6MBI300U-170
IGBT模块U系列
特点
高开关速度
·电压驱动器
·低电感模块结构
1700V / 300A 6在一包
应用
·不间断电源
·逆变器电机驱动器
· AC和DC伺服驱动放大器·工业设备，如焊接机
最大额定值和特性
绝对最大额定值（在Tc = 25 ° C除非另有规定编）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 射极voltaga
集电极电流
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C
p
-I
C
-I
C
脉冲
P
C
T
j
T
英镑
V
ISO
条件
等级
1700
±20
450
300
900
600
300
600
1385
+150
-40到+125
3400
W
°C
VAC
单位
V
V
A
连续TC = 25℃
Tc=80°C
1ms
Tc=25°C
Tc=80°C
集电极耗散功率
结温
储存温度
终端和铜底座之间的隔离电压* 1
1设备
AC： 1分钟。
*热敏电阻和其他人之间的2
N·m的
3.5
螺丝扭矩安装* 3
-
4.5
端子* 4
*
1 :
所有终端应连接在一起时，隔离测试将完成。
*
2 :
两个热敏电阻器端子应连接在一起，彼此端子应连接在一起，并短路
以底板时隔离测试将完成。
*
3
：值得推荐值： 2.5 3.5 N·m的（ M5 ） *
4
：值得推荐值： 3.5 4.5 N·m的（ M6 ）
电气特性（在TJ = 25 ° C除非另有说明）
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
（终奌站）
V
CE （ SAT ）
（片）
C
IES
t
on
t
r
t
r（下ⅰ）
t
关闭
t
f
V
F
（终奌站）
V
F
（片）
t
rr
R导线
R
条件
V
GE
=0V, V
CE
=1700V
V
CE
=0V, V
GE
=±20V
V
CE
= 20V ，我
C
=300mA
V
GE
= 15V ，我
C
=300A
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
V
CE
=10V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
V
CC
=900V
I
C
=300A
V
GE
=±15V
R
G
=2
V
GE
=0V
I
F
=300A
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
I
F
=300A
T=25°C
T=100°C
T=25/50°C
特征
分钟。
–
–
4.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
465
3305
典型值。
–
–
6.5
2.35
2.70
2.05
2.40
30
0.58
0.32
0.10
0.80
0.15
2.10
2.30
1.80
2.00
0.3
1.0
5000
495
3375
马克斯。
3.0
600
8.5
2.85
–
2.55
–
–
1.20
0.60
–
1.50
0.30
2.85
–
2.55
–
0.6
–
–
520
3450
V
nF
s
单位
mA
nA
V
V
逆变器
输入电容
开启时间
打开-O FF时间
正向电压上
反向恢复时间
热敏电阻
s
m
Κ
引线电阻，终端芯片*
4
阻力
B值
B
*
4
：手臂中最大的内部终端电阻。
热阻特性
项
热阻
接触热阻
符号
RTH （J -C ）
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ） *
5
条件
IGBT
FWD
随着热复合
特征
分钟。
典型值。
–
–
–
–
–
0.0167
单位
马克斯。
0.09
0.15
–
° C / W
° C / W
° C / W
*
5
：这是它被定义安装在附加散热片具有热化合物的值。
6MBI300U-170
特性（代表）
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 25 ° C /片
800
800
IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 125°C /片
600
集电极电流IC [ A]
VGE=20V
15V
集电极电流IC [ A]
VGE=20V
600
12V
15V
12V
400
400
200
10V
9V
200
10V
9V
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 15V /片
800
T J = 25°C
600
集电极电流IC [ A]
10
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压（典型值）。
TJ = 25C /片
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
8
6
400
T J = 125°C
4
200
2
Ic=600A
Ic=300A
Ic=150A
0
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
门 - 发射极电压VGE [ V]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 0V ， F = 100万赫兹， TJ = 25°C
1000.0
集电极 - 发射极电压VCE [ 200V / DIV ]
门 - 发射极电压VGE
[ 5V / DIV ]
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 900V ， IC = 300A ， TJ = 25°C
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ nF的]
100.0
资本投资者入境计划
VGE
10.0
CRES
1.0
卓越中心
VCE
0
500
1000
1500
2000
0.1
0
10
20
30
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
栅极电荷：的Qg [ NC ]
6MBI300U-170
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 900V ， VGE = ± 15V ， RG = 2Ω ， TJ = 25°C
10000
10000
IGBT模块
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 900V ， VGE = ± 15V ， RG = 2Ω ， TJ = 125°C
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
1000
花花公子
吨
tr
1000
花花公子
吨
tr
tf
100
tf
100
10
0
200
400
600
集电极电流IC [ A]
10
0
200
400
600
集电极电流IC [ A]
开关时间与栅极电阻（典型值）。
VCC = 900V ， IC = 300A ， VGE = ± 15V ， TJ = 25°C
10000
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
180
160
开关损耗与集电极电流（典型值）。
VCC = 900V ， VGE = ± 15V ， RG = 2Ω
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
Eoff(125°C)
140
120
100
80
60
40
20
0
Eoff(25°C)
Eon(125°C)
Err(125°C)
Err(25°C)
Eon(25°C)
1000
花花公子
吨
tr
100
tf
10
1.0
门极电阻： RG [
]
10.0
0
200
400
600
集电极电流IC [ A]
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
VCC = 900V ， IC = 300A ， VGE = ± 15V ， TJ = 125°C
反向偏压安全工作区（最大）
+ VGE = 15V ， -VGE < = 15V ， RG > = 2Ω ， TJ < = 125°C
杂散电感< = 100nH的
200
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
900
宙
集电极电流IC [ A]
150
600
EOFF
100
300
50
ERR
0
1.0
门极电阻： RG [
]
10.0
0
0
300
600
900
1200
1500
1800
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
6MBI300U-170
IGBT模块
正向电流与正向电压（典型值）。
芯片
800
1000
反向恢复特性（典型值）。
VCC = 900V ， VGE = ± 15V ， RG = 2Ω
正向电流IF [ A]
600
T J = 25°C
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
T J = 125°C
400
TRR （ 125°C ）
TRR （ 25 ° C）
内部收益率（ 125°C ）
内部收益率（ 25 ° C）
200
0
0
1
2
3
4
正向电压： VF [ V]
100
0
200
400
600
正向电流IF [ A]
瞬态热阻抗（最大）
1.000
100
温度特性（典型值）。
热resistanse ： Rth的（J -C ） [℃ / W]
FWD
0.100
IGBT
电阻值：R [K
Ω
]
10
0.010
1
0.001
0.001
0.010
0.100
1.000
0.1
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
温度[° C]
脉冲宽度：密码[秒]
3.Absolute最大额定值（在Tc = 25 ℃除非另有规定
）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
符号
VCES
VGES
Ic
集电极电流
ICP
-IC
集电极耗散功率
结温
储存温度
终端与铜基之间的隔离* 1
电压
*热敏电阻和其他人之间的2
螺丝
力矩
MOUNTING
码头
*3
*4
-Ic时脉
Pc
Tj
TSTG
VISO
-
AC： 1分钟。
1设备
连续
1ms
Tc=25℃
Tc=80℃
Tc=25℃
Tc=80℃
条件
最大
评级
1700
±20
450
300
900
600
300
600
1400
150
-40½ +125
3400
3.5
4.5
A
单位
V
V
W
℃
VAC
N·m的
（* 1）所有的终端应该连接在一起时，隔离测试将被完成。
（* 2）的两个热敏电阻端子应连接在一起，彼此端子应连接在一起
和短路到基板上时，隔离测试将完成。
（ * 3 ）推荐值： 2.5 3.5米（ M5 ）
（ * 4）推荐值： 3.5 4.5米（ M6 ）
4.电气特性（在环境温度为25 ℃ ，除非另有规定）
项
零栅极电压
集电极电流
栅极 - 射极
漏电流
栅极 - 射极
阈值电压
集电极 - 发射极
饱和电压
逆变器
输入电容
开启时间
符号
冰
IGES
VGE （ TH）
VCE （ SAT ）
（终奌站）
VCE （ SAT ）
（片）
资本投资者入境计划
吨
tr
潮流（ⅰ）
花花公子
tf
VF
（终奌站）
VF
（片）
½½½
R导线
R
B
条件
VGE = 0V
VCE = 1700V
VCE = 0V
VGE=±20V
VCE = 20V
IC = 300毫安
VGE=15V
IC = 300A
TJ = 25 ℃
Tj=125℃
TJ = 25 ℃
Tj=125℃
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6.5
2.35
2.70
2.05
2.40
30
0.58
0.32
0.10
0.80
0.15
2.10
2.30
1.80
2.00
0.3
1.0
5000
495
3375
3.0
600
8.5
2.85
-
2.55
-
-
1.20
0.60
-
1.50
0.30
2.85
-
2.55
-
0.6
-
-
520
3450
单位
mA
nA
V
V
VCE=10V,VGE=0V,f=1MHz
VCC = 900V
IC = 300A
VGE=±15V
RG = 2
TJ = 25 ℃
Tj=125℃
TJ = 25 ℃
Tj=125℃
nF
s
打开-O FF时间
VGE=0V
IF = 300A
IF = 300A
T = 25℃
T =100℃
T = 25/50℃
正向电压上
-
-
-
-
-
-
-
465
3305
V
反向恢复时间
引线电阻，终端芯片*
热敏电阻
s
mΩ
K
阻力
B值
(*)
手臂中最大的内部终端电阻。
MS5F 5392
4
14
H04-004-03
5.热电阻特性
项
热电阻（ 1设备）
接触热阻
符号
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ）
IGBT
条件
FWD
用导热膏（ ※ ）
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
-
-
-
0.0167
0.09
0.15
-
单位
℃/W
※
这是被定义的安装在附加散热片具有热化合物的值。
模块6.Recommend的方式安装到散热片夹紧
（1）Initial
：1/3规定的扭矩，序列（1） → （2） → （3） → （4） → （5）→ （6） → （7） → （8）的
（ 2 ）决赛：全部
规定的扭矩（3.5牛顿·米） ，序列（4） → （3） → （2） → （1） → （8） → （7） → （6） → （5）
(7)
(3)
(1)
(5)
M ounting豪莱
热水墨
(6)
(2)
(4)
(8)
M odule
7.指示模块
6MBI300U-170
300A 1700V
Lot.No.
制造地点（代码）
8.Applicable类别
本规范适用于名为6MBI300U -170 IGBT模块。
9.Storage和运输注意事项
该模块应存放在5至35 ℃的标准温度的4575％湿度。
商店模块与数温度变化的场所，以避免凝结在模块的表面上。
避免接触腐蚀性气体和灰尘。
避免在模块上过大的外力。
存储模块与未处理的终端。
不要掉落或以其他方式震荡运输时的模块。
MS5F 5392
5
14
H04-004-03
6MBI300U-170
IGBT模块U系列
特点
高开关速度
·电压驱动器
·低电感模块结构
1700V / 300A 6在一包
应用
·不间断电源
·逆变器电机驱动器
· AC和DC伺服驱动放大器·工业设备，如焊接机
最大额定值和特性
绝对最大额定值（在Tc = 25 ° C除非另有规定编）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 射极voltaga
集电极电流
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C
p
-I
C
-I
C
脉冲
P
C
T
j
T
英镑
V
ISO
条件
等级
1700
±20
450
300
900
600
300
600
1385
+150
-40到+125
3400
W
°C
VAC
单位
V
V
A
连续TC = 25℃
Tc=80°C
1ms
Tc=25°C
Tc=80°C
集电极耗散功率
结温
储存温度
终端和铜底座之间的隔离电压* 1
1设备
AC： 1分钟。
*热敏电阻和其他人之间的2
N·m的
3.5
螺丝扭矩安装* 3
-
4.5
端子* 4
*
1 :
所有终端应连接在一起时，隔离测试将完成。
*
2 :
两个热敏电阻器端子应连接在一起，彼此端子应连接在一起，并短路
以底板时隔离测试将完成。
*
3
：值得推荐值： 2.5 3.5 N·m的（ M5 ） *
4
：值得推荐值： 3.5 4.5 N·m的（ M6 ）
电气特性（在TJ = 25 ° C除非另有说明）
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
（终奌站）
V
CE （ SAT ）
（片）
C
IES
t
on
t
r
t
r（下ⅰ）
t
关闭
t
f
V
F
（终奌站）
V
F
（片）
t
rr
R导线
R
条件
V
GE
=0V, V
CE
=1700V
V
CE
=0V, V
GE
=±20V
V
CE
= 20V ，我
C
=300mA
V
GE
= 15V ，我
C
=300A
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
V
CE
=10V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
V
CC
=900V
I
C
=300A
V
GE
=±15V
R
G
=2
V
GE
=0V
I
F
=300A
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
I
F
=300A
T=25°C
T=100°C
T=25/50°C
特征
分钟。
–
–
4.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
465
3305
典型值。
–
–
6.5
2.35
2.70
2.05
2.40
30
0.58
0.32
0.10
0.80
0.15
2.10
2.30
1.80
2.00
0.3
1.0
5000
495
3375
马克斯。
3.0
600
8.5
2.85
–
2.55
–
–
1.20
0.60
–
1.50
0.30
2.85
–
2.55
–
0.6
–
–
520
3450
V
nF
s
单位
mA
nA
V
V
逆变器
输入电容
开启时间
打开-O FF时间
正向电压上
反向恢复时间
热敏电阻
s
m
Κ
引线电阻，终端芯片*
4
阻力
B值
B
*
4
：手臂中最大的内部终端电阻。
热阻特性
项
热阻
接触热阻
符号
RTH （J -C ）
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ） *
5
条件
IGBT
FWD
随着热复合
特征
分钟。
典型值。
–
–
–
–
–
0.0167
单位
马克斯。
0.09
0.15
–
° C / W
° C / W
° C / W
*
5
：这是它被定义安装在附加散热片具有热化合物的值。
6MBI300U-170
特性（代表）
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 25 ° C /片
800
800
IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 125°C /片
600
集电极电流IC [ A]
VGE=20V
15V
集电极电流IC [ A]
VGE=20V
600
12V
15V
12V
400
400
200
10V
9V
200
10V
9V
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 15V /片
800
T J = 25°C
600
集电极电流IC [ A]
10
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压（典型值）。
TJ = 25C /片
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
8
6
400
T J = 125°C
4
200
2
Ic=600A
Ic=300A
Ic=150A
0
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
门 - 发射极电压VGE [ V]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 0V ， F = 100万赫兹， TJ = 25°C
1000.0
集电极 - 发射极电压VCE [ 200V / DIV ]
门 - 发射极电压VGE
[ 5V / DIV ]
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 900V ， IC = 300A ， TJ = 25°C
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ nF的]
100.0
资本投资者入境计划
VGE
10.0
CRES
1.0
卓越中心
VCE
0
500
1000
1500
2000
0.1
0
10
20
30
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
栅极电荷：的Qg [ NC ]
6MBI300U-170
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 900V ， VGE = ± 15V ， RG = 2Ω ， TJ = 25°C
10000
10000
IGBT模块
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 900V ， VGE = ± 15V ， RG = 2Ω ， TJ = 125°C
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
1000
花花公子
吨
tr
1000
花花公子
吨
tr
tf
100
tf
100
10
0
200
400
600
集电极电流IC [ A]
10
0
200
400
600
集电极电流IC [ A]
开关时间与栅极电阻（典型值）。
VCC = 900V ， IC = 300A ， VGE = ± 15V ， TJ = 25°C
10000
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
180
160
开关损耗与集电极电流（典型值）。
VCC = 900V ， VGE = ± 15V ， RG = 2Ω
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
Eoff(125°C)
140
120
100
80
60
40
20
0
Eoff(25°C)
Eon(125°C)
Err(125°C)
Err(25°C)
Eon(25°C)
1000
花花公子
吨
tr
100
tf
10
1.0
门极电阻： RG [
]
10.0
0
200
400
600
集电极电流IC [ A]
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
VCC = 900V ， IC = 300A ， VGE = ± 15V ， TJ = 125°C
反向偏压安全工作区（最大）
+ VGE = 15V ， -VGE < = 15V ， RG > = 2Ω ， TJ < = 125°C
杂散电感< = 100nH的
200
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
900
宙
集电极电流IC [ A]
150
600
EOFF
100
300
50
ERR
0
1.0
门极电阻： RG [
]
10.0
0
0
300
600
900
1200
1500
1800
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
6MBI300U-170
IGBT模块
正向电流与正向电压（典型值）。
芯片
800
1000
反向恢复特性（典型值）。
VCC = 900V ， VGE = ± 15V ， RG = 2Ω
正向电流IF [ A]
600
T J = 25°C
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
T J = 125°C
400
TRR （ 125°C ）
TRR （ 25 ° C）
内部收益率（ 125°C ）
内部收益率（ 25 ° C）
200
0
0
1
2
3
4
正向电压： VF [ V]
100
0
200
400
600
正向电流IF [ A]
瞬态热阻抗（最大）
1.000
100
温度特性（典型值）。
热resistanse ： Rth的（J -C ） [℃ / W]
FWD
0.100
IGBT
电阻值：R [K
Ω
]
10
0.010
1
0.001
0.001
0.010
0.100
1.000
0.1
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
温度[° C]
脉冲宽度：密码[秒]
QQ：2880707522 复制
