可编程LVCMOS / LVTTL
时钟发生器
IDT5V925BI
数据表
概述
该IDT5V925BI是一款高性能，低偏移，低抖动
锁相环（PLL）的时钟驱动器。它提供了精确的相位和
它的时钟的频率调准输出到一个外部施加的
时钟输入或内部晶体振荡器。该IDT5V925BI已
特别设计的千兆以太网和快速接口
以太网应用提供25MHz的从一个125MHz的时钟
输入。它也可以被编程，以提供输出频率
从3.125MHz至160MHz的输入频率范围
从3.125MHz到80MHz的。
该IDT5V925BI包括一个内部RC滤波器，可提供
优异的抖动特性，并且消除了对外部
组件。当使用可选的晶振输入，该芯片接收
一个10-30MHz基本模式晶体，最大等效
50串联电阻
。片上晶体振荡器包括
反馈电阻和晶体电容（额定负载电容
为18pF之） 。
特点
3V至3.6V工作电压
3.125MHz至160MHz输出频率范围
四个可编程频率LVCMOS / LVTTL输出
输入从根本晶体振荡器或外部时钟源
平衡驱动器输出± 12毫安
PLL禁用模式，低频测试
选择输入（S [1：0 ] ），用于分频的选择（ 2乘法比率，3，4 ，
5 ，6，7和8）的
5V容限输入
低输出偏斜/抖动
外部PLL反馈，内部环路滤波器
-40 ° C至85°C的工作环境温度
可提供无铅（ RoHS指令6 ）包
引脚分配
应用
以太网/快速以太网
路由器
网络交换机
圣
仪器仪表
S
1
S
0
GNDQ
V
DDQ
X
1
X
2
CLKIN
FB
1
2
3
4
5
6
7
8
1
6
1
5
1
4
1
3
1
2
1
1
1
0
9
V
DD
GND
Q
2
Q
1
Q
0
Q / N
GND
OE
IDT5V925BI
16引脚QSOP
0.194 “× 0.236 ”× 0.058 “包体
Q PACKAGE
顶视图
S0
S1
框图
SELECT
模式
FB
CLKIN
相
探测器
环
滤波器
VCO
0
1
X2
VCO
DIVIDE
1/N
Q / N
Q0
XTAL
OSC
X1
可选
水晶
Q1
Q2
OE
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可编程LVCMOS / LVTTL时钟发生器
表1.引脚说明
数
1, 2
3
4
5
6
7
8
9
10, 15
11
12, 13, 14
16
名字
S1, S0
GNDQ
V
DDQ
X1
(1)
X2
(1)
CLKIN
FB
OE
GND
Q / N
Q0, Q1, Q2
V
DD
输入
动力
动力
输入
产量
输入
输入
输入
动力
产量
产量
动力
TYPE
上拉/
下拉
描述
三级分/模式选择引脚。浮到MID 。
地供应PLL 。
电源的PLL 。
晶体振荡器的输入。如果不需要连接到GND振荡器。
晶体振荡器的输出。悬空的时钟输入。
时钟输入。
PLL反馈输入端应连接到仅Q / N个输出引脚。 PLL锁定
FB上信号的上升沿。
高阻抗输出使能。当置为高电平，时钟输出高
阻抗。
地供应给输出缓冲器。
可编程分频N个时钟输出。
输出N * CLKIN频率。
电源为输出缓冲器。
注意：
上拉和下拉
是指内部输入电阻。参照表2 ，
引脚特性，
为典型值。
注1 ：为了获得最佳的精度，使用18pF之的负载电容指定的并联谐振晶体。
表2.引脚特性
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入上拉电阻
输入下拉电阻
输出阻抗
V
DD
= 3.3V±0.3V
测试条件
CLKIN ， FB ， OE
V
DD
= 3.6V
最低
典型
4
15
47
47
16
最大
单位
pF
pF
k
k
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功能表
表3A 。功能表
允许CLKIN范围（MHz ）
(1, 2)
输出用于反馈
Q / N
最低
25/N
最大
160/N
输出频率的关系
Q / N
CLKIN
Q[2:0]
CLKIN ×N个
注1：在指定的CLKIN频率范围保证了VCO会为25MHz至160MHz的最佳范围内工作。
操作超出了规定的CLKIN的频率范围，可能会导致无效或失锁输出。
注2 ： Q [ 2：0]是不允许被用作反馈。
表3B 。分选型表
(1)
S1
L
L
L
M
M
M
H
H
H
S0
L
M
H
L
M
H
L
M
H
2
3
4
5
(3)
（默认）
6
7
8
16
除以N值
工厂测试
(2)
PLL
PLL
PLL
PLL
PLL
PLL
PLL
TEST
(4)
模式
注1 ： H = HIGH ， M = MEDIUM ， L =低。
注2 ：工厂测试模式：操作未指定。
注3 ：以太网模式（使用25MHz的输入频率和Q / N为反馈） 。
注4 ：测试模式，低频测试。在这种模式下， CLKIN旁路VCO （压控振荡器断电） 。频率必须> 1MHz的原因
在分频器的动态电路。 Q [ 2：0]的输出由2在测试模式分割。
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绝对最大额定值
注：如果运行条件超出了那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些评级压力
规格而已。产物在这些条件下或超出任何条件中所列出的功能操作
直流特性和交流
特征
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响产品的可靠性。
项
电源电压对地，V
TERM
直流输入电压，V
IN
直流输出电压，V
OUT
最大功耗，T
A
= 85°C
贮藏温度，T
英镑
封装的热阻抗，
θ
JA
等级
-0.5V至+ 4.6V
-0.5V至+ 4.6V
-0.5到V
DD
+0.5V
0.55W
-65 ° C至+ 150°C
72.3°C/W
工作条件
符号
V
DD
/ V
DDQ
T
A
描述
电源电压
工作温度
最低
3.0
-40
典型
3.3
+25
最大
3.6
+85
单位
V
°C
DC电气特性
表4A 。直流电源的特点，
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40 ° C至85°C
符号
I
DDQ
参数
静态电源电流
测试条件
V
DD
= V
DDQ
= 3.6V ; CLKIN = 2.5MHz的;
S [ 1：0] = MM ，OE = H，
所有输出卸载
V
DD
= V
DDQ
= 3.6V;
S [ 1：0] = MM ，OE = H，
所有输出卸载
V
DD
= V
DDQ
= 3.6V ，女
OUT
= 70MHz时;
S [1 ：0] = LM， OE = GND ，
50Ω负载到GND所有输出
最低
典型
2
最大
4
单位
mA
静态电源电流
I
DD
动态电源电流
83
102
mA
80
160
mA
注： H = HIGH ， M = MEDIUM ，L =低
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表4B 。 LVCMOS / LVTTL DC特性
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V,
T
A
= -40 ° C至85°C
符号
V
IL
V
IH
V
IHH
V
IMM
V
ILL(1)
I
IN(1)
I
3(1)
I
IH
V
OL
V
OH
参数
输入低电压
输入高电压
输入高电压
输入端电压
输入低电压
输入漏电流
三电平输入
直流电流
输入高电流
输出低电压
输出高电压
S[1:0]
S[1:0]
S[1:0]
CLKIN ， FB
只有3个电平输入
只有3个电平输入
只有3个电平输入
V
IN
= V
DD
或GND ，V
DD
=最大。
V
IN
= V
DD,
高层
S[1:0]
V
IN
= V
DD
/2
,
半山
V
IN
= GND ，低水平
V
IN
= V
DD
I
OL
= 12毫安
I
OH
= -12mA
2.4
-50
-200
-5
0.07
0.15
2.8
±5
0.55
-5
2
V
DD
- 0.6
V
DD
/2 - 0.3
V
DD
/2 + 0.3
0.6
+5
200
+50
测试条件
最低
典型
最大
0.8
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
V
V
注：报考条件，除非另有说明。
注1 ：这些输入通常连接到V
DD,
GND或悬空。如果输入被切换到实时，功能和定时
输出可能出现干扰，并且PLL可能需要额外的锁定时间的所有数据表限值达到之前。
表5.水晶特点
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
注：使用一个18pF之并联谐振晶体特征。
10
测试条件
最低
典型
基本
30
50
7
兆赫
最大
单位
pF
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