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修订
LTR
A
B
C
描述
添加设备类型02.加我
OH
OL
测试。添加施密特触发阈值测试
设备类型02.更改表IB 。编辑改动贯穿始终。
改变按照NOR 5962 - R259-97 。 - CFS
添加模具附件。更新的样板。 - CFS
日期(YR -MO- DA)的
96-11-19
批准
莫妮卡L. Poelking
97-04-22
00-07-12
莫妮卡L. Poelking
莫妮卡L. Poelking
REV状态
SHEETS作者
PMIC N / A
C
15
C
16
C
17
C
18
编制
拉里的Gauder T.
C
19
C
20
C
21
C
1
C
22
C
2
C
23
C
3
C
24
C
4
C
5
C
6
C
7
C
8
C
9
C
10
C
11
C
12
C
13
C
14
标准
微型电路
制图
这个图是可用
供所有
DEPARTMENTS
与机构
国防部
检查
青五阮
经批准
莫妮卡L. Poelking
图纸批准日期
96-05-30
哥伦布国防供应中心
美国俄亥俄州哥伦布市43216
微型电路,数字,抗辐射
先进的CMOS ,八路总线收发器
具有三态输出的单片
SIZE
A
CAGE CODE
美国超导公司N / A
修订级别
C
67268
1作者:
24
5962-96572
DSCC FORM 2233
APR 97
分配表A.获准公开发行;分布是无限的。
5962-E354-00
1.范围
1.1适用范围。此图形文件两款产品保证一流的水平,包括高可靠性(设备类Q和M)
和空间应用程序(设备类V) 。案例的选择,外形和引线均可加工,并反映在部分或
识别号码( PIN) 。当可用,辐射硬度保证( RHA )水平的选择会反映在PIN。
1.2 PIN。 PIN码是作为显示在下面的例子:
5962
*
*
*
联邦
股票类
代号
\
H
*
*
*
RHA
代号
(参见1.2.1 )
\/
图号
1.2.1 RHA标志。设备类Q和V RHA标设备符合MIL -PRF- 38535规定的RHA水平,并
标有相应的RHA标志。装置M级RHA标设备符合MIL -PRF- 38535 ,附录A中
指定RHA水平和标有相应的RHA指示符。破折号( - )表示非RHA设备。
1.2.2设备类型( S) 。设备类型(多个)识别电路的功能如下:
设备类型
01
通用号码
54ACS245
电路功能
抗辐射,八路总线收发器
三态输出
抗辐射,施密特八路总线
收发器与三态输出
96572
01
*
*
*
设备
TYPE
(参见1.2.2 )
V
*
*
*
设备
代号
(参见1.2.3 )
X
*
*
*
概要
(参见1.2.4 )
C
*
*
*
领导
(参见1.2.5 )
/
02
54ACS245S
1.2.3设备类标志。设备类指示符是一个单字母标识产品保证等级如下:
设备类
M
设备需求文档
供应商自我认证,为MIL -STD- 883标准的要求,
非JAN级B级微型电路符合MIL -PRF- 38535 ,
附录A
认证和资格MIL -PRF- 38535
Q或V
1.2.4案例纲要( S) 。外壳轮廓( S)作为被指定的MIL -STD- 1835 ,如下所示:
概要信
R
X
描述性标志
GDIP1 - T20或CDIP2 -T20
CDFP4-F20
码头
20
20
包装样式
双列直插式
扁平封装
1.2.5铅完成。在引线末端在MIL -PRF- 38535的设备类Q和V或MIL- PRF- 38535规定的,
附录A设备类M.
标准
微电路图纸
哥伦布国防供应中心
美国俄亥俄州哥伦布市43216-5000
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APR 97
SIZE
A
修订级别
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C
2
1.3绝对最大额定值。 1/2/ 3 /
电源电压范围(V
DD
).......................................................................................
直流输入电压范围(Ⅴ
IN
).....................................................................................
DC输出电压范围(Ⅴ
OUT
)................................................................................
DC输入电流,任一输入端(我
IN
).........................................................................
闭锁抗扰度电流(I
LU
).................................................................................
存储温度范围(T
英镑
)............................................................................
引线温度(焊接, 5秒) .......................................... .......................
热阻,结到外壳( θ
JC
) ...............................................................
结温(T
J
).........................................................................................
最大封装功耗(P
D
)...............................................................
1.4推荐工作条件。 2/3 /
电源电压范围(V
DD
).......................................................................................
输入电压范围(V
IN
) ...........................................................................................
输出电压范围(V
OUT
) .....................................................................................
情况下的工作温度范围(T
C
) ...................................................................
最大输入上升和下降时间在V
DD
= 4.5 V (T
r
, t
f
)..............................................
1.5辐射功能。 5 /
总剂量.................................................................................................................
单事件现象( SEP)有效
线性能量阈值( LET)没有冷门(见4.4.4.4 ) .................................... .....
心烦剂量率( 20纳秒脉冲) .......................................... ........................................
Latch-up....................................................................................................................
剂量率生存能力............................................... ................................................
> 1 ×10拉德(SI )
> 80兆电子伏/ (毫克/平方厘米)
9
> 1 ×10拉德(矽) /秒
12
> 1 ×10拉德(矽) /秒
2
6
-0.3 V直流至7.0 V直流
-0.3 V直流到V
DD
+ 0.3 V直流
-0.3 V直流到V
DD
+ 0.3 V直流
= 10毫安
-150毫安
-65 ° C至+ 150°C
+300°C
见MIL -STD- 1835
+175°C
1.0 W
+4.5 V直流至+5.5 V直流
+0.0 V直流到V
DD
+0.0 V直流到V
DD
-55 ° C至+ 125°C
1纳秒/ V 4 /
________
强调以上的绝对最大额定值可能会导致器件的永久性损坏。在扩展操作
最高级别可能会降低性能并影响可靠性。
2 /除非另有说明,所有电压都是参考V
SS
.
3 /限制此规定的参数,适用于在整个指定的V
CC
范围和外壳温度范围
-55 ° C至+ 125°C ,除非另有说明。
4 /除鼠由不同的系统传输延迟的上升时间切换点在t
r
或T
f
> 1纳秒/ V 。
5 /辐射测试标准评估电路上进行。
1/
标准
微电路图纸
哥伦布国防供应中心
美国俄亥俄州哥伦布市43216-5000
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3
2.适用文件
2.1政府规范,标准和手册。下面的说明书,标准,和手册构成的一部分
此图以本文规定的范围内。除非另有说明,这些文件的问题都没有在这个问题中列出
规格和标准防御指数部( DoDISS )和补充于此,引用的邀请。
规范
国防部
MIL -PRF- 38535 - 集成电路,制造,一般规格。
标准
国防部
MIL -STD- 883 -
MIL -STD- 973 -
MIL -STD- 1835 -
环境管理体
国防部
MIL -HDBK- 103 -
MIL -HDBK -780 -
标准微电路图纸清单( SMD的) 。
标准微电路图纸。
测试方法标准为电路。
配置管理。
接口标准微电路案纲要。
(除非另有说明,可从标准化的规范,标准,和手册的副本
文档订购中心, 700罗宾斯大道,大厦4D ,费城,宾夕法尼亚州19111-5094 。 )
2.2优先顺序。在该图的文本和本文引用的参考文献,文本之间的冲突的情况下
这张图纸为准。本文件的内容,但是,取代除非特定的适用法律和法规
豁免已获得。
3.要求
3.1项目的要求。个别项目要求设备类Q和V应按照
MIL -PRF- 38535和本文或修改设备制造商的质量管理( QM)计划中指定。该
本文所述的修改,在质量管理计划不得影响外形,装配或功能。个别项目要求设备
M级应符合MIL -PRF- 38535 ,附录A非JAN级B级设备和本文规定。
3.1.1微电路芯片。针对微电路芯片的要求,请参阅附录A本文件。
3.2设计,建设和物理尺寸。设计,施工,物理尺寸应被指定为
MIL -PRF- 38535 ,并在此设备类Q和V或MIL- PRF- 38535 ,附录A和这里的设备类M.
3.2.1案例概述。案件轮廓应符合1.2.4于此。
3.2.2终端连接。该终端的连接应符合图1上指定的。
3.2.3真值表。真值表应为图2中指定。
3.2.4逻辑图。逻辑图应符合图3上指定的。
3.2.5开关波形和测试电路。开关波形和测试电路应尽可能在图4中指定。
3.2.6辐射暴露的电路。辐射测试连接应符合表三,本文规定。
3.3电气性能和照射后的参数限制。除非另有规定,该电
性能特点及照射后的参数限制为指定表IA ,并应适用于整个案例
工作温度范围。
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4
3.4电气试验的要求。电气试验要求应在表IIA指定的子组。电气测试
对于每个子组中的表IA所定义。
3.5标记。该部分应标有1.2本文列出的PIN 。此外,制造商的PIN码也可以被标记为
如MIL -HDBK- 103上市。对于包时标记的整个SMD PIN码是不可行的,由于空间的限制,
制造商有未标记设备上的"5962-"的选项。对于RHA产品使用该选项时, RHA标志
应仍然标记。对于设备类Q和V标志应符合MIL -PRF- 38535 。对于设备M级标记
应符合MIL -PRF- 38535 ,附录A.
3.5.1认证/符合性标志。根据需要在认证标志的设备类Q和V应为"QML"或"Q"
MIL -PRF- 38535 。按要求MIL -PRF- 38535 ,附录A中的合规性标志的设备M级应为"C"
3.6合格证书。对于设备类Q和V,均须由QML -38535上市合格证明书
为了提供对本图的要求制造商(见6.6.1本文) 。对于设备类男,证书
合规应要求从制造商才能被列为供应MIL -HDBK- 103的合法来源(见
6.6.2在此) 。遵守上市前的这张图纸提交给DSCC -VA的供给合法来源的证明
应当肯定,制造商的产品符合,对于设备类Q和V, MIL -PRF- 38535 ,并在此或要求
对于设备类男, MIL-PRF- 38535 ,附录A和这里的要求。
3.7证书的一致性。按要求设备类的Q和V一致性证书
MIL-PRF- 38535或在MIL-PRF- 38535设备类男,附录A中应当相互大量微电路的传递到设置
此图。
3.8变更通知为设备类M.对于设备类男,通报产品的变化DSCC -VA (见本文6.2 )
涉及获取到该图的设备中的MIL-STD - 973定义的所需的任何变化。
3.9检验和审查设备类M.对于设备类男, DSCC , DSCC的经纪人和收购活动保留
选择查看制造商的设备和应用要求的文件。离岸文件应提供
陆上的审阅者的选择。
对于设备类M.设备类M器件包括在本图中3.10微电路组分配应以微电路
组号37 (见MIL -PRF- 38535 ,附录A) 。
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