HS-22620RH
数据表
1999年8月
网络文件编号
4349.1
抗辐射双路，宽带，高投入
阻抗无偿工作
扩增fi er
该HS- 22620RH是抗辐射的，双极双
运算放大器连接器，具有非常高的输入阻抗
再加上宽带的AC性能。高
输入级的电阻的补充低失调
电压（为6mV
最大
在25
o
C） ，低偏置电流（ 50nA最大
在25
o
C） ，以方便精确的信号处理。抵消
电压还可以通过一个外部的装置，可以减少
调零电位器。稳定的闭环增益更大
比10， 20V /μs的最小转换速率为25
o
C与
80KV / V最小开环增益为25
o
C，使
HS- 22620RH执行的速度非常快高增益放大器阳离子，
宽带信号。这些动态特性，耦合
与快速建立时间，使这些放大器器非常适合
脉冲放大器阳离子设计，以及高频或
视频应用。该放大器ER的频率响应
可以根据通过的一个手段，以精确的设计要求
外部带宽控制电容。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-97512 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
www.intersil.com/spacedefense/space.asp
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-97512
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
高输入阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 65MΩ （最小值）
高增益。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80KV / V（最小值）
高转换率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V / μs的（最小）
低输入偏置电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50nA （最大）
低输入失调电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为6mV （最大值）
宽增益带宽积（A
V
≥
10）。 。 。 。 .100MHz （典型值）
输出短路保护
总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3×10
5
Rad公司（SI ）
应用
视频和RF放大器器
脉冲放大器器
高Q值有源滤波器
高速比较器
订购信息
订购数量
5962F9751201V9A
5962F9751201VXC
HS9-22620RH/PROTO
国内
MKT 。 NUMBER
HS0-22620RH-Q
HS9-22620RH-Q
HS9-22620RH/PROTO
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
25
-55至125
-55至125
引脚
HS-22620RH
（ FLATPACK ）
顶视图
（ 1 ） BAL 2A
（ 2 ） BAL 1A
（ 3 ） + IN A
（ 4 ） -IN一
（ 5）打开
（ 6 ） -IN B
（ 7 ） + IN B
（ 8 ） BAL 1B
（ 9 ） BAL 2B
-
+
+
-
V
CC
A (18)
V
EE
A (17)
OUT A（ 16 ）
COMP A（ 15 ）
WEB （ 14 ）
B组份（ 13 ）
OUT B （ 12 ）
VEE B（ 11 ）
V
CC
B (10)
注：请参阅SMD ，图1
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
HS-22620RH
动态老化测试电路
HS9-22620RH -Q FLATPACK
V
1
1
R
1
2
3
4
F
O
R
1
5
6
7
8
9
-
+
+
-
18
17
16
15
14
13
12
11
10
V
2
R
1
R
2
C
1
R
1
R
2
C
1
注意事项：
1. V
1
= +15V
±0.5V.
2. V
2
= -15V
±0.5V.
3. R
1
=采用2.2kΩ ， 1 / 8W分钟（5 ％）。
4. R
2
= 50Ω ， 1 / 8W分钟（ 2 ％）。
5. C
1
= 0.1μF ， 10 ％ ，每插槽v一个上限。
6. F
0
= 10kHz时，
±10%,
占空比为50％ 。
7. V
IH
= + 100mV的
±10mV.
8. V
IL
= -100mV
±10mV.
辐射暴露电路
V
1
1
R
2
2
3
4
5
R
2
6
7
8
9
-
+
+
-
18
17
16
15
14
13
12
11
10
V
2
R
1
R
2
C
1
R
1
R
2
C
1
注意事项：
9. V
1
= +15V
±0.5V.
10. V
2
= -15V
±0.5V.
11. R
1
=采用2.2kΩ ， 1 / 8W分钟（5 ％）。
12. R
2
= 50Ω ， 1 / 8W分钟（ 2 ％）。
13. C
1
= 0.1F,
±10%,
每插槽v一个上限。
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
http://www.intersil.com
3
HS-22620RH
模具特点
DIE尺寸：
145密耳X 116密耳×19密耳
±1
米尔
3670μm X 2950μm X 483μm
±25.4m
界面材料：
玻璃钝化：
类型：氮化硅（ Si 3 N 4 ）在二氧化硅层（ SIO2 ， 5 ％磷酸）。
二氧化硅层厚度： 12K
±2k
氮化物厚度： 3.5K
±1.5k
顶级金属化：
牌号的Al ， 1 ％的Cu
厚度： 14K
±2k
基材：
双极键合晶片（ EBHF ）
背面表面处理：
硅
大会相关信息：
衬底电位（电） ：
无偏硅
（ WEB垫为衬底搭配了。 ）
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
<2 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
184
金属掩模布局
HS-22620RH
BAL1A
(2)
BAL2A
(1)
VCCA
(18)
VEEA
(17)
+ INA （3）
（ 16 ） OUTA
-INA （4）
（ 15 ） COMPA
（ 14 ） WEB
（ 13 ） COMPB
-INB （ 6 ）
（ 12 ） OUTB
+ INB （ 7 ）
(8)
BAL1B
(9)
BAL2B
(10)
VCCB
(11)
VEEB
4
QQ：2881677436 复制
