IS61LV25616AL
256K ×16高速异步
采用3.3V电源CMOS静态RAM
特点
高速存取时间：
- 10 ， 12纳秒
CMOS低功耗运行
低待机功耗：
- 小于5m
A
（典型值） CMOS待机
TTL兼容接口电平
单3.3V电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
ISSI
2003年2月
描述
该
ISSI
IS61LV25616AL是一个高速， 4194304位
静态RAM （16位）组织为262,144字。这是
使用制造
ISSI
的高性能CMOS技
术。这再加上创新的高度可靠的工艺
电路设计技术，产量高性能和低
电力消耗装置。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
该IS61LV25616AL打包在JEDEC标准
44引脚400密耳SOJ ， 44引脚TSOP II型， 44引脚LQFP和
48针Mini- BGA （8毫米X 10毫米） 。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×16
存储阵列
VDD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
版权所有2003集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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IS61LV25616AL
ISSI
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
I
CC
销刀豆网络gurations
44引脚TSOP （ II型）和SOJ
引脚说明
A0-A17
I/O0-I/O15
CE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VDD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A17
A16
A15
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VDD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A14
A13
A12
A11
A10
OE
WE
LB
UB
NC
V
DD
GND
2
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ISSI
48引脚小型BGA
1
2
3
4
5
6
销刀豆网络gurations
44引脚LQFP
1
2
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VDD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34
33
1
32
2
31
3
30
4
29
5
顶视图
28
6
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
WE
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VDD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
V
DD
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
N / C
I / O
0
I / O
2
V
DD
GND
I / O
6
I / O
7
NC
3
4
5
6
7
引脚说明
A0-A17
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
V
DD
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
8
9
10
11
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IS61LV25616AL
ISSI
价值
-0.5到V
DD
+0.5
-65到+150
1.0
单位
V
°C
W
绝对最大额定值
(1)
符号参数
V
TERM
T
英镑
P
T
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
工作范围
V
DD
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
10ns
3.3V +10%, -5%
3.3V +10%, -5%
12ns
3.3V + 10%
3.3V + 10%
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.0
–0.3
–2
–5
–2
–5
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.3
0.8
2
5
2
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
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IS61LV25616AL
ISSI
测试条件
V
DD
=最大，
COM 。
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
IND 。
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = f
最大
.
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-10
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
100
110
50
55
20
25
15
20
-12
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
90
100
45
50
20
25
15
20
单位
mA
mA
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
I
SB
V
DD
工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
1
2
3
4
5
6
I
SB
1
mA
I
SB
2
V
DD
=最大，
COM 。
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
IND 。
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
在发展中阴影区域的产品
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
7
8
9
10
11
12
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
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IS61LV25616AL
256K ×16高速异步
采用3.3V电源CMOS静态RAM
特点
高速存取时间：
- 10 ， 12纳秒
CMOS低功耗运行
低待机功耗：
- 小于5m
A
（典型值） CMOS待机
TTL兼容接口电平
单3.3V电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
ISSI
2003年2月
描述
该
ISSI
IS61LV25616AL是一个高速， 4194304位
静态RAM （16位）组织为262,144字。这是
使用制造
ISSI
的高性能CMOS技
术。这再加上创新的高度可靠的工艺
电路设计技术，产量高性能和低
电力消耗装置。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
该IS61LV25616AL打包在JEDEC标准
44引脚400密耳SOJ ， 44引脚TSOP II型， 44引脚LQFP和
48针Mini- BGA （8毫米X 10毫米） 。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×16
存储阵列
VDD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
版权所有2003集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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IS61LV25616AL
ISSI
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
I
CC
销刀豆网络gurations
44引脚TSOP （ II型）和SOJ
引脚说明
A0-A17
I/O0-I/O15
CE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VDD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A17
A16
A15
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VDD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A14
A13
A12
A11
A10
OE
WE
LB
UB
NC
V
DD
GND
2
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ISSI
48引脚小型BGA
1
2
3
4
5
6
销刀豆网络gurations
44引脚LQFP
1
2
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VDD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34
33
1
32
2
31
3
30
4
29
5
顶视图
28
6
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
WE
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VDD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
V
DD
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
N / C
I / O
0
I / O
2
V
DD
GND
I / O
6
I / O
7
NC
3
4
5
6
7
引脚说明
A0-A17
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
V
DD
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
8
9
10
11
12
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ISSI
价值
-0.5到V
DD
+0.5
-65到+150
1.0
单位
V
°C
W
绝对最大额定值
(1)
符号参数
V
TERM
T
英镑
P
T
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
工作范围
V
DD
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
10ns
3.3V +10%, -5%
3.3V +10%, -5%
12ns
3.3V + 10%
3.3V + 10%
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.0
–0.3
–2
–5
–2
–5
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.3
0.8
2
5
2
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
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ISSI
测试条件
V
DD
=最大，
COM 。
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
IND 。
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = f
最大
.
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-10
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
100
110
50
55
20
25
15
20
-12
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
90
100
45
50
20
25
15
20
单位
mA
mA
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
I
SB
V
DD
工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
1
2
3
4
5
6
I
SB
1
mA
I
SB
2
V
DD
=最大，
COM 。
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
IND 。
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
在发展中阴影区域的产品
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
7
8
9
10
11
12
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
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REV 。一
02/21/03
5
