VS- 60CPU06 -F， VS- 60CPU06 -N3
www.vishay.com
威世半导体
超快整流器，
FRED铂
， 2× 30 A
特点
超快恢复时间
基地2
常见
阴极
低正向压降
低漏电流
175 ° C的工作结温
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和
JEDEC-JESD47
合格
根据
to
阳极1
TO-247AC
阳极2
2
1共3
阴极
符合IEC 61249-2-21无卤素
定义（ -N 3只）
描述
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
t
rr
典型值。
T
J
马克斯。
二极管的变化
TO-247AC
2× 30 A
600 V
1.65 V
27纳秒
175 °C
共阴极
VS- 60CPU06 ...系列是最先进超快的状态
恢复整流器设计与优化的性能
正向压降和超快恢复时间。
平面结构和铂掺杂寿命时间控制
保证最佳的整体性能，耐用性和
可靠性的特点。
这些设备被设计用于输出整流用
SMPS ，焊接， UPS ， DC的舞台/ DC转换器，以及
续流二极管低电压逆变器和斩波
电机驱动器。
他们非常优化的存储电荷和低恢复
电流最小化开关损耗和降低了
耗散在开关元件和缓冲电路。
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
每腿
每个器件
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
为V
R
, T
C
= 137 °C
T
J
= 25 °C
为V
R
，方波， 20千赫，T
C
= 137 °C
测试条件
值
600
30
60
300
60
- 65 175
°C
A
单位
V
每腿非重复峰值浪涌电流
每腿重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压，
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
C
T
L
S
I
R
= 100 μA
I
F
= 30 A
I
F
= 30 A，T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 200 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
600
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
1.31
1.1
0.02
30
22
3.5
马克斯。
-
1.65
1.4
50
250
-
-
A
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
修订： 26 -JAN- 12
文档编号： 94658
1
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VS- 60CPU06 -F， VS- 60CPU06 -N3
www.vishay.com
威世半导体
动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1.0 ，二
F
/ DT = 100 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 30 A
dI
F
/ DT = - 200 A / μs的
V
R
= 200 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
27
42
110
5
11
110
630
马克斯。
35
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
nC
热 - 机械特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大结点和
存储温度范围
热阻，
结每腿区分
热阻，
每个路口站到环境
热阻，
案件散热器
重量
安装力矩
打标设备
机箱样式TO- 247AC
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
典型的插座安装
安装面，平整，光滑
与润滑
测试条件
分钟。
- 65
-
-
-
-
-
6.0
(5.0)
典型值。
-
0.6
-
0.4
6.0
0.22
-
马克斯。
175
0.9
70
-
-
-
12
(10)
60CPU06
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
° C / W
单位
°C
1000
1000
I
F
- 正向
电流（A ）
I
R
- 反向电流（ μA ）
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
100
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
100
200
300
400
500
600
V
F
- 正向压降（ V）
图。 1 - 典型正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
修订： 26 -JAN- 12
文档编号： 94658
2
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威世半导体
1000
C
T
- 结电容（pF ）
100
10
0
100
200
300
400
500
600
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
0.1
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.01
单脉冲
（热电阻）
0.001
0.00001
0.0001
.
0.001
0.01
0.1
1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
180
60
允许外壳温度（ ℃）
160
DC
140
方
WAVE
(D = 0.50)
评级
V
R
应用的
120
见注（ 1 ）
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
平均功耗（ W）
50
40
30
20
10
0
0
10
20
30
40
50
DC
RMS限制
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
修订： 26 -JAN- 12
文档编号： 94658
3
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1000
10 000
威世半导体
1000
I
F
= 30 A，T
J
= 125 °C
t
rr
（纳秒）
I
F
= 30 A，T
J
= 125 °C
100
Q
rr
（ NC ）
100
I
F
= 30 A，T
J
= 25 °C
I
F
= 30 A，T
J
= 25 °C
10
100
1000
10
100
1000
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
(1)
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
V
R
= 200 V
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
修订： 26 -JAN- 12
文档编号： 94658
4
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VS- 60CPU06 -F， VS- 60CPU06 -N3
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订购信息表
威世半导体
器件代码
VS-
1
1
2
3
4
5
6
7
60
2
-
-
-
-
-
-
-
C
3
P
4
U
5
06
6
-F
7
威世半导体产品
额定电流（ 60 = 60 A）
电路配置：
C =共阴极
包装：
P = TO- 247AC （修正）
U =超快整流器
电压额定值（ 06 = 600 V ）
环境位数：
-F =符合RoHS标准，完全无铅（Pb ） - 免费
N 3 =无卤素，符合RoHS标准，完全无铅（Pb ） - 免费
订购信息
（例）
首选的P / N
VS-60CPU06-F
VS-60CPU06-N3
QUANTITY PER T / R
25
25
最小起订量
500
500
包装说明
防静电塑料管
防静电塑料管
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修订： 26 -JAN- 12
文档编号： 94658
5
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60CPU06-F
日前，Vishay高功率产品
超快整流器，
FRED铂
TM
， 2× 30 A
特点
基地2
常见
阴极
超快恢复时间
低正向压降
低漏电流
175 ° C的工作结温
完全无铅（Pb）并符合RoHS标准的设备
阳极1
TO-247AC
阳极2
2
1共3
阴极
设计和工业级合格
描述
60CPU02 -F系列是最先进的超快恢复状态
整流器设计的正向优化的性能
电压降和超快恢复时间。
平面结构和铂掺杂寿命时间控制
保证最佳的整体性能，耐用性和
可靠性的特点。
这些设备被设计用于输出整流用
的开关电源，焊接，不间断电源，直流 - 直流转换器级以及
续流二极管低电压逆变器和斩波
电机驱动器。
他们非常优化的存储电荷和低恢复
电流最小化开关损耗和降低了
耗散在开关元件和缓冲电路。
产品概述
t
rr
I
F（ AV ）
V
R
42纳秒
2× 30 A
600 V
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
每腿
每个器件
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
为V
R
, T
C
= 137 °C
T
J
= 25 °C
为V
R
，方波， 20千赫，T
C
= 137 °C
测试条件
值
600
30
60
300
60
- 65 175
°C
A
单位
V
每腿非重复峰值浪涌电流
每腿重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压，
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
= 100 A
I
F
= 30 A
I
F
= 30 A，T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 200 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
600
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
1.31
1.1
0.02
30
22
3.5
马克斯。
-
1.65
1.4
50
250
-
-
A
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
I
R
C
T
L
S
文档编号： 94658
修订： 21 -JAN- 09
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
60CPU06-F
日前，Vishay高功率产品
超快整流器，
FRED铂
TM
， 2× 30 A
动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1.0 ，二
F
/ DT = 100 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 30 A
dI
F
/ DT = - 200 A / μs的
V
R
= 200 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
27
42
110
5
11
110
630
马克斯。
35
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
nC
热 - 机械特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大结点和
存储温度范围
热阻，
结每腿区分
热阻，
每个路口站到环境
热阻，
案件散热器
重量
安装力矩
打标设备
机箱样式TO- 247AC
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
典型的插座安装
安装面，平整，光滑
与润滑
测试条件
分钟。
- 65
-
-
-
-
-
6.0
(5.0)
典型值。
-
0.6
-
0.4
6.0
0.22
-
马克斯。
175
0.9
70
-
-
-
12
(10)
60CPU06
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
° C / W
单位
°C
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 94658
修订： 21 -JAN- 09
60CPU06-F
超快整流器，
FRED铂
TM
， 2× 30 A
1000
1000
日前，Vishay高功率产品
I
F
- 正向
电流（A ）
I
R
- 反向电流（ μA ）
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
100
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
100
200
300
400
500
600
V
F
- 正向压降（ V）
图。 1 - 典型正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容（pF ）
100
10
0
100
200
300
400
500
600
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
0.1
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.01
单脉冲
（热电阻）
0.001
0.00001
0.0001
.
0.001
0.01
0.1
1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号： 94658
修订： 21 -JAN- 09
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
3
60CPU06-F
日前，Vishay高功率产品
180
超快整流器，
FRED铂
TM
， 2× 30 A
1000
允许外壳温度（ ℃）
160
DC
140
方
WAVE
(D = 0.50)
评级
V
R
应用的
120
见注（ 1 ）
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
10
100
1000
I
F
= 30 A，T
J
= 25 °C
t
rr
（纳秒）
I
F
= 30 A，T
J
= 125 °C
100
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
60
10 000
平均功耗（ W）
50
40
30
20
10
0
0
10
20
30
40
50
DC
1000
I
F
= 30 A，T
J
= 125 °C
RMS限制
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
Q
rr
（ NC ）
100
I
F
= 30 A，T
J
= 25 °C
10
100
1000
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
(1)
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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4
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 94658
修订： 21 -JAN- 09
60CPU06-F
超快整流器，
FRED铂
TM
， 2× 30 A
V
R
= 200
V
日前，Vishay高功率产品
0.01
Ω
L = 70
H
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
来点
哪里
线传球
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4) Q
rr
- 区域
下
曲线定义
by
t
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
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