HS-1245RH
数据表
1999年8月
网络文件编号
4229.1
抗辐射，双通道，高速，
低功耗视频运算放大器器
与输出禁用
该HS- 1245RH是抗辐射的双高速，
低功耗电流反馈放大器呃建成Intersil的
专有的互补双极UHF -1（去离子键合晶片）
流程。这些器件QML批准并
处理和筛选，完全符合
MIL-PRF-38535.
该放大器呃设有独立的TTL / CMOS兼容
禁用控制，这时候拉低，降低供电
电流和输出强制进入高阻抗状态。
这就可以很容易实现的简单，低功耗视频
交换和路由的系统。分量和复合
视频系统也获益科幻吨，从这个运算放大器的出色的增益
平坦度，以及良好的差分增益和相位特定网络连接的阳离子。
多路A / D的应用也将科幻ND的HS- 1245RH
有用的A / D驱动器/多路转换器。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-96832 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
www.intersil.com/spacedefense/space.asp
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-96832
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
MIL -PRF - 38535 V类标准
低电源电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.9毫安（典型值）
宽-3dB带宽。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .530MHz （典型值）
高转换率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1050V / μs（典型值）
出色的增益平坦度（至50MHz ） 。 。 。 。 。 。
±0.11dB
（典型值）
出色的差分增益。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.02 ％ （典型值）
卓越的微分相位。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.03度（典型值）
高输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.60毫安（典型值）
独立输出使能/禁用
输出使能/禁止时间。 。 。 。 。 。 。 。 。值为160ns /为20ns （典型值）
总伽马剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300kRAD （SI ）
闭锁。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无（ DI技术）
应用
复用的Flash A / D驱动器
RGB多路复用器和前置放大器
视频转换和路由
脉冲和视频放大器器
订购信息
订购数量
5962F9683201VCA
5962F9683201VCC
国内
MKT 。 NUMBER
HS1-1245RH-Q
HS1B-1245RH-Q
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
宽带放大器器
手持和微型射频设备
电池供电通讯
引脚
HS- 1245RH （ CERDIP ） GDIP1 - T14
OR
HS- 1245RH （ SBDIP ） CDIP2 - T14
顶视图
-IN1 1
+ 2 IN1
禁止1 3
V- 4
关闭2 5
+ IN2 6
-in2 7
-
+
14输出1
13 NC
12 GND
11 V+
10 NC
+
-
9
8
NC
OUT2
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
HS-1245RH
应用信息
最佳反馈电阻
虽然电流反馈放大器器的带宽
依赖于闭环增益不那么严重了的
电压反馈放大器呃，有可能是一个明显
减小带宽更高的收益。这种下降可能
通过采用电流反馈的优势最小化
扩增fi er的带宽和R之间的独特关系
F
.
所有的电流反馈放大器器需要一个反馈电阻，
即使是单位增益的应用程序，而R
F
在与结合
内部补偿电容，设置主极点
的频率响应。因此，扩增fi er的带宽
反比于R
F
。该HS- 1245RH设计
为560Ω 优化
F
在+2的增益。减少
F
稳定性降低，从而导致过多的峰值和
过冲（注：电容反馈将导致相同的
由于在较高的反馈阻抗降低的问题
频率） 。在高收益的放大器儿更稳定，所以
R
F
可以在一个折衷稳定性的带宽减小。
下表列出了推荐的
F
各种价值观
收益和预期的带宽。为了获得良好的信道用于─
信道增益匹配的，则建议改变所有电阻
（终止以及增益设置）会
±1%
公差或更好。
请注意，一个串联输入电阻，上+ IN ，需要的增益
1 ，降低增益峰值和增加稳定性。
收益
(A
CL
)
-1
+1
+2
R
F
()
510
560 (+
R
S
= 560)
560
带宽
（兆赫）
230
290
530
应注意，以去耦的电源。
大值（ 10μF ）钽电容并联一个较小的值
（ 0.1μF ）片状电容器适用于大多数情况。
封端的微带信号线被建议在
输入与该设备的输出。电容直接对
输出必须被最小化，或分离为在所讨论的
下一部分。
护理也必须考虑到的电容最小化，以
地上看到的放大器器的反相输入（ -IN ） 。该
这个大电容，坏的增益尖峰，导致
脉冲过冲和可能的不稳定。为此目的，它是
建议将接地平面下除去
连接到-IN痕迹，并连接到-IN应
保持尽可能地短。
驱动容性负载
容性负载，如一个A / D输入端，或者不正确
端接传输线会降低扩增fi er的
相位裕度产生的频率响应峰值和
可能的振荡。在大多数情况下，振荡可以
通过将电阻器（R避免
S
）串联在输出
之前的电容。
图1细节出发点，本作的选择
电阻器。曲线上的点表示第r
S
和C
L
组合为最优带宽，稳定性，和
建立时间，但实验网络NE调整建议。
采摘上方或向右侧的点的曲线产生一
过阻尼响应，而低于点或左的曲线
指示欠阻尼性能的领域。
R
S
和C
L
组成低通网络在输出端，从而
限制系统带宽远低于放大器
290MHz的带宽（针对A
V
= 1 ） 。通过降低
S
as
C
L
增加（如图中的曲线），最大
在不牺牲稳定性得到带宽。即便如此，
带宽不下降，当您移动到沿着正确的
的曲线。例如，在一个
V
= +1, R
S
= 62, C
L
= 40pF ，
总带宽被限制到180MHz的，和带宽
下降到70MHz的A处
V
= +1, R
S
= 8, C
L
= 400pF的。
50
串联输出电阻（Ω ）
非反相输入信号源阻抗
为了获得最佳的运行，直流电源阻抗看着窗外的
非反相输入端应
≥50.
这是特别
在反相增益CON连接gurations重要，因为非
反相输入端通常会被直接连接到GND。
可选GND引脚为TTL兼容
该HS- 1245RH导出为一个内部参考GND
数字电路，只要电源是
对称GND 。该GND参考使用
保证DISABLE输入TTL兼容。同
对称用品GND引脚（引脚12 ）可能是FL oated ，
或者直接连接到GND。如果不对称用品（例如
+ 10V ， 0V）被利用，和TTL兼容的需要，该
GND引脚必须连接到GND 。
40
30
20
A
V
= +2
10
A
V
= +1
PC板布局
该放大器ER的频率响应在很大程度上取决于
护理在设计印刷电路板采取的量。
该
使用低电感元件，如芯片
电阻和贴片电容，强烈推荐，
而在硬地面上是必须的！
0
0
50
100
150
200
250
300
负载电容（PF ）
350
400
图1.推荐系列输出电阻器VS
负载电容
2
HS-1245RH
老化电路
HS- 1245RH CERDIP
R2
R1
1
2
R1
D4
V-
D2
C2
R1
6
7
R1
+
-
9
8
3
4
5
12
11
10
C1
D1
D3
V+
-
+
14
13
R2
注意事项：
1. R1
2. R2
3. C1
4. D1, D2
5. D3, D4
= 1k,
±5%,
1 / 4W分钟（每插槽）
= 10k,
±5%,
1 / 4W分钟（每插槽）
= 0.01μF （每插槽）或0.1μF （每行）最低
= 1N4002或同等学历（每局）
= 1N4002或同等学历（每插槽）
6. (-V) + (+V) = 11V
±1.0V
7. 10毫安< （我
CC
, I
EE
） < 16毫安
8. -750mV < V
OUT
< + 750mV
辐照电路
HS- 1245RH CERDIP
R2
R1
1
2
R1
3
V-
C1
R1
6
7
R1
+
-
9
8
4
5
12
11
10
C1
V+
-
+
14
13
R2
注意事项：
9. R1 = 1kΩ的，
±5%
10， R2 = 10kΩ的，
±5%
11， C1 = 0.01μF
12. V+ = +5.0V
±0.5V
13. V- = -5.0V
±0.5V
3
HS-1245RH
模具特点
DIE尺寸：
69密耳X 92密耳×19密耳
±1
米尔
1750 X 2330 X 355μm
±25.4m
界面材料：
玻璃钝化：
类型：氮化
厚度： 4K
±0.5k
顶级金属化：
类型：金属1： AICu （2％） /的TiW
类型：金属2： AICu （2％）
厚度：金属1 ： 8K
±0.4k
厚度：金属2 ：16开
±0.8k
基材：
UHF- 1X ，贴合晶片， DI
背面表面处理：
硅
大会相关信息：
衬底电位
（电） ：
漂浮的
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
＆ LT ; 2×10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
150
金属掩模布局
HS-1245RH
-IN1
OUT1
GND （注）
V+
+IN1
DISABLE1
NC
V-
DISABLE2
NC
+IN2
V-
-IN2
V-
V
L
OUT2
注：这是一个可选的GND焊盘。用户可以设置一个接地的参考，通过此片，保证了DISABLE输入时的TTL兼容
采用非对称用品（如V + = 10V ，V = 0V） 。请参阅“应用信息”一节。
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