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2N6109, 6290
互补功率晶体管
产品特点:
集电极 - 发射极电压 - 可持续
V
CEO ( SUS )
= 50V (最小值) - 2N6109 , 2N6290 。
直流电流增益指定为7.0安培
h
FE
= 2.3 (最低)在我
C
= 7.0A - 2N6109 , 2N6290 。
互补硅塑料功率晶体管。
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
4.收集器(箱) 。
L
M
O
最低
14.68
9.78
5.01
13.06
3.57
2.42
1.12
0.72
4.22
1.14
2.20
0.33
2.48
3.70
最大
15.31
10.42
6.52
14.62
4.07
3.66
1.36
0.96
4.98
1.38
2.97
0.55
2.98
3.90
PNP
2N6109
7安培
NPN
2N6290
其他芯片
功率晶体管
50伏
40瓦
TO-220
外形尺寸:毫米为
第1页
31/05/05 V1.0
2N6109, 6290
互补功率晶体管
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
-Peak
基极电流
在T总功率耗散
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结温范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
2N6109
2N6290
50
60
5.0
7.0
10
3.0
40
0.32
-65到+150
W
W / ℃,
°C
V
单位
A
热特性
特征
热阻结到外壳
符号
RθJC
最大
3.125
单位
° C / W
图1 - 功率降额
第2页
31/05/05 V1.0
2N6109, 6290
互补功率晶体管
电气特性(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压( 1 )
(I
C
= 100mA时我
B
= 0)
符号
最低
最大
单位
V
CEO ( SUS )
50
-
V
收藏家切断电流
(V
CE
= 40V ,我
B
= 0)
I
首席执行官
-
1.0
收藏家切断电流
(V
CE
= 60V, V
BE (OFF)的
= 1.5V)
(V
CE
= 50V, V
BE (OFF)的
= 1.5V ,T
C
= 125°C)
发射器切断电流
(V
EB
= 5.0V ,我
C
= 0)
基本特征( 1 )
直流电流增益
(I
C
= 2.5A ,V
CE
= 4.0V)
(I
C
= 7.0A ,V
CE
= 4.0V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 7.0A ,我
B
= 3.0A)
基射极电压上
(I
C
= 7.0A ,V
CE
= 4.0V)
动态特性
电流增益带宽积( 2 )
(I
C
= 0.5A ,V
CE
= 4.0V , F = 1.0MHz的)
小信号电流增益
(I
C
= 0.5A ,V
CE
= 4.0V , F = 50kHz的)
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
≤2.0%.
(2) f
T =
h
fe
f
测试。
I
CEX
-
0.1
2.0
mA
I
EBO
-
1.0
h
FE
30
2.3
150
-
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
-
-
3.5
V
3.0
f
T
2.5
10
20
-
-
兆赫
h
fe
-
第3页
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2N6109, 6290
互补功率晶体管
图2 - 开关时间测试电路
图3 - 关闭时间
D1必须是快恢复类型,例如:
MB05300采用上述IB =百毫安
下面MSD6100使用IB =百毫安
图4 - 直流电流增益
图5 - 开启时间
图 - 6个活动区安全工作区
上有一个晶体管的功率处理能力,有两个限制:
平均结温及第二击穿安全工作区
曲线表明我
C
-V
CE
该晶体管的一个必须为被观察的限制
可靠的操作,即,晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图中的数据 - 6曲线是基于T
J(下PK)
= 150_C ;牛逼
C
是可变的
根据不同的功率电平。其次,脉细数限制是有效的
的占空比以10%的假定T
J(下PK)
≤150°C.
在高温情况下,
热的限制将减少可处理到的值更小的功率
比由二次击穿所造成的限制。
第4页
31/05/05 V1.0
2N6109, 6290
互补功率晶体管
图7 - 集电极饱和区
图8 - 的电容
图9 - “开”电压
图10 - 集电极截止区
特定网络阳离子
I
C( AV )
最大
(A)
7
V
首席执行官
最大
(V)
50
h
FE
最低
在我
C
= 2.5A
30
P
合计
在25℃下
(W)
40
NPN
2N6290
TYPE
PNP
产品型号
2N6109
第5页
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2N6109, 6290
互补功率晶体管
产品特点:
集电极 - 发射极电压 - 可持续
V
CEO ( SUS )
= 50V (最小值) - 2N6109 , 2N6290 。
直流电流增益指定为7.0安培
h
FE
= 2.3 (最低)在我
C
= 7.0A - 2N6109 , 2N6290 。
互补硅塑料功率晶体管。
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
4.收集器(箱) 。
L
M
O
最低
14.68
9.78
5.01
13.06
3.57
2.42
1.12
0.72
4.22
1.14
2.20
0.33
2.48
3.70
最大
15.31
10.42
6.52
14.62
4.07
3.66
1.36
0.96
4.98
1.38
2.97
0.55
2.98
3.90
PNP
2N6109
7安培
NPN
2N6290
其他芯片
功率晶体管
50伏
40瓦
TO-220
外形尺寸:毫米为
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互补功率晶体管
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
-Peak
基极电流
在T总功率耗散
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结温范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
2N6109
2N6290
50
60
5.0
7.0
10
3.0
40
0.32
-65到+150
W
W / ℃,
°C
V
单位
A
热特性
特征
热阻结到外壳
符号
RθJC
最大
3.125
单位
° C / W
图1 - 功率降额
第2页
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2N6109, 6290
互补功率晶体管
电气特性(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压( 1 )
(I
C
= 100mA时我
B
= 0)
符号
最低
最大
单位
V
CEO ( SUS )
50
-
V
收藏家切断电流
(V
CE
= 40V ,我
B
= 0)
I
首席执行官
-
1.0
收藏家切断电流
(V
CE
= 60V, V
BE (OFF)的
= 1.5V)
(V
CE
= 50V, V
BE (OFF)的
= 1.5V ,T
C
= 125°C)
发射器切断电流
(V
EB
= 5.0V ,我
C
= 0)
基本特征( 1 )
直流电流增益
(I
C
= 2.5A ,V
CE
= 4.0V)
(I
C
= 7.0A ,V
CE
= 4.0V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 7.0A ,我
B
= 3.0A)
基射极电压上
(I
C
= 7.0A ,V
CE
= 4.0V)
动态特性
电流增益带宽积( 2 )
(I
C
= 0.5A ,V
CE
= 4.0V , F = 1.0MHz的)
小信号电流增益
(I
C
= 0.5A ,V
CE
= 4.0V , F = 50kHz的)
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
≤2.0%.
(2) f
T =
h
fe
f
测试。
I
CEX
-
0.1
2.0
mA
I
EBO
-
1.0
h
FE
30
2.3
150
-
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
-
-
3.5
V
3.0
f
T
2.5
10
20
-
-
兆赫
h
fe
-
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互补功率晶体管
图2 - 开关时间测试电路
图3 - 关闭时间
D1必须是快恢复类型,例如:
MB05300采用上述IB =百毫安
下面MSD6100使用IB =百毫安
图4 - 直流电流增益
图5 - 开启时间
图 - 6个活动区安全工作区
上有一个晶体管的功率处理能力,有两个限制:
平均结温及第二击穿安全工作区
曲线表明我
C
-V
CE
该晶体管的一个必须为被观察的限制
可靠的操作,即,晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图中的数据 - 6曲线是基于T
J(下PK)
= 150_C ;牛逼
C
是可变的
根据不同的功率电平。其次,脉细数限制是有效的
的占空比以10%的假定T
J(下PK)
≤150°C.
在高温情况下,
热的限制将减少可处理到的值更小的功率
比由二次击穿所造成的限制。
第4页
31/05/05 V1.0
2N6109, 6290
互补功率晶体管
图7 - 集电极饱和区
图8 - 的电容
图9 - “开”电压
图10 - 集电极截止区
特定网络阳离子
I
C( AV )
最大
(A)
7
V
首席执行官
最大
(V)
50
h
FE
最低
在我
C
= 2.5A
30
P
合计
在25℃下
(W)
40
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联系人:朱
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联系人:刘经理
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