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6MBP75VBA060-50
IGBT模块（ V系列）
600V / 75A / IPM
特点
通过直接检测提供温度保障
各IGBT的结温
·低功耗和软开关
·兼容现有IPM - N系列套餐
高性能和高可靠性的IGBT具有过热
保护
由于在数量大的下降更高的可靠性
份中内置的控制电路
IGBT模块
最大额定值和特性
绝对最大额定值（T
C
= 25℃ ，V
CC
= 15V除非另有说明）
项
集电极 - 发射极电压（ * 1 ）
短路电压
集电极电流
DC
1ms
占空比= 100 ％ （ * 2 ）
1设备（ * 3 ）
符号
V
CES
V
SC
Ic
IC脉冲
-IC
Pc
V
CC
VIN
V
ALM
I
ALM
Tj
TOPR
TSTG
TSOL
V
ISO
-
分钟。
0
200
-
-
-
-
-0.5
-0.5
-0.5
-
-
-20
-40
-
-
-
马克斯。
600
400
75
150
75
198
20
V
CC
+0.5
V
CC
20
150
110
125
260
AC2500
1.7
单位
V
V
A
A
A
W
V
V
V
mA
C
C
C
C
VRMS
Nm
集电极耗散功率
电源电压预驱动器的（* 4）
输入信号电压（ * 5 ）
报警信号电压（ * 6 ）
报警信号电流（ * 7 ）
结温
工作温度
储存温度
焊接温度（ * 8 ）
隔离电压（ * 9 ）
螺杆转矩
安装（ M4）的
注* 1 ： V
CES
应施加到终端的P-（ U，V， W）之间的输入电压（U ，V，W ）-N 。
注* 2 ：占空比= 125℃ /的Rth （J -C ）D / （I
F
×V
F
Max.)×100
注* 3 ：P
C
=125C/Rth(j-c)Q
注* 4 ： V
CC
应施加到端子4号和1,8和5,12和9,14和13之间的输入电压。
注* 5： Vin的应施加到端子3号和1,7和5,11和9之间的输入电压， 16 18和13 。
注* 6 ： V
ALM
应施加到端子＃2和1,6和5,10和9,19和13之间的电压。
注* 7 ：我
ALM
应施加到终端No.2,6,10及19的输入电流。
注* 8 ：浸泡时间10 ±1秒。从1次。
注* 9 ：终端基地， 50 / 60Hz的正弦波1分钟。
1
6MBP75VBA060-50
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IGBT模块
电气特性（ TJ = 25℃ ，V
CC
= 15V除非另有说明）
项
集电极电流开关信号输入
逆变器
集电极 - 发射极饱和电压
FWD的正向电压
符号
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
F
吨
花花公子
TRR
ICCP
刚果自然保护研究所
Vinth （上）
输入信号的阈值电压
Vinth （关闭）
过电流保护级别
I
OC
过电流保护延迟时间
t
DOC
短路保护延迟时间
t
SC
IGBT芯片过热保护的温度水平
T
[约
过热保护迟滞
T
jH
欠电压保护水平
V
UV
欠压保护迟滞
V
H
t
ALM （ OC ）
t
ALM （ UV）
报警信号保持时间
t
ALM （ TjOH ）
电阻限流
R
ALM
P-侧预驱动器的电源电流（每单位）
N侧预驱动器的供电电流
条件
V
CE
=600V
I
C
=75A
I
F
=75A
终奌站
芯片
终奌站
芯片
分钟。
-
-
-
-
-
1.1
-
-
-
-
1.2
1.5
113
-
-
150
-
11.0
0.2
1.0
2.5
5.0
960
典型值。
-
-
1.4
-
1.8
-
-
-
-
-
1.4
1.7
-
5
2
-
20
-
0.5
2.0
4.0
8.0
1265
马克斯。
1.0
2.0
-
2.4
-
-
2.1
0.3
15
45
1.6
1.9
-
-
3
-
-
12.5
-
2.4
4.9
11.0
1570
单位
mA
V
V
V
V
s
s
s
mA
mA
V
V
A
s
s
C
C
V
V
ms
ms
ms
Ω
开关时间
V
DC
= 300V ， TJ = 125℃
Ic=75A
V
DC
=300V
I
F
=75A
开关频率= 0-15kHz
Tc=-20~110C
VIN- GND
ON
关闭
Tj=125C
Tj=125C
Tj=125C
的IGBT芯片表面
ALM- GND
Tc=-20~110C
V
CC
10V
热特性（T
C
= 25C)
项
结到外壳热阻（ * 10 ）
案件翅复合热阻
注* 10 ：对于1设备的情况下的测量点仅仅是在芯片下。
逆变器
IGBT
FWD
符号
RTH （J -C ） Q
RTH （J -C ）D
RTH （ C-F ）
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
0.05
马克斯。
0.63
0.97
-
单位
° C / W
° C / W
° C / W
噪声抗扰性（V
DC
=300V, V
CC
=15V)
项
共模噪声的矩形
条件
脉冲宽度为1μs ， ±极性， 10分钟
法官：无过流，无营业小姐
分钟。
±2.0
典型值。
-
马克斯。
-
单位
kV
推荐工作条件
项
直流母线电压
预驱动器的电源电压
通过阻断时间的手臂拍了IPM的输入信号
螺丝扭矩（ M4 ）
符号
V
DC
V
CC
tdead后
-
分钟。
-
13.5
1.0
1.3
典型值。
-
15.0
-
-
马克斯。
400
16.5
-
1.7
单位
V
V
s
Nm
2
6MBP75VBA060-50
框图
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IGBT模块
VCCU
VinU
ALMU
GNDU
VCCV
VINV
ALM V
GNDv
VccW
VinW
ALM W
GNDW
VCC
VINX
预驱动器
R
ALM
预驱动器
R
ALM
预驱动器
R
ALM
预驱动器
P
U
V
W
GND
葡萄树
预驱动器
VinZ
预驱动器
ALM
R
ALM
N
预驱动器包括以下功能
1.放大器驱动器
2.短路保护
3.欠压锁定电路
4.过电流保护
5. IGBT芯片过热保护
3
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特性（代表）
电源电流与开关频率
TJ = 25°C （典型值）。
60
3
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IGBT模块
输入信号的阈值电压
- 电源boltage （典型值）。
Tc=25~125C
2.5
电源电流：电流Icc [马]
40
Vcc=17V
Vcc=15V
Vcc=13V
输入信号的阈值电压：
Vinth （上） ， Vinth （关闭） [V]的
50
N侧
P侧
2
V
INTH （关闭）
1.5
30
V
INTH （上）
1
20
10
Vcc=17V
Vcc=15V
Vcc=13V
0.5
0
0
5
10
15
20
25
0
12
13
14
15
16
17
18
Switchig频率： FSW [千赫]
电源电压： Vcc的[ V]
根据电压与结温（典型值）。
15
1
欠压滞后
与结温度（典型值）。
下滞回电压： V
H
[V]
12
0.8
根据电压： V
UV
[V]
9
0.6
6
0.4
3
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
0
0
20
40
60
80
100
120
140
结温： TJ [° C]
结温： TJ [° C]
报警保持时间 - 电源电压（典型值）。
10
200
过热特征
T
[约
, T
jH
和VCC的关系（典型值）。
T
[约
8
过热保护：T已
[约
[C]
OH滞后：T已
jH
[C]
TALM （ TjOH ）
报警保持时间：吨
ALM
[毫秒]
150
6
100
4
2
TALM （ OC ）
50
T
jH
0
12
13
14
15
16
17
18
0
12
13
14
15
16
17
18
电源电压： Vcc的[ V]
电源电压： Vcc的[ V]
4
6MBP75VBA060-50
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IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压
TJ = 25°C [片] （ TYP。）
140
120
100
80
60
40
20
0
140
集电极电流与集电极 - 发射极电压
TJ = 25°C [终端] （ TYP。）
Vcc=15V
Vcc=17V
Vcc=13V
Vcc=15V
Vcc=17V
Vcc=13V
120
100
80
60
40
20
0
集电极电流IC [ A]
集电极电流IC [ A]
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
TJ = 125℃ [片] （ TYP。）
140
120
140
集电极电流与集电极 - 发射极电压
TJ = 125℃ [终端] （ TYP。）
Vcc=15V
集电极电流IC [ A]
120
100
80
60
40
20
0
Vcc=15V
集电极电流IC [ A]
100
80
60
40
20
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Vcc=17V
Vcc=13V
Vcc=17V
Vcc=13V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
正向电流与正向电压
[片] （ TYP。）
140
120
100
140
120
正向电流与正向电压
[终端] （ TYP。）
正向电流：我
F
[A]
正向电流：我
F
[A]
100
Tj=125C
80
60
40
20
0
0
0.5
1
1.5
Tj=25C
Tj=125C
80
60
40
20
0
Tj=25C
2
2.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
正向电压： V
F
[V]
正向电压： V
F
[V]
5
QQ：2880707522 复制
