ACTS245T
数据表
1999年7月
网络文件编号
4611.1
抗辐射八路非反相
双向总线收发器
Intersil的卫星应用
（ SAF ）设备完全
经过测试，保证100kRAD总剂量。这些QML
T级的设备进行处理，以一个标准的溢流意
以满足大的成本和更短的交货时间要求
体积卫星制造商，同时保持高
的可靠性水平。
Intersil的ACTS245T是一种抗辐射八路非
反相双向总线收发器用于双向
数据总线之间的异步通信。
溢流
TM
特点
QML T级，每MIL -PRF- 38535
辐射性能
- 剂量伽玛（γ） 1 ×10
5
Rad公司（SI ）
- 闭锁免费在任何条件
- 单事件翻转（ SEU ）免疫： <1 ×10
-10
错误/位/天（典型值）
- SEU LET阈值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.>100 MEV -厘米
2
/毫克
1.25微米抗辐射CMOS SOS
显着的功耗相比减少ALSTTL逻辑
直流工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- V
IL
= 0.8V最大
- V
IH
= V
CC/2
民
快速传播延迟。 。 。 。 。 。 。 。 18ns （最大值）为12ns （典型值）
特定网络阳离子
特定网络阳离子抗辐射QML设备被控制
国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。在SMD
订货时下面列出的数字必须使用。
详细的电气连接特定阳离子的ACTS245T是
载于SMD 5962-96719 。
“热链接”是由提供
我们的网站下载。
www.intersil.com/spacedefense/newsafclasst.asp
Intersil公司的质量管理计划（ QM计划） ，其中列出了所有
T级筛选作业，也可在我们的
网站。
www.intersil.com/quality/manuals.asp
引脚配置
ACTS245T （ SBDIP ） ， CDIP2 -T20
顶视图
DIR
A0
A1
A2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 OE
18 B0
17 B1
16 B2
15 B3
14 B4
13 B5
12 B6
11 B7
订购信息
订购
数
5962R9671901TRC
5962R9671901TXC
部分
数
ACTS245DTR
ACTS245KTR
温度。
范围
(
o
C)
-55至125
-55至125
A3
A4
A5
A6
A7
GND 10
注意：
对于-T最小订货量是150个单位通过
分发或450单位直接。
ACTS245T （ FLATPACK ） ， CDFP4 -F20
顶视图
DIR
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE
B0
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
ACTS245T
工作原理图
注： （ 1 8 ）
P
A
N
B
P
N
OE
DIR
真值表
输入
OE
L
L
H
注意：
H =高电平， L =低电压等级， X =非物质。
DIR
L
H
X
手术
B数据到总线
数据到B总线
隔离
2
ACTS245T
模具特点
DIE尺寸：
（ 2440μm X 2970μm X 533μm
±51m)
96 X 117 X 21mils
±2mil
金属化：
类型：铝姒促
厚度： 10.0K
±2k
衬底电位：
无偏（蓝宝石上硅）
焊盘＃ 20 （V
CC
）第一
焊盘＃ 20 （V
CC
）使用两个键合线
焊盘＃ 10 （ GND）使用两个键合线
背面表面处理：
蓝宝石
钝化：
类型： SILOX （S
i
O
2
)
厚度： 8.0k
±1.0k
最坏情况下的电流密度：
< 2.0e5 /平方厘米
2
晶体管数量：
420
过程：
CMOS SOS
金属掩模布局
ACTS245T
A0
(2)
DIR
(1)
VCC
(20)
VCC
(20)
OE
(19)
A1 (3)
(18) B0
A2 (4)
(17) B1
A3 (5)
(16) B2
A4 (6)
(15) B3
A5 (7)
(14) B4
A6 (8)
(13) B5
(9)
A7
(10)
GND
(10)
GND
(11)
B7
(12)
B6
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
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3
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