FMMT620
SuperSOT
80V NPN硅低饱和晶体管
摘要
V
首席执行官
= 80V ;
SAT
= 90米;我
C
= 1.5A
描述
加强现有SuperSOT这个范围80V NPN晶体管利用
Zetex的矩阵结构，结合先进的装配技术。用户
设置有高HFE和非常低的饱和性能确保了较低的上
国家的损失。
特点
极低的等效导通电阻
超低饱和电压
h
FE
特征值最高达3.0A
I
C
= 1.5A的连续集电极电流
SOT23封装
SOT23
应用
直流 - 直流模块
电源管理功能
CCFL背光逆变器
电机控制和驱动功能
E
C
B
胶带宽度
(mm)
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
顶视图
订购信息
设备
FMMT620TA
FMMT620TC
带尺寸
（英寸）
7
13
器件标识
620
第2期 - 2006年6月
1
半导体
FMMT620
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在TA功耗= 25° C（一）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
极限
80
80
5
5
1.5
500
625
5
806
6.4
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
200
155
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
第2期 - 2006年6月
半导体
2
