1.3绝对最大额定值。 1 /
直流电源电压（V
DD
) ...................................................................................
任一引脚电压（V
I / O
) ..................................................................................
DC输入电流（I
I
) ..........................................................................................
存储温度（T
英镑
) ..............................................................................
闭锁抗扰度（我
LU
) .....................................................................................
最大耗散功率（P
D
) ......................................................................
最高结温（T
J
) .................................................................
热阻，结到外壳（ θ
JC
) ........................................................
1.4推荐工作条件。
直流电源电压（V
DD
)....................................................................................
温度范围（T
C
) ....................................................................................
直流输入电压（V
IN
) .......................................................................................
辐射的特点：
总剂量（剂量率= 50 - 300弧度/秒） ..................................... ...................
单事件现象（ SEP）有效
线性能量阈值，没有冷门或闭锁（见4.4.4.4 ） .......................
心烦剂量率（ 20纳秒脉冲） .......................................... ..............................
剂量率闭锁............................................... ...........................................
剂量率生存能力............................................... ....................................
中子辐照................................................ ........................................
1.5数字逻辑测试设备类Q和V.
故障制造的覆盖测量
逻辑测试（ MIL - STD-883标准，测试方法5012 ） ..................................... ........... 83.7 ％的
2.适用文件
2.1政府规范，标准和手册。下面的说明书，标准，和手册形成
此图以本文规定的范围内的一部分。除非另有说明，这些文件的问题列出的那些
在规格和（ DoDISS ）补充防御指数标准和系的问题于此，引
征集。
规范
国防部
MIL -PRF- 38535 - 集成电路，制造，一般规格。
标准
国防部
MIL -STD- 883 -
MIL -STD- 1835 -
试验方法与微电子程序。
接口标准电子元器件案纲要。
4.5 V至5.5 V
-55 ° C至+ 125°C
0 V至V
DD
≥
1 x 10
6
拉德（SI ）
55兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
)
3/
3/
3/
14
2
> 1×10中子/平方厘米
0.3 V至7.0 V
0.3 V到V
DD
+0.3 V
±10
mA
-65 ° C至+ 150°C
±150
2毫安/
600毫瓦
+175°C
为10℃/ W 2 /
2/
_________
1/
强调以上的绝对最大额定值可能会导致器件的永久性损坏。在扩展操作
最高级别可能会降低性能并影响可靠性。
每MIL -STD - 883 2 /测试，方法1012 。
3 /时，其特征为所述促活动请求的结果，该条件将被指定。
标准
微电路图纸
哥伦布国防供应中心
美国俄亥俄州哥伦布市43216-5000
DSCC FORM 2234
APR 97
SIZE
A
修订级别
5962-01502
片
A
3
QQ：2880707522 复制
