
I
F
= 16毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 5.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
I
F
= 16毫安
符号
V
F
V
BR
I
R
C
I
V
F
/T
A
5.0
0.5
125
-1.7
10
民
典型值。
1.6
最大
1.9
单位
V
V
A
pF
毫伏/°C的
产量
参数
逻辑低电源电流
电源电流，逻辑高
输出电压时，输出低
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
O
开放式，V
CC
= 15 V
I
F
= 0 mA时，V
O
开放式，V
CC
= 15 V
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V,
I
O
= 1.1毫安
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V,
I
O
= 2.4毫安
输出电流，输出高
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 5.5 V
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 15 V
6N1135
6N1136
部分
符号
I
CCL
I
CCH
V
OL
V
OL
I
OH
I
OH
民
典型值。
150
0.01
0.1
0.1
3.0
0.01
1
0.4
0.4
500
1
最大
单位
A
A
V
V
nA
A
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2
文档编号83909
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6N1135/ 6N1136
威世半导体
V
CM
10 V
I
F
1
2
3
4
8
7
6
5
R
L
V
O
V
O
5V
答：我
F
= 0毫安
+V
CM
脉冲发生器
V
O
t
5V
0V
10%
tr
tf
90%
t
90%
10%
A
B
V
FF
Z
O
=50
t
r,
t
f
-8 NS
V
OL
B：我
F
= 16毫安
t
i6n135_02
图2.共模干扰抗扰性
安全性和绝缘等级
按照IEC60747-5-2 ， §7.4.3.8.1 ，这光耦适合于仅在安全评级"safe电insulation" 。符合
安全等级应以保护电路装置来保证。
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
污染度（ DIN VDE
0109)
每漏电起痕指数
DIN IEC112 / VDE 0303第1部分，
根据DIN VDE 6110第IIIa
V
IOTM
V
IORM
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
P
SI
I
SI
T
SI
爬电距离
净空
绝缘厚度
V
IOTM
V
IORM
R
IO
R
IO
P
SI
I
SI
T
SI
7.0
7.0
0.2
175
测试条件
符号
民
典型值。
55/110/21
2.0
399
最大
单位
8000
630
10
12
10
11
500
300
175
V
V
mA
mW
°C
mm
mm
mm
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6N1135/ 6N1136
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
2.3
2.1
V
F
- 正向电压（ V）
I
CE0
- 集电极发射极漏电流（ NA）
1000
100
V
CC
= V
CE
= 15 V
10
1
0.1
V
CC
= V
CE
= 5 V
–55°C
0°C
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.01
25°C
50°C
110°C
0.10
1.00
10.00
100.00
17585
I
F
- 正向电流（mA ）
0.01
–55 –35 –15 5 25 45 65 85 105 125
17590
T
AMB
- 环境温度（
_C
)
图3.正向电压与正向电流
图6.集电极发射极暗电流与环境温度
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
2.0
I
F
= 25毫安
CTR规范 - 归CTR
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
归到我
F
= 10毫安，
T
AMB
= 25 ° C，V
CC
= 5 V
V
O
= 0.4伏，饱和
25 45 65 85 105 125
10毫安
5毫安
I
F
= 1毫安
I C - 集电极电流（mA ）
20毫安
15毫安
10毫安
5毫安
T
AMB
= 25_C,
V
CC
= 5V ，不饱和
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
0.0
–55 –35 –15 5
17630
17586
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图4.集电极电流与集电极发射极电压
图7.归一化电流传输比与环境
温度
8
I C - 集电极电流（mA ）
CTR规范 - 归CTR
2.50
T
AMB
= 25_C,
V
CC
= 5 V,
饱和的
I
F
= 25毫安
20毫安
15毫安
10毫安
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
归到我
F
= 16毫安，
T
AMB
= 25 ° C，V
CC
= 5 V
V
O
= 0.4伏，饱和
25 45 65 85 105 125
16毫安
10毫安
5毫安
I
F
= 1毫安
7
6
5
4
3
2
1
0
0.0
5毫安
1毫安
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.00
–55 –35 –15 5
17631
17629
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图5.集电极电流和集电极发射极电压
图8.归一化电流传输比与环境
温度
文档编号83909
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威世半导体
高速光耦， 1 MBd的，光电二极管与晶体管
输出， 110 °C测量
特点
工作温度从-55°C至+ 110 ℃的
隔离测试电压： 5300 V
RMS
TTL兼容
高比特率： 1.0兆位
带宽2.0 MHz的
集电极开路输出
外部接线基地可能
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
NC
A
C
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
C（ V
CC
)
B（ V
B
)
C（ V
O
)
E（ GND ）
i179081
e3
Pb
无铅
机构认证
UL 1577 - 文件号E52744系统代码H或按J
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
CUL - 文件号E52744 ，相当于CSA公告
5A
信号可以在两个电之间传输
分离电路高达2.0兆赫的频率。该
要被连接的电路之间的电势差
应不超过最大允许为参考
ENCE电压
描述
该6N1135和6N1136在110℃下的额定光耦
plers用GaAIAs红外发光二极管，光
再加上它CON组集成的光电探测器
的光电二极管，并在高速晶体管sists
DIP - 8塑料封装。
订购信息
部分
6N1135
6N1136
6N1135-X007
6N1136-X006
6N1136-X007
6N1136-X009
备注
CTR
≥
7 ％ ， DIP- 8
CTR
≥
19 ％ ， DIP- 8
CTR
≥
7 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR
≥
19 ％ ， DIP - 8 400万（选项6 ）
CTR
≥
19 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR
≥
19 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
热阻
功耗
T
AMB
= 70 °C
T = 1.0毫秒，占空比50 ％
最大正向电流浪涌吨
≤
1.0
s,
300脉冲/秒
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
R
th
P
DISS
价值
5.0
25
50
1.0
700
45
单位
V
mA
mA
A
K / W
mW
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1
6N1135/ 6N1136
威世半导体
产量
参数
电源电压
输出电压
发射极 - 基极电压
输出电流
最大输出电流
基极电流
热阻
功耗
T
AMB
= 70 °C
P
DISS
I
B
测试条件
符号
V
CC
V
O
V
EBO
I
O
价值
- 0.5-15
- 0.5-15
5.0
8.0
16
5.0
300
100
单位
V
V
V
mA
mA
mA
K / W
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（与T = 1.0秒
每个发射器和探测器的气候
根据DIN 50014第2部分，十一月74
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
马克斯。
≤
10秒，浸焊
≥
0.5毫米从外壳底部
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
T
英镑
T
AMB
T
SLD
- 55至+ 125
- 55至+ 110
260
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
温度系数，正向电压
测试条件
I
F
= 16毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 5.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
I
F
= 16毫安
符号
V
F
V
BR
I
R
C
I
V
F
/T
A
5.0
0.5
125
-1.7
10
民
典型值。
1.6
最大
1.9
单位
V
V
A
pF
毫伏/°C的
产量
参数
逻辑低电源电流
电源电流，逻辑高
输出电压时，输出低
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
O
开放式，V
CC
= 15 V
I
F
= 0 mA时，V
O
开放式，V
CC
= 15 V
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V,
I
O
= 1.1毫安
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V,
I
O
= 2.4毫安
输出电流，输出高
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 5.5 V
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 15 V
6N1135
6N1136
部分
符号
I
CCL
I
CCH
V
OL
V
OL
I
OH
I
OH
民
典型值。
150
0.01
0.1
0.1
3.0
0.01
1
0.4
0.4
500
1
最大
单位
A
A
V
V
nA
A
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修订版1.5 ， 10月26日04
6N1135/ 6N1136
威世半导体
V
CM
10 V
I
F
1
2
3
4
8
7
6
5
R
L
V
O
V
O
5V
答：我
F
= 0毫安
+V
CM
脉冲发生器
V
O
t
5V
0V
10%
tr
tf
90%
t
90%
10%
A
B
V
FF
Z
O
=50
t
r,
t
f
-8 NS
V
OL
B：我
F
= 16毫安
t
i6n135_02
图2.共模干扰抗扰性
安全性和绝缘等级
按照IEC60747-5-2 ， §7.4.3.8.1 ，这光耦适合于仅在安全评级"safe电insulation" 。符合
安全等级应以保护电路装置来保证。
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
污染度（ DIN VDE
0109)
每漏电起痕指数
DIN IEC112 / VDE 0303第1部分，
根据DIN VDE 6110第IIIa
V
IOTM
V
IORM
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
P
SI
I
SI
T
SI
爬电距离
净空
绝缘厚度
V
IOTM
V
IORM
R
IO
R
IO
P
SI
I
SI
T
SI
7.0
7.0
0.2
175
测试条件
符号
民
典型值。
55/110/21
2.0
399
最大
单位
8000
630
10
12
10
11
500
300
175
V
V
mA
mW
°C
mm
mm
mm
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修订版1.5 ， 10月26日04
6N1135/ 6N1136
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
2.3
2.1
V
F
- 正向电压（ V）
I
CE0
- 集电极发射极漏电流（ NA）
1000
100
V
CC
= V
CE
= 15 V
10
1
0.1
V
CC
= V
CE
= 5 V
–55°C
0°C
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.01
25°C
50°C
110°C
0.10
1.00
10.00
100.00
17585
I
F
- 正向电流（mA ）
0.01
–55 –35 –15 5 25 45 65 85 105 125
17590
T
AMB
- 环境温度（
_C
)
图3.正向电压与正向电流
图6.集电极发射极暗电流与环境温度
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
2.0
I
F
= 25毫安
CTR规范 - 归CTR
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
归到我
F
= 10毫安，
T
AMB
= 25 ° C，V
CC
= 5 V
V
O
= 0.4伏，饱和
25 45 65 85 105 125
10毫安
5毫安
I
F
= 1毫安
I C - 集电极电流（mA ）
20毫安
15毫安
10毫安
5毫安
T
AMB
= 25_C,
V
CC
= 5V ，不饱和
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
0.0
–55 –35 –15 5
17630
17586
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图4.集电极电流与集电极发射极电压
图7.归一化电流传输比与环境
温度
8
I C - 集电极电流（mA ）
CTR规范 - 归CTR
2.50
T
AMB
= 25_C,
V
CC
= 5 V,
饱和的
I
F
= 25毫安
20毫安
15毫安
10毫安
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
归到我
F
= 16毫安，
T
AMB
= 25 ° C，V
CC
= 5 V
V
O
= 0.4伏，饱和
25 45 65 85 105 125
16毫安
10毫安
5毫安
I
F
= 1毫安
7
6
5
4
3
2
1
0
0.0
5毫安
1毫安
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.00
–55 –35 –15 5
17631
17629
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图5.集电极电流和集电极发射极电压
图8.归一化电流传输比与环境
温度
文档编号83909
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
5
6N1135/6N1136
威世半导体
高速光耦， 1万桶，
光电二极管与晶体管输出， 110 °C测量
特点
工作温度 - 55 ℃ + 110℃
隔离测试电压： 5300 V
RMS
TTL兼容
NC
A
C
NC
i179081
1
2
3
4
8
7
6
5
C（ V
CC
)
B（ V
B
)
C（ V
O
)
E（ GND ）
高比特率： 1.0兆位
带宽2.0 MHz的
集电极开路输出
外部接线基地可能
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
描述
该6N1135和6N1136在110℃下的额定用光电耦合器
一个GaAIAs红外发光二极管，光耦合用
集成光电检测器，它包括一个光电二极管
和在一个DIP-8塑料封装的高速晶体管。
信号可以在两个电之间传输
分离电路高达2.0兆赫的频率。该
要被连接的电路之间的电势差
应不超过最大允许的参考
电压。
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J
DIN EN 60747-5-5
CUL - 文件编号。 E52744 ，相当于CSA公告5A
订购信息
部分
6N1135
6N1136
6N1135-X007
6N1136-X006
6N1136-X007
6N1136-X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
CTR
≥
7 ％ ， DIP- 8
CTR
≥
19 ％ ， DIP- 8
CTR
≥
7 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR
≥
19 ％ ， DIP - 8 400万（选项6 ）
CTR
≥
19 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR
≥
19 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
最大正向电流
最大正向电流浪涌
热阻
功耗
产量
电源电压
输出电压
发射极电压
输出电流
最大输出电流
基极电流
热阻
功耗
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160
(1)
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
5.0
25
50
1.0
700
45
- 0.5-15
- 0.5-15
5.0
8.0
16
5.0
300
100
单位
V
mA
mA
A
K / W
mW
V
V
V
mA
mA
mA
K / W
mW
文档编号： 83909
修订版1.6 ， 07- 08年5月
T = 1.0毫秒，占空比50 ％
t
≤
1.0微秒， 300个脉冲/秒
T
AMB
= 70 °C
I
FM
I
FSM
R
th
P
DISS
V
CC
V
O
V
EBO
I
O
I
B
T
AMB
= 70 °C
P
DISS
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
6N1135/6N1136
高速光耦， 1万桶，
威世半导体
光电二极管与晶体管输出， 110℃
评级
绝对最大额定值
参数
耦合器
隔离测试电压（间
每个发射器和探测器的气候
根据DIN 50014第2部分11月74）
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
(2)
马克斯。
≤
10秒，浸焊
≥
0.5毫米从外壳底部
T = 1.0秒
V
ISO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
5300
- 55至+ 125
- 55至+ 100
260
V
RMS
°C
°C
°C
(1)
测试条件
符号
价值
单位
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
参数
输入
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
温度系数，
正向电压
产量
逻辑低电源电流
逻辑高电平电源电流
I
F
= 1.6毫安， V
O
=开，
V
CC
= 15 V
I
F
= 0 mA时，V
O
=开，
V
CC
= 15 V
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V,
I
O
= 1.1毫安，
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V,
I
O
= 2.4毫安，
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 5.5 V
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 15 V
F = 1.0 MHz的
I
F
= 16 mA时， V
O
= 0.4 V,
V
CC
= 4.5 V
I
F
= 16 mA时， V
O
= 0.5 V,
V
CC
= 4.5 V
6N1135
6N1136
6N1135
6N1136
6N1135
6N1136
I
CCL
I
CCH
V
OL
V
OL
I
OH
I
OH
C
IO
CTR
CTR
CTR
CTR
7.0
19
5.0
15
150
0.01
0.1
0.1
3.0
0.01
0.6
16
35
1
0.4
0.4
500
1
A
A
V
V
nA
A
pF
%
%
%
%
I
F
= 1.6毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 5.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
I
F
= 1.6毫安
V
F
V
BR
I
R
C
I
ΔV
F
/ΔT
A
5.0
0.5
125
- 1.7
10
1.6
1.9
V
V
A
pF
毫伏/°C的
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输出电压时，输出低
输出电流，输出高
耦合器
电容（输入输出）
电流传输比
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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修订版1.6 ， 07- 08年5月
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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6N1135/6N1136
威世半导体
高速光耦， 1万桶，
光电二极管与晶体管输出， 110℃
评级
部分
6N1135
6N1136
6N1135
6N1136
符号
t
PHL
t
PHL
t
PLH
t
PLH
分钟。
典型值。
0.3
0.2
0.3
0.2
马克斯。
1.5
0.8
1.5
0.8
单位
s
s
s
s
开关特性
参数
前高后低
从低到高
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 kΩ
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 kΩ
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 kΩ
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 kΩ
脉冲发生器
Z
O
= 50
Ω
t
r
,t
f
= 5纳秒
占空比10
%
t
≤
100
s
I
F
t
1
I
F
2
I
F
MONITOR
8
7
6
5
R
L
5
V
V
O
5
V
1.5
V
t
3
100
Ω
V
O
C
L
15 pF的
V
OL
t
PHL
4
t
PLH
i6n135_01
图。 1 - 开关时间
共模瞬态抗扰度
参数
高
低
测试条件
I
F
= 0 mA时，V
CM
= 10 V
P-P
, V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 kΩ
I
F
= 0 mA时，V
CM
= 10 V
P-P
, V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 kΩ
I
F
= 16 mA时， V
CM
= 10 V
P-P
, V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 kΩ
I
F
= 16 mA时， V
CM
= 10 V
P-P
, V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 kΩ
部分
6N135
6N136
6N135
6N136
符号
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
分钟。
典型值。
1000
1000
1000
1000
马克斯。
单位
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V
CM
10
V
I
F
1
2
3
4
8
7
6
5
R
L
V
O
V
O
5
V
答：我
F
= 0毫安
+V
CM
5
V
10
%
0
V
tr
tf
A
B
V
FF
90
%
t
90
%
10
%
脉冲发生器
Z
O
= 50
Ω
t
R，五六
=
8
ns
V
O
t
V
OL
B：我
F
= 16毫安
t
i6n135_02
图。 2 - 共模干扰抗扰性
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修订版1.6 ， 07- 08年5月
6N1135/6N1136
高速光耦， 1万桶，
威世半导体
光电二极管与晶体管输出， 110℃
评级
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
污染等级（ DIN VDE 0109 ）
每漏电起痕指数
DIN IEC112 / VDE 0303第1部分，
根据DIN VDE 6110第IIIa
V
IOTM
V
IORM
绝缘电阻
P
SI
I
SI
T
SI
爬电距离
间隙距离
绝缘厚度
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
CTI
V
IOTM
V
IORM
R
IO
R
IO
P
SI
I
SI
T
SI
7.0
7.0
0.2
175
8000
630
10
12
10
11
500
300
175
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/110/21
2.0
399
V
V
Ω
Ω
mA
mW
°C
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-2 ， § 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。遵守
安全等级应以保护电路装置来保证。
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
2.3
2.1
- 55 °C
I
C
- 集电极电流（mA ）
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.01
110 °C
25 °C
50 °C
0.10
1.00
10.00
100.00
17586
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
I
F
= 25毫安
20毫安
15毫安
10毫安
V
F
- 前进
电压
(V)
5毫安
T
AMB
= 25 C,
V
CC
= 5
V,
非饱和
0 1 2 3 4 5 6 7
8
9 10 11 12 13 14 15
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
17585
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3 - 正向电压与正向电流
图。 4 - 集电极电流与集电极发射极电压
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6N1135/6N1136
威世半导体
高速光耦， 1万桶，
光电二极管与晶体管输出， 110℃
评级
8
2.50
CTR
规范
-
归
CTR
T
AMB
= 25 C,
V
CC
= 5
V,
饱和的
I
F
= 25毫安
20毫安
15毫安
10毫安
7
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
I
F
= 1毫安
5毫安
10毫安
I
C
- 集电极电流（毫安）
6
5
4
3
2
1
0
0.0
16毫安
归
到我
F
= 16毫安，
T
AMB
= 25 C,
V
CC
= 5
V
V
O
= 0.4
V,
饱和的
5毫安
1毫安
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
17629
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
0.00
- 55 - 35 - 15 5 25 45 65
85
105 125
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
17631
图。 5 - 集电极电流与集电极发射极电压
图。 8 - 归一化电流传输比主场迎战
环境温度
I
CE0
- 集电极发射极漏电流（ NA）
1000
100
V
CC
=
V
CE
= 15
V
10
1
0.1
V
CC
=
V
CE
= 5
V
I
C
- 集电极电流（毫安）
7
I
F
= 20毫安
6
5
4
3
2
1
1毫安
0
- 55 - 35 - 15 5 25 45 65
85
105 125
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
CC
= 5
V,
V
O
= 0.4
V,
饱和的
2毫安
16毫安
10毫安
0.01
- 55 - 35 - 15 5
25 45 65
85
105 125
17587
17590
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 6 - 集电极发射极暗电流与环境温度
图。 9 - 输出电流与温度的关系
2.0
1.8
CTR
规范
-
归
CTR
2.0
1.8
CTR
规范
-
归
CTR
I
F
= 1毫安
5毫安
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
归
到我
F
= 10毫安，
T
AMB
= 25 C,
V
CC
= 5
V
V
O
= 0.4
V,
饱和的
I
F
= 1毫安
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
5毫安
10毫安
10毫安
归
到我
F
= 10毫安，
T
AMB
= 25 C,
V
CC
= 5
V
V
O
= 5
V,
非饱和
17630
0.0
- 55 - 35 - 15 5 25 45 65
85
105 125
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
17632
0.0
- 55 - 35 - 15 5 25 45 65
85
105 125
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 7 - 归一化电流传输比主场迎战
环境温度
图。 10 - 归一化电流传输比主场迎战
环境温度
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文档编号： 83909
修订版1.6 ， 07- 08年5月
6N1135/ 6N1136
威世半导体
高速光耦， 1 MBd的，光电二极管与晶体管
输出， 110 °C测量
特点
工作温度从-55°C至+ 110 ℃的
隔离测试电压： 5300 V
RMS
TTL兼容
高比特率： 1.0兆位
带宽2.0 MHz的
集电极开路输出
外部接线基地可能
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
NC
A
C
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
C（ V
CC
)
B（ V
B
)
C（ V
O
)
E（ GND ）
i179081
e3
Pb
无铅
机构认证
UL 1577 - 文件号E52744系统代码H或按J
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
CUL - 文件号E52744 ，相当于CSA公告
5A
信号可以在两个电之间传输
分离电路高达2.0兆赫的频率。该
要被连接的电路之间的电势差
应不超过最大允许为参考
ENCE电压
描述
该6N1135和6N1136在110℃下的额定光耦
plers用GaAIAs红外发光二极管，光
再加上它CON组集成的光电探测器
的光电二极管，并在高速晶体管sists
DIP - 8塑料封装。
订购信息
部分
6N1135
6N1136
6N1135-X007
6N1136-X006
6N1136-X007
6N1136-X009
备注
CTR
≥
7 ％ ， DIP- 8
CTR
≥
19 ％ ， DIP- 8
CTR
≥
7 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR
≥
19 ％ ， DIP - 8 400万（选项6 ）
CTR
≥
19 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR
≥
19 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
热阻
功耗
T
AMB
= 70 °C
T = 1.0毫秒，占空比50 ％
最大正向电流浪涌吨
≤
1.0
s,
300脉冲/秒
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
R
th
P
DISS
价值
5.0
25
50
1.0
700
45
单位
V
mA
mA
A
K / W
mW
文档编号83909
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
1
6N1135/ 6N1136
威世半导体
产量
参数
电源电压
输出电压
发射极 - 基极电压
输出电流
最大输出电流
基极电流
热阻
功耗
T
AMB
= 70 °C
P
DISS
I
B
测试条件
符号
V
CC
V
O
V
EBO
I
O
价值
- 0.5-15
- 0.5-15
5.0
8.0
16
5.0
300
100
单位
V
V
V
mA
mA
mA
K / W
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（与T = 1.0秒
每个发射器和探测器的气候
根据DIN 50014第2部分，十一月74
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
马克斯。
≤
10秒，浸焊
≥
0.5毫米从外壳底部
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
T
英镑
T
AMB
T
SLD
- 55至+ 125
- 55至+ 110
260
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
温度系数，正向电压
测试条件
I
F
= 16毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 5.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
I
F
= 16毫安
符号
V
F
V
BR
I
R
C
I
V
F
/T
A
5.0
0.5
125
-1.7
10
民
典型值。
1.6
最大
1.9
单位
V
V
A
pF
毫伏/°C的
产量
参数
逻辑低电源电流
电源电流，逻辑高
输出电压时，输出低
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
O
开放式，V
CC
= 15 V
I
F
= 0 mA时，V
O
开放式，V
CC
= 15 V
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V,
I
O
= 1.1毫安
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V,
I
O
= 2.4毫安
输出电流，输出高
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 5.5 V
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 15 V
6N1135
6N1136
部分
符号
I
CCL
I
CCH
V
OL
V
OL
I
OH
I
OH
民
典型值。
150
0.01
0.1
0.1
3.0
0.01
1
0.4
0.4
500
1
最大
单位
A
A
V
V
nA
A
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文档编号83909
修订版1.5 ， 10月26日04
6N1135/ 6N1136
威世半导体
V
CM
10 V
I
F
1
2
3
4
8
7
6
5
R
L
V
O
V
O
5V
答：我
F
= 0毫安
+V
CM
脉冲发生器
V
O
t
5V
0V
10%
tr
tf
90%
t
90%
10%
A
B
V
FF
Z
O
=50
t
r,
t
f
-8 NS
V
OL
B：我
F
= 16毫安
t
i6n135_02
图2.共模干扰抗扰性
安全性和绝缘等级
按照IEC60747-5-2 ， §7.4.3.8.1 ，这光耦适合于仅在安全评级"safe电insulation" 。符合
安全等级应以保护电路装置来保证。
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
污染度（ DIN VDE
0109)
每漏电起痕指数
DIN IEC112 / VDE 0303第1部分，
根据DIN VDE 6110第IIIa
V
IOTM
V
IORM
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
P
SI
I
SI
T
SI
爬电距离
净空
绝缘厚度
V
IOTM
V
IORM
R
IO
R
IO
P
SI
I
SI
T
SI
7.0
7.0
0.2
175
测试条件
符号
民
典型值。
55/110/21
2.0
399
最大
单位
8000
630
10
12
10
11
500
300
175
V
V
mA
mW
°C
mm
mm
mm
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修订版1.5 ， 10月26日04
6N1135/ 6N1136
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
2.3
2.1
V
F
- 正向电压（ V）
I
CE0
- 集电极发射极漏电流（ NA）
1000
100
V
CC
= V
CE
= 15 V
10
1
0.1
V
CC
= V
CE
= 5 V
–55°C
0°C
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.01
25°C
50°C
110°C
0.10
1.00
10.00
100.00
17585
I
F
- 正向电流（mA ）
0.01
–55 –35 –15 5 25 45 65 85 105 125
17590
T
AMB
- 环境温度（
_C
)
图3.正向电压与正向电流
图6.集电极发射极暗电流与环境温度
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
2.0
I
F
= 25毫安
CTR规范 - 归CTR
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
归到我
F
= 10毫安，
T
AMB
= 25 ° C，V
CC
= 5 V
V
O
= 0.4伏，饱和
25 45 65 85 105 125
10毫安
5毫安
I
F
= 1毫安
I C - 集电极电流（mA ）
20毫安
15毫安
10毫安
5毫安
T
AMB
= 25_C,
V
CC
= 5V ，不饱和
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
0.0
–55 –35 –15 5
17630
17586
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图4.集电极电流与集电极发射极电压
图7.归一化电流传输比与环境
温度
8
I C - 集电极电流（mA ）
CTR规范 - 归CTR
2.50
T
AMB
= 25_C,
V
CC
= 5 V,
饱和的
I
F
= 25毫安
20毫安
15毫安
10毫安
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
归到我
F
= 16毫安，
T
AMB
= 25 ° C，V
CC
= 5 V
V
O
= 0.4伏，饱和
25 45 65 85 105 125
16毫安
10毫安
5毫安
I
F
= 1毫安
7
6
5
4
3
2
1
0
0.0
5毫安
1毫安
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.00
–55 –35 –15 5
17631
17629
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图5.集电极电流和集电极发射极电压
图8.归一化电流传输比与环境
温度
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修订版1.5 ， 10月26日04
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