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开槽
光电断路器
描述
在MIT- 5A116由砷化镓的IN-
frared发光二极管和NPN硅phototran-
体管建在一个黑色的塑料外壳。它是透射
超小型光电断路器。
2
14.0 (.551)
0.5 ± 0.10
(.020)
A
5.0 ± 0.2
(.197)
1
MIT-5A116
包装尺寸
单位:mm (英寸)
4
3
0.8 (.031)
l
l
l
l
换直接印刷电路板或
双 - 在 - 线插座安装
开关速度快
选择的安装配置。
A-A部分
2.54喃
(.100)
0.5
(.020)
10.3 ± 0.3
(.406)
2-φ
0.7
± 0.1
(.028)
2.35 ± 0.1
(.093)
6.6 ± 0.1
(.260)
1.0 ( 0.040 ), MIN
5.2 ± 0.1
1.公差为±0.25毫米( 0.006" ),除非另有说明。
绝对最大额定值
@T
A
=25
o
C
参数
连续正向电流
输入
反向电压
功耗
集电极 - 发射极击穿电压
输出发射极 - 集电极击穿电压
集电极耗散功率
总功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
I
F
V
R
P
ad
V
( BR ) CEO
V
( BR ) ECO
P
C
P
合计
T
OPR
T
英镑
最大额定值
50
5
75
30
5
75
100
-25
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+100
o
C
单位
mA
V
mW
V
V
mW
mW
东贝光电科技有限公司
6.0
(.236)
(.205)
(.394)
l
10分钟
非 - 联系切换
0.7 (.028)
特点
A
7.5 ± 0.3 (.295)
3.7 ± 0.2
(.146)
10.0 (.394)
2.5 (.098)
7.0 (.276)
04/01/2002
MIT-5A116
光电特性
参数
输入
正向电压
反向电流
产量
集电极暗电流
集电极发射极
集电极电流
转让CHA-
响应时间(上升)
racteristics响应时间( FALL )
符号
V
F
I
R
ICEO
V
CE ( SAT )
集成电路(上)
t
r
t
f
分钟。
-
-
-
-
0.5
-
-
典型值。
1.2
-
-
-
-
20
20
马克斯。
1.4
10
100
0.4
10
100
100
单元。
V
I
F
=20mA
@T
A
=25
o
C
测试条件
A
V
R
=5V
nA
V
mA
S
S
VCE = 10V
Ic=0.1mA,Ee=0.1mW/cm
2
I
F
= 20mA时,的Vce = 5V
IC = 100μA ,的Vce = 5V
R
L
= 1K , D = 1毫米
典型的光 - 电特性曲线
正向电流I
F
(MA )
50
40
30
20
10
0
-25
0
25
50
75
100
功耗(MW )
60
120
100
80
60
40
20
0
-25
0
25
50
75
100
P
D
, P
C
P
合计
环境温度T
A
图1正向电流
VS
.
环境温度
正向电流I
F
(MA )
集电极电流Ic (
A)
100
80
60
40
20
0
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
700
600
500
400
300
200
100
0
0
环境温度T
A
(
o
C )
图2功耗与
环境温度
Vce=2V
Ta=25℃
5
10
15
20
25
30
集电极电流IC ( μA )
700
600
500
400
300
200
100
0
0
相对集电极电流( % )
正向电压V
F
(V)
图3正向电流
VS
正向电压
Ta=25℃
20mA
I
F
=15mA
10mA
4mA
正向电流I
F
(MA )
图4集电极电流与
正向电压
120
100
80
60
40
20
0
-25
0
25
50
75
o
2
4
6
8
10
12
100
集电极 - 发射极电压Vce ( V)
图5集电极电流主场迎战的Vce
环境温度T
A
( C )
图6相对集电极电流
VS
. T
A
东贝光电科技有限公司
04/01/2002
MIT-5A116
典型的光 - 电特性曲线
集电极暗电流I
首席执行官
10
-6
10
-7
10
-8
10
-9
10
-10
0
25
50
75
o
响应时间(微秒)
V
CE
=20V
1000
100
10
1
V
CE
=2V
I
C
=100mA
Ta=25
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
环境温度T
A
( C )
图7集电极暗电流与
环境温度
负载阻抗R
t
(K)
图8响应时间与
负载电阻
100
相对灵敏度( % )
Ta=25℃
80
60
40
20
0
700
输入0
输出0
响应时间测量电路
t
90 %
10 %
t
tr
tf
IL
VR
产量
V
CC
800
900
1000
1100
1200
输入
波长(nm )
图9光谱灵敏度(检测端)
检测位置特性
(典型值)
X
Y
I
F
=20mA
V
CE
=5V
I
F
=20mA
V
CE
=5V
TA = 25℃
o
相对光电流I
L
(%)
100
TA = 25℃
o
(光轴中心)
50
X
Y
0
0
-3 -2 -1 0 1 2 3 -3 -2 -1 0 1 2 3
0
+
+
间距d(毫米)
东贝光电科技有限公司
04/01/2002
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    5A116
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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