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http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/
6MBP25VAA120-50
IGBT模块( V系列)
1200V / 25A / IPM
特点
通过直接检测提供温度保障
各IGBT的结温
·低功耗和软开关
高性能和高可靠性的IGBT具有过热
保护
由于在数量大的下降更高的可靠性
份中内置的控制电路
IGBT模块
最大额定值和特性
绝对最大额定值(T
C
= 25℃ ,V
CC
= 15V除非另有说明)
集电极 - 发射极电压( * 1 )
短路电压
集电极电流
DC
1ms
占空比= 89 % ( * 2 )
1设备( * 3 )
符号
V
CES
V
SC
I
C
I
cp
-I
C
P
C
V
CC
V
in
V
ALM
I
ALM
T
j
T
OPR
T
英镑
T
SOL
V
ISO
-
分钟。
0
400
-
-
-
-
-0.5
-0.5
-0.5
-
-
-20
-40
-
-
-
马克斯。
1200
800
25
50
25
166
20
V
CC
+0.5
V
CC
20
150
110
125
260
AC2500
1.7
单位
V
V
A
A
A
W
V
V
V
mA
C
C
C
C
VRMS
Nm
集电极耗散功率
电源电压预驱动器的(* 4)
输入信号电压( * 5 )
报警信号电压( * 6 )
报警信号电流( * 7 )
结温
工作温度
储存温度
焊接温度( * 8 )
隔离电压( * 9 )
螺杆转矩
安装( M4)的
注* 1 : V
CES
应施加到终端的P-( U,V, W)之间的输入电压(U ,V,W )-N 。
注* 2 :占空比= 125℃ / R
日(J -C )D
/(I
F
×V
F
Max.)×100
注* 3 :P
C
=125C/R
日(J -C ) Q
注* 4 : V
CC
应施加到端子3号和1,6和4,9和7,11和10之间的输入电压。
注* 5 : V
in
应施加到端子#2和1,5和4,8和7,12 14和10之间的输入电压。
注* 6 : V
ALM
应施加到端子15号和10之间的电压。
注* 7 :我
ALM
应施加到端子15号的输入电流。
注* 8 :浸泡时间10 ±1秒。从1次
注* 9 :终端基地, 50 / 60Hz的正弦波1分钟。在测试过程中的所有终端应连接在一起。
1
6MBP25VAA120-50
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/
IGBT模块
电气特性(T
j
= 25℃ ,V
CC
= 15V除非另有说明)
集电极电流开关信号输入
逆变器
集电极 - 发射极饱和电压
FWD的正向电压
符号
I
CES
V
CE ( SAT )
V
F
t
on
t
关闭
t
rr
I
CCP
I
CCN
V
INTH (上)
输入信号的阈值电压
V
INTH (关闭)
过电流保护级别
I
OC
过电流保护延迟时间
t
DOC
短路保护延迟时间
t
SC
IGBT芯片过热保护的温度水平
T
[约
过热保护迟滞
T
jH
欠电压保护水平
V
UV
欠压保护迟滞
V
H
t
ALM ( OC )
t
ALM ( UV)
报警信号保持时间
t
ALM ( TjOH )
电阻限流
R
ALM
P-侧预驱动器的电源电流(每单位)
N侧预驱动器的供电电流
条件
V
CE
=1200V
I
C
=25A
I
F
=25A
终奌站
芯片
终奌站
芯片
分钟。
-
-
-
-
-
1.1
-
-
-
-
1.2
1.5
38
-
-
150
-
11.0
0.2
1.0
2.5
5.0
960
典型值。
-
-
1.68
-
2.10
-
-
-
-
-
1.4
1.7
-
5
2
-
20
-
0.5
2.0
4.0
8.0
1265
马克斯。
1.0
2.10
-
2.60
-
-
2.1
0.3
9
23
1.6
1.9
-
-
3
-
-
12.5
-
2.4
4.9
11.0
1570
单位
mA
V
V
V
V
s
s
s
mA
mA
V
V
A
s
s
C
C
V
V
ms
ms
ms
Ω
V
DC
= 600V ,T
j
= 125℃ ,我
C
=25A
V
DC
= 600V ,我
C
=25A
开关频率= 0-15kHz
T
C
=-20~110C
V
in
-GND
ON
关闭
开关时间
T
j
=125C
T
j
=125C
T
j
=125C
的IGBT芯片表面
ALM- GND
T
C
=-20~110C
V
CC
10V
热特性(T
C
= 25C)
结到外壳热阻( * 10 )
案件翅复合热阻
注* 10 :对于1设备的情况下的测量点仅仅是在芯片下。
逆变器
IGBT
FWD
符号
R
日(J -C ) Q
R
日(J -C )D
R
TH( C-F )
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
0.05
马克斯。
0.75
1.40
-
单位
° C / W
° C / W
° C / W
噪声抗扰性(V
DC
=600V, V
CC
=15V)
共模噪声的矩形
条件
脉冲宽度为1μs ,极性± , 10分钟。
法官:无过流,无营业小姐
分钟。
±2.0
典型值。
-
马克斯。
-
单位
kV
推荐工作条件
直流母线电压
预驱动器的电源电压
IPM开关频率
通过阻断时间的手臂拍了IPM的输入信号
螺丝扭矩( M4 )
符号
V
DC
V
CC
f
SW
t
DEAD
-
分钟。
-
13.5
-
1.0
1.3
典型值。
-
15.0
-
-
-
马克斯。
800
16.5
20
-
1.7
单位
V
V
千赫
s
Nm
2
6MBP25VAA120-50
框图
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IGBT模块
VCCU
VinU
预驱动器
P
GNDU
VCCV
VINV
预驱动器
U
GNDv
VccW
VinW
预驱动器
V
GNDW
VCC
VINX
W
葡萄树
预驱动器
VinZ
GND
ALM
R
ALM
N
预驱动器包括以下功能
1.放大器驱动器
2.短路保护
3.欠压锁定电路
4.过电流保护
5. IGBT芯片过热保护
3
6MBP25VAA120-50
特性(代表)
T
j
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IGBT模块
T
C
V
INTH (上)
, V
INTH (关闭)
[V]
I
OC
V
CC
V
CC
V
CC
V
INTH (关闭)
V
INTH (上)
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
UV
V
H
T
j
T
j
T
[约
, T
jH
与V
CC
(典型值)。
T
[约
t
ALM ( TjOH )
T
[约
t
ALM
t
ALM ( OC )
T
jH
V
CC
T
jH
V
CC
4
6MBP25VAA120-50
逆变器
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IGBT模块
T
j
T
j
V
CC
V
CC
I
C
V
CC
I
C
V
CC
V
CC
V
CC
V
CE
V
CE
T
j
T
j
V
CC
V
CC
I
C
V
CC
I
C
V
CC
V
CC
V
CC
V
CE
V
CE
T
j
I
F
T
j
I
F
T
j
T
j
V
F
V
F
5
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