新产品
VS-6EWH06FN-M3
威世半导体
超低V
F
超快整流器， 6的FRED铂
特点
2, 4
超高速恢复时间，降低了Q
rr
软
恢复
175°C最高工作结温
对于PFC CRM / CCM操作
低正向压降
低漏电流
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020的LF最大峰值
260 °C
符合RoHS指令2002/95 / EC
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
D- PAK （ TO- 252AA ）
1
N / C
3
阳极
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
t
rr
（典型值）。
T
J
马克斯。
二极管的变化
D- PAK （ TO- 252AA ）
6A
600 V
2.1 V
18纳秒
175 °C
单芯片
说明/应用
设计与艺术超快恢复二极管的状态
的正向压降的优化性能，超快
恢复时间，和软恢复。
平面结构和铂掺杂寿命时间
控制保证了最佳的整体性能，
耐用性和可靠性的特点。
这些设备被设计用于在PFC升压阶段中
开关电源转换器或作为续流的交流/直流部
二极管。他们非常优化的存储电荷和低
恢复电流最小化开关损耗和降低
过度
耗散在开关元件和缓冲电路。
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
T
C
= 144 °C
T
J
= 25 °C
T
C
= 144℃中，f = 20kHz的峰，d = 50％的
测试条件
值
600
6
70
12
- 65 175
°C
A
单位
V
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压，
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
C
T
L
S
I
R
= 100 μA
I
F
= 6 A
I
F
= 6 A，T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 600 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
600
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
1.60
1.26
-
-
3.5
8
马克斯。
-
2.1
1.7
50
250
-
-
μA
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
文档编号： 93514
修订： 31 -MAR- 11
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
www.vishay.com
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
1
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
新产品
VS-6EWH06FN-M3
威世半导体
超低V
F
超快整流器， 6的FRED铂
动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1 ，二
F
/ DT = 100 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
I
F
= 1 ，二
F
/ DT = 50 A / μs的，V
R
= 30 V
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 6 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 390 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
18
22
27
37
4.1
5.3
57
103
马克斯。
25
-
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
nC
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
热阻，
结每腿区分
大约重量
打标设备
机箱样式D- PAK （ TO- 252AA ）
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
测试条件
分钟。
- 65
-
典型值。
-
-
0.3
0.01
6EWH06FN
马克斯。
175
3
单位
°C
° C / W
g
盎司
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
文档编号： 93514
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订： 31 -MAR- 11
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
新产品
VS-6EWH06FN-M3
超低V
F
超快整流器， 6的FRED铂
威世半导体
I
F
- 正向电流（A ）
100
100
I
R
- 反向电流（ μA ）
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 175 °C
1
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
0.1
1
T
J
= 125 °C
0.01
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
0.1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
93514_02
0.001
0
100
200
300
400
500
600
93514_01
V
FM
- 正向压降（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
图。 1 - 典型正向压降特性
100
C
T
- 结电容（pF ）
10
1
0
93514_03
100
200
300
400
500
600
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
单脉冲
（热电阻）
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
93514_04
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号： 93514
修订： 31 -MAR- 11
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
www.vishay.com
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
3
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
新产品
VS-6EWH06FN-M3
威世半导体
180
170
DC
160
35
超低V
F
超快整流器， 6的FRED铂
允许外壳温度（ ℃）
40
35
6 A，T
J
= 125 °C
t
rr
（纳秒）
方波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
见注（ 1 ）
150
140
130
120
110
0
2
4
6
8
10
25
20
6 A，T
J
= 25 °C
15
10
100
1000
93514_05
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
93514_07
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
14
RMS限制
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
200
180
160
平均功耗（ W）
12
10
8
6
4
2
0
0
3
6
9
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
DC
140
6 A，T
J
= 125 °C
Q
rr
（ NC ）
120
100
80
60
40
20
0
100
1000
6 A，T
J
= 25 °C
93514_06
I
F（ AV ）
-
平均正向电流（ A）
93514_08
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
图。 6 - 正向功率损耗特性
(1)
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
www.vishay.com
4
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
文档编号： 93514
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订： 31 -MAR- 11
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
新产品
VS-6EWH06FN-M3
超低V
F
超快整流器， 6的FRED铂
威世半导体
V
R
= 200 V
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
文档编号： 93514
修订： 31 -MAR- 11
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
www.vishay.com
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
5
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
QQ：2880707522 复制
