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www.fairchildsemi.com
KA5x03xx-SERIES
KA5H0365R , KA5M0365R , KA5L0365R , KA5M0365RN ,
KA5L0365RN , KA5H0380R , KA5M0380R , KA5L0380R
飞兆功率开关( FPS )
特点
精密固定工作频率(100 /67 / 50kHz的)
低启动电流(典型为100uA )
逐个脉冲电流限制
过电流保护
过电压保护(最小25V )
内部热关断功能
欠压锁定
内部高压感FET
自动重启动模式
描述
飞兆半导体的功率开关(FPS )产品系列是专
专为离线SMPS具有最少的外部
组件。飞兆半导体的功率开关(FPS )由一个
高电压功率值SenseFET和一个电流模式的PWM集成电路。
包括PWM控制器集成了固定频率
振荡器,欠压锁定,前沿
消隐,优化的栅极导通/关断驱动,所述
热关断保护,过电压保护,
和温度补偿精密电流源
为环路补偿和故障保护电路。
相比分立MOSFET和PWM控制器或
一个RCCsolution ,一飞兆功率开关( FPS )可以减少
总元件数量,设计的尺寸和重量,并在
同时提高效率,生产率和系统
可靠性。它有一个基本的平台适合于成本
有效的设计在任何一个回扫转换器,或正向
变流器
TO-220F-4L
8-DIP
应用
SMPS的VCR , SVR , STB , DVD & DVCD
SMPS的打印机,传真机&扫描仪
适配器为摄像机
1
1. GND 2.排水3. V
CC
4. FB
1.6.7.8排水
2. GND
3. V
CC
4. FB 5. NC
内部框图
#3 V
CC
32V
5V
VREF
良好
逻辑
OSC
9V
5A
1mA
2.5R
1R
+
7.5V
+
27V
热S / D
过电压S / D
+
S
R
L.E.B
0.1V
S
R
Q
Q
国内
BIAS
# 2漏极
SFET
(*#3 V
CC
)
( * # 1.6.7.8漏)
# 4 FB
( * # 4 FB )
# 1 GND
上电复位
( * # 2 GND )
*星号 - KA5M0365RN , KA5L0365RN
Rev.1.0.5
2002仙童半导体公司
KA5X03XX-SERIES
绝对最大额定值
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
特征
KA5H0365R , KA5M0365R , KA5L0365R
最大漏极电压
漏,栅极电压(R
GS
=1M)
门源( GND )电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流(T
C
=25°C)
连续漏电流(T
C
=100°C)
单脉冲雪崩能量
最大电源电压
模拟输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
KA5H0380R , KA5M0380R , KA5L0380R
最大漏极电压
漏,栅极电压(R
GS
=1M)
门源( GND )电压
漏电流脉冲
(1)
(2)
符号
V
D, MAX
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
E
AS
V
CC ,最大
V
FB
P
D
降额
T
J
T
A
T
英镑
V
D, MAX
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
E
AS
V
CC ,最大
V
FB
P
D
降额
T
J
T
A
T
英镑
价值
650
650
±30
12.0
3.0
2.4
358
30
-0.3到V
SD
75
0.6
+160
-25至+85
-55到+150
800
800
±30
12.0
3.0
2.1
95
30
-0.3到V
SD
75
0.6
+160
-25至+85
-55到+150
单位
V
V
V
A
DC
A
DC
A
DC
mJ
V
V
W
W / ℃,
°C
°C
°C
V
V
V
A
DC
A
DC
A
DC
mJ
V
V
W
W / ℃,
°C
°C
°C
连续漏电流(T
C
=25°C)
连续漏电流(T
C
=100°C)
单脉冲雪崩能量
(2)
最大电源电压
模拟输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
注意:
1.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温
2, L = 51mH ,开始TJ = 25°C
3, L = 13μH ,开始TJ = 25°C
2
KA5X03XX-SERIES
绝对最大额定值
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
特征
KA5M0365RN , KA5L0365RN
最大漏极电压
漏,栅极电压(R
GS
=1M)
门源( GND )电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流( TA = 25 ° C)
连续漏电流(钽= 100 ° C)
单脉冲雪崩能量
最大电源电压
模拟输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
(2)
符号
V
D, MAX
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
E
AS
V
CC ,最大
V
FB
P
D
降额
T
J
T
A
T
英镑
价值
650
650
±30
12.0
0.42
0.28
127
30
-0.3到V
SD
1.56
0.0125
+160
-25至+85
-55到+150
单位
V
V
V
A
DC
A
DC
A
DC
mJ
V
V
W
W / ℃,
°C
°C
°C
注意:
1.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温
2, L = 51mH ,开始TJ = 25°C
3, L = 13μH ,开始TJ = 25°C
3
KA5X03XX-SERIES
电气特性(值SenseFET部分)
( TA = 25 ° C除非另有说明)
参数
KA5H0365R , KA5M0365R , KA5L0365R
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
(注)
正向跨导
(注)
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
(栅极 - 源+栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极(米勒)电荷
KA5H0380R , KA5M0380R , KA5L0380R
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
(注)
正向跨导
(注)
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
(栅极 - 源+栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极(米勒)电荷
注意:
1.
脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%
2.
1
-
S
= ---
R
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
条件
V
GS
= 0V时,我
D
=50A
V
DS
=最大。评级,V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。评级
V
GS
= 0V ,T
C
=125°C
V
GS
= 10V ,我
D
=0.5A
V
DS
= 50V ,我
D
=0.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=1.0A
( MOSFET开关
时间基本上是
独立
工作温度)
V
GS
= 10V ,我
D
=1.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
( MOSFET
切换时间是基本上
独立
工作温度)
V
GS
= 0V时,我
D
=50A
V
DS
=最大。评级,V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。评级
V
GS
= 0V ,T
C
=125°C
V
GS
= 10V ,我
D
=0.5A
V
DS
= 50V ,我
D
=0.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=1.0A
( MOSFET开关
时间基本上是
独立
工作温度)
V
GS
= 10V ,我
D
=1.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
( MOSFET
切换时间是
基本上是独立的
工作温度)
分钟。
650
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
3.6
-
720
40
40
150
100
150
42
-
7.3
13.3
马克斯。
-
50
200
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
34
-
-
单位
V
A
A
S
pF
nS
nC
BV
DSS
I
DSS
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
800
-
-
-
1.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
2.5
779
75.6
24.9
40
95
150
60
-
7.2
12.1
-
250
1000
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
34
-
-
V
A
A
S
pF
nS
nC
4
KA5X03XX-SERIES
电气特性(值SenseFET部分)
( TA = 25 ° C除非另有说明)
参数
KA5M0365RN , KA5L0365RN
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
(注)
正向跨导
(注)
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
(栅极 - 源+栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极(米勒)电荷
注意:
1.
脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%
2.
1
S
= ---
-
R
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
条件
V
GS
= 0V时,我
D
=50A
V
DS
=最大。评级,V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。评级
V
GS
= 0V ,T
C
=125°C
V
GS
= 10V ,我
D
=0.5A
V
DS
= 50V ,我
D
=0.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=1.0A
( MOSFET开关
时间基本上是
独立
工作温度)
V
GS
= 10V ,我
D
=1.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
( MOSFET
切换时间是
基本上是独立的
工作温度)
分钟。
650
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
3.6
-
314.9
47
9
11.2
34
28.2
32
马克斯。
-
50
200
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
11.93
单位
V
A
A
S
pF
nS
-
1.95
6.85
-
nC
5
www.fairchildsemi.com
KA5x03xx-SERIES
KA5H0365R , KA5M0365R , KA5L0365R , KA5M0365RN ,
KA5L0365RN , KA5H0380R , KA5M0380R , KA5L0380R
飞兆功率开关( FPS )
特点
精密固定工作频率(100 /67 / 50kHz的)
低启动电流(典型为100uA )
逐个脉冲电流限制
过电流保护
过电压保护(最小25V )
内部热关断功能
欠压锁定
内部高压感FET
自动重启动模式
描述
飞兆半导体的功率开关(FPS )产品系列是专
专为离线SMPS具有最少的外部
组件。飞兆半导体的功率开关(FPS )由一个
高电压功率值SenseFET和一个电流模式的PWM集成电路。
包括PWM控制器集成了固定频率
振荡器,欠压锁定,前沿
消隐,优化的栅极导通/关断驱动,所述
热关断保护,过电压保护,
和温度补偿精密电流源
为环路补偿和故障保护电路。
相比分立MOSFET和PWM控制器或
一个RCCsolution ,一飞兆功率开关( FPS )可以减少
总元件数量,设计的尺寸和重量,并在
同时提高效率,生产率和系统
可靠性。它有一个基本的平台适合于成本
有效的设计在任何一个回扫转换器,或正向
变流器
TO-220F-4L
8-DIP
应用
SMPS的VCR , SVR , STB , DVD & DVCD
SMPS的打印机,传真机&扫描仪
适配器为摄像机
1
1. GND 2.排水3. V
CC
4. FB
1.6.7.8排水
2. GND
3. V
CC
4. FB 5. NC
内部框图
#3 V
CC
32V
5V
VREF
良好
逻辑
OSC
9V
5A
1mA
2.5R
1R
+
7.5V
+
27V
热S / D
过电压S / D
+
S
R
L.E.B
0.1V
S
R
Q
Q
国内
BIAS
# 2漏极
SFET
(*#3 V
CC
)
( * # 1.6.7.8漏)
# 4 FB
( * # 4 FB )
# 1 GND
上电复位
( * # 2 GND )
*星号 - KA5M0365RN , KA5L0365RN
Rev.1.0.5
2002仙童半导体公司
KA5X03XX-SERIES
绝对最大额定值
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
特征
KA5H0365R , KA5M0365R , KA5L0365R
最大漏极电压
漏,栅极电压(R
GS
=1M)
门源( GND )电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流(T
C
=25°C)
连续漏电流(T
C
=100°C)
单脉冲雪崩能量
最大电源电压
模拟输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
KA5H0380R , KA5M0380R , KA5L0380R
最大漏极电压
漏,栅极电压(R
GS
=1M)
门源( GND )电压
漏电流脉冲
(1)
(2)
符号
V
D, MAX
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
E
AS
V
CC ,最大
V
FB
P
D
降额
T
J
T
A
T
英镑
V
D, MAX
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
E
AS
V
CC ,最大
V
FB
P
D
降额
T
J
T
A
T
英镑
价值
650
650
±30
12.0
3.0
2.4
358
30
-0.3到V
SD
75
0.6
+160
-25至+85
-55到+150
800
800
±30
12.0
3.0
2.1
95
30
-0.3到V
SD
75
0.6
+160
-25至+85
-55到+150
单位
V
V
V
A
DC
A
DC
A
DC
mJ
V
V
W
W / ℃,
°C
°C
°C
V
V
V
A
DC
A
DC
A
DC
mJ
V
V
W
W / ℃,
°C
°C
°C
连续漏电流(T
C
=25°C)
连续漏电流(T
C
=100°C)
单脉冲雪崩能量
(2)
最大电源电压
模拟输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
注意:
1.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温
2, L = 51mH ,开始TJ = 25°C
3, L = 13μH ,开始TJ = 25°C
2
KA5X03XX-SERIES
绝对最大额定值
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
特征
KA5M0365RN , KA5L0365RN
最大漏极电压
漏,栅极电压(R
GS
=1M)
门源( GND )电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流( TA = 25 ° C)
连续漏电流(钽= 100 ° C)
单脉冲雪崩能量
最大电源电压
模拟输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
(2)
符号
V
D, MAX
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
E
AS
V
CC ,最大
V
FB
P
D
降额
T
J
T
A
T
英镑
价值
650
650
±30
12.0
0.42
0.28
127
30
-0.3到V
SD
1.56
0.0125
+160
-25至+85
-55到+150
单位
V
V
V
A
DC
A
DC
A
DC
mJ
V
V
W
W / ℃,
°C
°C
°C
注意:
1.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温
2, L = 51mH ,开始TJ = 25°C
3, L = 13μH ,开始TJ = 25°C
3
KA5X03XX-SERIES
电气特性(值SenseFET部分)
( TA = 25 ° C除非另有说明)
参数
KA5H0365R , KA5M0365R , KA5L0365R
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
(注)
正向跨导
(注)
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
(栅极 - 源+栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极(米勒)电荷
KA5H0380R , KA5M0380R , KA5L0380R
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
(注)
正向跨导
(注)
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
(栅极 - 源+栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极(米勒)电荷
注意:
1.
脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%
2.
1
-
S
= ---
R
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
条件
V
GS
= 0V时,我
D
=50A
V
DS
=最大。评级,V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。评级
V
GS
= 0V ,T
C
=125°C
V
GS
= 10V ,我
D
=0.5A
V
DS
= 50V ,我
D
=0.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=1.0A
( MOSFET开关
时间基本上是
独立
工作温度)
V
GS
= 10V ,我
D
=1.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
( MOSFET
切换时间是基本上
独立
工作温度)
V
GS
= 0V时,我
D
=50A
V
DS
=最大。评级,V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。评级
V
GS
= 0V ,T
C
=125°C
V
GS
= 10V ,我
D
=0.5A
V
DS
= 50V ,我
D
=0.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=1.0A
( MOSFET开关
时间基本上是
独立
工作温度)
V
GS
= 10V ,我
D
=1.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
( MOSFET
切换时间是
基本上是独立的
工作温度)
分钟。
650
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
3.6
-
720
40
40
150
100
150
42
-
7.3
13.3
马克斯。
-
50
200
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
34
-
-
单位
V
A
A
S
pF
nS
nC
BV
DSS
I
DSS
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
800
-
-
-
1.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
2.5
779
75.6
24.9
40
95
150
60
-
7.2
12.1
-
250
1000
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
34
-
-
V
A
A
S
pF
nS
nC
4
KA5X03XX-SERIES
电气特性(值SenseFET部分)
( TA = 25 ° C除非另有说明)
参数
KA5M0365RN , KA5L0365RN
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
(注)
正向跨导
(注)
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
(栅极 - 源+栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极(米勒)电荷
注意:
1.
脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%
2.
1
S
= ---
-
R
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
条件
V
GS
= 0V时,我
D
=50A
V
DS
=最大。评级,V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。评级
V
GS
= 0V ,T
C
=125°C
V
GS
= 10V ,我
D
=0.5A
V
DS
= 50V ,我
D
=0.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=1.0A
( MOSFET开关
时间基本上是
独立
工作温度)
V
GS
= 10V ,我
D
=1.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
( MOSFET
切换时间是
基本上是独立的
工作温度)
分钟。
650
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
3.6
-
314.9
47
9
11.2
34
28.2
32
马克斯。
-
50
200
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
11.93
单位
V
A
A
S
pF
nS
-
1.95
6.85
-
nC
5
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    -
    -
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