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HS-82C55ARH
TM
数据表
2000年8月
网络文件编号
3191.2
抗辐射CMOS可编程
外设接口
Intersil的HS- 82C55ARH是一个高性能,辐射
加固的CMOS版本的行业标准8255A的和
使用的硬化音响场,自对准硅制造
栅CMOS工艺。它是一个通用可编程
可与许多不同的用于I / O设备
微处理器。有哪些组织24个I / O引脚
成2个8位和2个4位的端口。每个端口可以是
编程为输入或输出。
另外,对8位端口之一可以被编程为
双向操作,并在两个4位的端口可以是
编程以提供信号交换的功能。高
性能,耐辐射性,以及行业标准
在HS- 82C55ARH的CON组fi guration使其与兼容
在HS- 80C86RH抗辐射的微处理器。
静态CMOS电路设计,保证了较低的工作功耗。公共汽车
保持电路省去了上拉电阻。该
Intersil的硬科幻场CMOS工艺使得性能
等于或大于现有的抗辐射产品
在功率的一小部分。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布( DSCC ) 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-95819 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
www.intersil.com/spacedefense/space.asp
特点
电筛选,以SMD # 5962-95819
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
抗辐射
- 总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100拉德(SI )(最大)
- 瞬态心烦意乱。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <10
8
RAD (SI ) / S
- 闭锁免费EPI -CMOS
低功耗
- IDDSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20μA
引脚兼容NMOS 8255A和Intersil的82C55A
高速,无“等待状态”操作使用5MHz的
HS-80C86RH
24个可编程I / O引脚
所有I / O端口总线保持电路,可以消除上拉
电阻器
直接位设置/复位功能
增强的控制字阅读能力
硬化现场,自对准,结隔离CMOS
过程
单5V电源
所有I / O端口输出2.0毫安驱动能力
军用温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
引脚
陶瓷双列直插式金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 - T40
顶视图
PA3
PA2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40 PA4
39 PA5
38 PA6
37 PA7
36 WR
35 RESET
34 D0
33 D1
32 D2
31 D3
30 D4
29 D5
28 D6
27 D7
26 VDD
25 PB7
24 PB6
23 PB5
22 PB4
21 PB3
订购信息
订购数量
5962R9581901QQC
5962R9581901VQC
国内
MKT 。 NUMBER
HS1-82C55ARH-8
HS1-82C55ARH-Q
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
PA1
PA0
RD
CS
GND
A1
A0
PC7
PC6
PC5
PC4
PC0
PC1
PC2
PC3
PB0
PB1
PB2
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。
|
版权所有 Intersil公司2000
HS-82C55ARH
引脚说明
符号
PA0-7
号码
1-4, 37-40
TYPE
I / O
描述
端口A :
通用I / O端口。数据方向和模式是通过的内容确定
控制字。
端口B :
通用I / O口。看到港口A.
端口C (下) :
与端口B.详见端口A相关组合I / O端口和控制端口
C口(上) :
与端口A详见端口A相关组合I / O端口和控制端口
双向数据总线:
三态数据总线使能为输入时, CS和WR低,
作为输出时, CS和RD为低。
VDD :
在+ 5V电源引脚。推荐引脚26和7之间的0.1μF电容
脱钩。
地面上。
片选:
该输入引脚上的“低”使HS- 82C55ARH之间的通信
和CPU 。
阅读:
该输入引脚上的“低”使HS- 82C55ARH发送数据或状态信息
到数据总线上的CPU 。从本质上讲,它可以让CPU到HS- 82C55ARH “读取” 。
写:
该输入引脚上的“低”可以写入数据或控制字到了CPU
HS-82C55ARH.
端口选择0和端口选择1 :
这些输入信号,在与RD和WR输入端的同时,
控制的三个端口或控制字寄存器中的一个的选择。它们通常
连接到地址总线的最低有效位( A0和A1 ) 。
RESET :
在此输入的“高”清除控制寄存器和所有端口(A, B,C)被设定为输入
模式。 “总线保持”装置内部的HS- 82C55ARH将举行的I / O端口输入为逻辑“ 1 ”
状态400μA最大保持电流。
PB0-7
PC0-3
PC4-7
D0-7
18-25
14-17
10-13
27-34
I / O
I / O
I / O
I / O
VDD
26
I
GND
CS
7
6
I
I
RD
5
I
WR
36
I
A0和A1
8, 9
I
RESET
35
I
2
HS-82C55ARH
工作原理图
动力
耗材
+5V
GND
A组
控制
A组
端口A
(8)
I / O
PA7 - PA0
双向
数据总线
D7 - D0
数据
公共汽车
卜FF器
8位内部
数据总线
A组
端口C
UPPER( 4)
I / O
PC7 - PC4
B组
端口C
LOWER ( 4 )
I / O
PC3 - PC0
RD
WR
A1
A0
RESET
读/写
控制
逻辑
B组
控制
B组
端口B
(8)
I / O
PB7 - PB0
CS
AC测试电路
V1
交流测试输入,输出波形
输入
R1
2.8V
TEST
R2
C1 (注)
1.5V
0.4V
1.5V
从输出
被测
注: AC测试:测试按照测试电路的所有参数。输入
上升和下降时间驱动1V / ns的。
注:包括杂散和夹具电容。
测试条件定义表
V1
1.7V
R1
523
R2
开放
C1
150pF
3
HS-82C55ARH
波形
tRLRH
RD
TPVRL
输入
tAVRL
CS, A1,A0
TRHAX
CS, A1,A0
TRHPX
D7 - D0
tAVWL
tWHAX ALE低
WR
tDVWH
tWHDX
tWLWH
D7 - D0
TRLDV
TRHDZ
产量
tWHPV
图1模式0(基本输入)
图2:模式0(基本输出)
TWHOL
tSLSH
机顶盒
WR
TKLOH
国际羽联
TSLIH
TRHIL
INTR
TSHNH
RD
TSHPX
投入
外设
TPVSH
产量
tWHPV
确认
TKLKH
TKHNH
INTR
twlnl
OBF
TRLNL
图3:模式1(选通输入)
图4.模式1 (选通输出)
从CPU的数据
与HS - 82C55ARH
WR
TKLOH
OBF
TWHOL
INTR
确认
tSLSH
机顶盒
TKLKH
A0 - A1 , CS
tAVWL
数据总线
tDVWH
tWHDX
WR
tWLWH
tWHAX ALE低
图6.写时序
国际羽联
TSLIH
TKLPV
TPVSH
外设
公共汽车
RD
DATA FROM围
PHERAL TO
HS-82C55ARH
TKHPX
A0 - A1 , CS
tAVRL
TSHPX
DATA FROM
HS-82C55ARH
外围
TRHIL
RD
TRHDX
DATA FROM
HS-82C55ARH
给CPU
tAVRL
数据总线
高阻抗
有效
高阻抗
tRLRH
TRHAX
图5模式2 (双向)
注:其中WR ACK和STB之前发生的任何序列
发生之前RD是允许的。
图7.读时序
4
HS-82C55ARH
老化的电路
可编程的外围接口
VDD
可编程的外围接口
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
F4
F0
F5
F0
F2
F1
F0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
VDD
F7
F3
F4
F6
F5
F0
静态配置
注意事项:
1. VDD = 6.0V
±0.5%
2. IDD <500μA
3. T
A
敏= 125
o
C
注意事项:
动态配置
4. VDD = 6.0V
±5%
对于烧伤,在
5. VDD = 5.0V
±5%
对于寿命试验
6.所有的电阻为10kΩ
±5%
7. -0.3V
VIL
0.8V
8. VDD - 1.0V
VIH
VDD
9.国际直拨< 5毫安
10. F0 = 10kHz时,占空比为50%
11. F1 = F0/2; F2 = F1/2; F3 = F2/2; F4 = F3/2 . . . F7 = F6/2
12. T
A
敏= 125
o
C
5
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