VS- 6CUT04 ， VS- 6CWT04FN
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威世半导体
高性能肖特基代5.0 ， 2 ×3一
特点
175℃高性能肖特基二极管
极低的正向电压降
我朴（ TO- 251AA ）
BASE
常见
阴极
4
D- PAK （ TO- 252AA ）
BASE
常见
阴极
4
极低的反向漏
优化的V
F
与我
R
权衡高效率
增加了耐用性的反向雪崩
能力
RBSOA可用
3
1
阳极
阳极
2
常见
阴极
2
常见
3
1
阳极阴极阳极
开关损耗极小
亚微米沟槽技术
符合RoHS指令2002/95 / EC
VS-6CUT04
VS-6CWT04FN
应用
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
马克斯。
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
D- PAK （TO- 252AA ） ，
我朴（ TO- 251AA ）
2x3A
45 V
0.54 V
3毫安在125°C
175 °C
共阴极
14兆焦耳
具体的光伏电池pybass二极管
高效率开关电源
高频开关
输出整流
反向电池保护
续流
DC / DC系统
提高功率密度系统
主要额定值及特点
符号
V
RRM
V
F
T
J
3 APK ，T
J
= 125°C （典型值，每腿）
范围
特征
值
45
0.46
- 55 175
单位
V
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
符号
V
R
测试条件
T
J
= 25 °C
VS-6CUT04
VS-6CWT04FN
45
单位
V
修订： 03 - NOV- 11
文档编号： 94650
1
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VS- 6CUT04 ， VS- 6CWT04FN
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威世半导体
绝对最大额定值
参数
最大平均
正向电流
每腿
每个器件
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
C
= 166 ℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
3
6
440
A
70
14
I
AS
at
T
J
马克斯。
mJ
单位
A
最大峰值一个周期
每腿不重复浪涌电流
非重复性雪崩
每腿能源
每腿重复雪崩电流
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1.3 ， L = 16毫亨
通过操作和时间脉冲持续时间频率限制
所以那件T
J
＆ LT ;吨
J
马克斯。我
AS
在T
J
最大。随着时间的脉冲的一个功能
（参见图8）
I
AR
A
电气规格
参数
符号
3A
每腿正向电压降
V
调频（1）
6A
3A
6A
每腿反向漏电流
每腿结电容
每腿串联电感
变化最大电压率
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
典型值。
0.535
0.615
0.485
0.570
-
-
240
8.0
-
马克斯。
0.600
0.680
0.540
0.640
25
3
-
-
10 000
μA
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz时） ，25°C
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
热 - 机械特性
参数
最大结点和
存储温度范围
最大热电阻，
结每腿区分
最大热电阻，
每个结点设备外壳
典型热阻，
案件散热器
大约重量
案例式的I- PAK
机箱样式D- PAK
符号
T
J
, T
英镑
测试条件
值
- 55 175
4.7
R
thJC
直流操作
2.35
R
乡镇卫生院
0.3
0.3
0.01
6CUT04
6CWT04FN
g
盎司
° C / W
单位
°C
打标设备
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I
F
- 正向电流（A ）
威世半导体
10
175 °C
100
I
R
- 反向电流（mA ）
1
150 °C
125 °C
10
0.1
100 °C
75 °C
50 °C
0.01
1
T = 175℃
T = 125°C
吨= 25°C
0.001
25 °C
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.0001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
T
C
T
- 结电容（pF ）
100
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容比。
反向电压
10
Z
thJC
- 热响应
1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
单身
脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
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2.5
D = 3/4
D = 1/2
D = 1/3
D = 1/4
D = 1/5
RMS限制
1
威世半导体
允许外壳温度（ ℃）
180
平均功耗（ W）
175
170
165
160
155
150
145
0
1
2
3
4
5
方
波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
r
应用的
SEE
记
(1)
2
DC
DC
1.5
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
100
10
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
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威世半导体
100
雪崩电流（ A）
10
T
J
= 25 °C
1
T
J
= 125 °C
T
J
= 175 °C
0.1
1
10
100
矩形脉冲持续时间（微秒）
图。 8 - 反向偏置安全工作区（雪崩电流与矩形脉冲宽度）
100
雪崩能量（兆焦耳）
T
J
= 25 °C
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 175 °C
1
1
10
100
矩形脉冲持续时间（微秒）
图。 9 - 反向偏置安全工作区（雪崩能量与矩形脉冲宽度）
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