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V
帝斯曼
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
V
T0
r
T
=
=
=
=
=
=
2800 V
1400 A
2210 A
18000 A
0.82 V
0.370 m
相位控制晶闸管
5STP 16F2800
文档。第5SYA1022-03 9月1日
专利自由浮动的硅技术
低通态损耗和开关损耗
专为牵引，能源和工业应用
最佳的功率处理能力
闭塞
产品型号
V
DRM
V
RSM1
I
DRM
I
RRM
dv / dt的
CRIT
V
RRM
5STP 16F2800 5STP 16F2600 5STP 16F2200
条件
2800 V
3000 V
2600 V
2800 V
≤
200毫安
≤
200毫安
1000 V / μs的
2200 V
2400 V
F = 50 Hz时，T
p
= 10ms的
t
p
= 5毫秒，单脉冲
V
DRM
V
RRM
T
j
= 125°C
进出口。 0.67 x垂直
DRM
, T
j
= 125°C
机械数据
F
M
安装力
喃。
分钟。
马克斯。
a
促进
夹紧装置
夹紧装置
m
D
S
D
a
重量
表面爬电距离
空袭距离
50米/ s的
2
百米/秒
2
0.6千克
25 mm
14 mm
22千牛
14千牛
24千牛
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
5STP 16F2800
导通状态
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
I
2
t
马克斯。平均通态电流
马克斯。 RMS通态电流
马克斯。峰值不重复
浪涌电流
极限载荷积分
1400 A
2210 A
18000 A
19000 A
TP =
TP =
10毫秒
8.3毫秒
10毫秒
8.3毫秒
2000 A
800 - 2400 A
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
后激增：
V
D
= V
R
= 0V
半正弦波，T
C
= 70°C
1620千安
2
s = TP
1498千安
2
s = TP
V
T
V
T0
r
T
I
H
I
L
通态电压
阈值电压
斜率电阻
保持电流
1.55 V
0.82 V
0.370 m
25-75毫安
15-60毫安
I
T
=
I
T
=
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
闭锁电流
100-毫安
500
50-200毫安
开关
的di / dt
CRIT
对国家崛起的临界速度
当前
150 A / μs的
300 A / μs的
续。 F = 50 Hz的V
D
≤
0.67V
DRM
, T
j
= 125°C
60秒。
F = 50Hz的
V
D
= 0.4V
DRM
I
TRM
= 2000 A
I
FG
= 2 A，T
r
= 0.5 s
I
FG
= 2 A，T
r
= 0.5 s
t
d
t
q
Q
rr
延迟时间
打开-O FF时间
≤
≤
民
最大
3.0 s
400 s
V
D
≤
0.67V
DRM
I
TRM
= 2000 A，T
j
= 125°C
dv
D
/ DT = 20V / μs的V
R
> 200伏，二
T
/ DT = -20 A / μs的
恢复电荷
3000 μAs
6000 μAs
触发
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
V
FGM
I
FGM
V
RGM
P
G
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
门非触发电流
峰值正向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值反向栅极电压
门的功率损耗
2.6 V
400毫安
0.3 V
10毫安
12 V
10 A
10 V
3W
T
j
= 25°
T
j
= 25°
V
D
= 0.4× V
DRM
V
D
= 0.4× V
DRM
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
文档。第5SYA1022-03 9月1日
页2的5
5STP 16F2800
热
T
JMAX
T
英镑
R
thJC
马克斯。工作结温
范围
存储温度范围
热阻
结到外壳
125 °C
-40…140 °C
33 K /千瓦
35 K /千瓦
17 K /千瓦
R
thCH
热电阻的情况下，以
散热器
解析函数的瞬态热
阻抗：
阳极侧冷却
阴极侧冷却
双侧冷却
单面冷却
双侧冷却
8 K /千瓦
4 K /千瓦
Z
thJC
[K /千瓦]
20
180 °正弦波：
添加1.5 K /千瓦
180 °矩形：加2 K /千瓦
120 °矩形：加3 K /千瓦
60 °直角：加5 K /千瓦
Z
thJC
(t) =
R
i
(1 - e
i
=
1
i
R
i
（K /千瓦）
τ
i
(s)
1
10.35
0.3723
2
3.76
0.0525
3
2.29
0.0057
n
15
- t/
τ
i
)
4
10
5
F
m
= 14..24千牛
双面冷却
TF1
0.67
0.0023
0
0.001
0.010
0.100
1.000
10.000
T [ S]
图。 1瞬态热阻抗结点到外壳。
图。 2通态特性。
图。 3通态特性。
T
j
= 125°C ， 10ms的半正弦
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文档。第5SYA1022-03 9月1日
第3 5
5STP 16F2800
图。 4通态功耗与平均导通
态电流。打开 - 在排除了损失。
图。 5最大。允许的情况下温度与
平均通态电流。
图。 6浪涌通态电流与脉冲宽度。
半正弦波。
图。 7浪涌通态电流与数
脉冲。半正弦波， 10毫秒， 50赫兹。
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文档。第5SYA1022-03 9月1日
第4 5
5STP 16F2800
图。 8门极触发特性。
图。 9最大。栅极峰值功率损耗。
图。 10恢复电荷与导通的衰减率
态电流。
图。 11峰值反向恢复电流与衰减
率通态电流。
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ABB半导体公司
Fabrikstrasse 3
CH -5600伦茨堡，瑞士
电话
传真
电子邮件
因特网
+41 (0)62 888 6419
+41 (0)62 888 6306
abbsem@ch.abb.com
www.abbsem.com
文档。第5SYA1022-03 9月1日
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