订购数量： ENA0458
6LN04MH
三洋半导体
数据表
N沟道MOSFET硅
6LN04MH
特点
通用开关设备
应用
1.5V驱动器。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
安装在陶瓷板（ 900毫米
2
!0.8mm)
条件
评级
60
±10
200
800
0.6
150
--55到150
单位
V
V
mA
mA
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 60V ， VGS = 0V
VGS = ± 8V ， VDS = 0V
VDS = 10V ， ID = 100μA
VDS = 10V ，ID =百毫安
ID = 100mA时VGS = 4V
ID = 50mA时VGS = 2.5V
ID = 10毫安， VGS = 1.5V
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
评级
民
60
1
±10
0.4
280
480
2.2
2.4
3.5
26
5.9
3.2
18.5
26
146
69
2.9
3.4
7.0
1.3
典型值
最大
单位
V
A
A
V
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
标记： FA
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前，
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
71006PE MS IM TB- 00002393号A0458-1 / 4
6LN04MH
从接下页。
参数
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = 30V ， VGS = 4V ， ID = 200毫安
VDS = 30V ， VGS = 4V ， ID = 200毫安
VDS = 30V ， VGS = 4V ， ID = 200毫安
IS =的200mA， VGS = 0V
评级
民
典型值
1.0
0.2
0.2
0.83
1.2
最大
单位
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7019A-003
开关时间测试电路
VIN
2.0
0.25
0.15
4V
0V
VIN
0至0.02
PW=10s
D.C.≤1%
VDD=30V
3
2.1
1.6
D
Rg
ID=200mA
RL=150
VOUT
1
0.25
0.65
2
0.3
P.G
G
6LN04MH
50
0.85
S
0.07
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
三洋： MCPH3
Rg=1.2k
200
180
160
ID - VDS
V
6.0V
4.0V
2.0
V
1.5
V
300
ID - VGS
VDS=10V
250
漏极电流ID - 毫安
2.5
V
8.0
140
120
100
80
60
40
20
0
0
0.1
漏极电流ID - 毫安
200
150
100
VGS=1.0V
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
50
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
IT11275
漏极至源极电压VDS - V
10
9
8
7
6
IT11274
7
RDS （ ON） - VGS
栅极 - 源极电压VGS - V
RDS （ ON） - TA
Ta=25°C
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） -
6
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） -
5
50mA
5
4
100mA
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
IT11276
3
2
ID=10mA
1.5V
S=
A， VG
10m
V
I D =
=2.5
VGS
,
mA
V
=50
=4.0
ID
GS
,V
0mA
=10
ID
1
0
--60
--40
--20
0
20
Ta
=7
5
°
C
25
°
C
--25
°
C
40
60
80
100
120
140
160
栅极 - 源极电压VGS - V
环境温度，钽 -
°C
IT11277
第A0458-2 / 4
6LN04MH
注意使用情况：由于6LN04MH是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何规范，并且所有三洋半导体产品描述或此处包含的规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，
并且不保证的性能，特性和功能的产品说明
如地安装在客户的产品或设备。要验证的症状，并指出不能
在一个独立的设备进行评估，客户必须不断的评估和测试设备的安装
在客户的产品或设备。
三洋半导体有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何
和所有的半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障
可能引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起冒烟或
火，或可能造成损害的其他财产。在设计产品时，必须采用安全指标
从而就不会发生这些意外事件或事件。这些措施包括但不限于
保护电路及安全设计，多余的设计和结构设计，电路错误预防。
倘任何或所有三洋半导体产品（包括技术数据和服务）
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按照上述规律。
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PS第A0458-4 / 4
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