特定网络阳离子HS- 3374RH
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 11.0V
I / O电压的应用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至VDD + 0.3V
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
引线温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
74.8
12.3
o
C
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0.67W
如果设备功率超过封装散热能力，提供
散热或者降额直线从以下速率：
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.4mW /
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
VDD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 9.5V至+ 10.5V
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.75V至+ 5.25V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
输入电压范围
数据输入（ CMOS ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 0.3 VDD + 0.3
数据输入（ TTL ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 0.3 VCC + 0.3
启用，禁用输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 0.3 VDD + 0.3
工作电压范围
输入低电压（ CMOS ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND为1V
输入高电压（ CMOS ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VDD - 1.0V至VDD
输入低电压（ TTL ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8V
输入高电压（ TTL ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.8V
表1. DC电性能等特点
范围
参数
符号
条件
A组
亚
温度
民
最大
单位
启用和禁用IINPUTS
输入漏电流
IIH CMOS
VDD = 10.5V ， VCC = 5.25V ，
VIN = 10.5V ，输出浮动
1, 2, 3
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-
1
A
TTL输入至CMOS输出
输入漏电流
IIL IIH
VDD = 10.5V ， VCC = 5.25V ，
VIN = 0.8V ，其他输入在2.8V
VDD = 10.5V ， VCC = 5.25V ，
VIN = 2.8V ，其他输入= 0.8V
高电平输出
电压
VOH
VDD = 9.5V ， VCC = 4.75V ，
VIH = 2.8V ， VIL = 0.8V ，
IOH = -2.0mA
VDD = 10.5V ， VCC = 5.25V ，
VIH = 2.8V ， VIL 0.8V ，
IOL = 2.0毫安
1, 2, 3
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-1
-
A
A
1, 2, 3
-
1
1, 2, 3
9
-
V
低电平输出
电压
VOL
1, 2, 3
-
0.5
V
CMOS到TTL输出
高电平输出
电压
VOH
VDD = 9.5 ， VCC = 4.75V ，
VIH = 8.5V ， VIL = 1.0V ，
IOH = -2.0mA
VDD = 10.5V ， VCC = 5.25V ，
VIH = 9.5V ， VIL = 1.0V ，
IOL = 11毫安
VDD = 10.5V ， VCC = 5.25V ，
VIN = 0V ，所有其他引脚高
VDD = 10.5V ， VCC = 5.25V ，
VIN = 2.8V ，所有其他引脚上
GND
1, 2, 3
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
3
-
V
低电平输出
电压
VOL
1, 2, 3
-
0.4
V
输出漏
当前
IOZL
1, 2, 3
-10
-
A
A
IOZH
1, 2, 3
-
10
规格编号
2
518052
QQ：2880707522 复制
