1.3绝对最大额定值。 1/2/ 3 /
电源电压范围(V
DD
).......................................................................................
直流输入电压范围(Ⅴ
IN
).....................................................................................
DC输出电压范围(Ⅴ
OUT
)................................................................................
DC输入电流,任一输入端(我
IN
).........................................................................
闭锁抗扰度电流(I
LU
).................................................................................
存储温度范围(T
英镑
)............................................................................
引线温度(焊接, 5秒) .......................................... .......................
热阻,结到外壳( θ
JC
) ...............................................................
结温(T
J
).........................................................................................
最大封装功耗(P
D
)...............................................................
1.4推荐工作条件。 2/3 /
电源电压范围(V
DD
).......................................................................................
输入电压范围(V
IN
) ...........................................................................................
输出电压范围(V
OUT
) .....................................................................................
情况下的工作温度范围(T
C
) ...................................................................
最大输入上升和下降时间在V
DD
= 4.5 V (T
r
, t
f
)..............................................
1.5辐射功能。 5 /
总剂量.................................................................................................................
单事件现象( SEP)有效
线性能量阈值( LET)没有冷门(见4.4.4.4 ) .................................... .....
心烦剂量率( 20纳秒脉冲) .......................................... ........................................
Latch-up....................................................................................................................
剂量率生存能力............................................... ................................................
> 1 ×10拉德(SI )
> 80兆电子伏/ (毫克/平方厘米)
9
> 1 ×10拉德(矽) /秒
无
12
> 1 ×10拉德(矽) /秒
2
6
-0.3 V直流至7.0 V直流
-0.3 V直流到V
DD
+ 0.3 V直流
-0.3 V直流到V
DD
+ 0.3 V直流
= 10毫安
-150毫安
-65 ° C至+ 150°C
+300°C
见MIL -STD- 1835
+175°C
1.0 W
+4.5 V直流至+5.5 V直流
+0.0 V直流到V
DD
+0.0 V直流到V
DD
-55 ° C至+ 125°C
1纳秒/ V 4 /
________
强调以上的绝对最大额定值可能会导致器件的永久性损坏。在扩展操作
最高级别可能会降低性能并影响可靠性。
2 /除非另有说明,所有电压都是参考V
SS
.
3 /限制此规定的参数,适用于在整个指定的V
CC
范围和外壳温度范围
-55 ° C至+ 125°C ,除非另有说明。
4 /除鼠由不同的系统传输延迟的上升时间切换点在t
r
或T
f
> 1纳秒/ V 。
5 /辐射测试标准评估电路上进行。
1/
标准
微电路图纸
哥伦布国防供应中心
美国俄亥俄州哥伦布市43216-5000
DSCC FORM 2234
APR 97
SIZE
A
修订级别
5962-96572
片
C
3