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ISL74422BRH
数据表
2003年10月
FN6057
抗辐射, 9A ,非反相
功率MOSFET驱动器
硬化ISL74422BRH辐射是一个非反相,
单片高速MOSFET驱动器,旨在转换
5V CMOS逻辑输入信号转换成在高电流输出
电压高达18V 。它的快速上升/下降时间和高的电流
输出允许非常快速控制,即使是最大的动力
的MOSFET在高频应用。
该ISL74422BRH的输入可通过直接驱动我们
IS- 1825ASRH和IS- 1845ASRH的PWM装置。该9A
在MOSFET的大电流输出减少功率损耗
快速充电和放电的大栅极电容。一
供应UVLO (欠压锁定)电路保证
可预见的导通和关断的驱动程序。
构建了Intersil的介质隔离抗辐射
硅栅(RSG ) BiCMOS工艺,这些设备是
免疫单粒子闩锁,并已具体来说
旨在提供在苛刻的性能高度可靠
辐射环境。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布( DSCC ) 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-03248 。 “热链接”提供
在我们的网站上下载。
特点
QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
电筛选, DSCC SMD # 5962-03248
辐射环境
- 总剂量(最大) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300krad ( SI )
- 闭锁免疫
I
PEAK
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9A(最小值)
T
秋天
(C
L
= 10nF的) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 135ns (最大值)
T
上升
(C
L
= 10nF的) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 135ns (最大值)
传播延迟(从高到低) (C
L
= 10nF的) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175ns (最大值)
传播延迟低到高(C
L
= 10nF的) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175ns (最大值)
上升UVLO阈值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7.5V (最大)
下降UVLO阈值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6.0V (最小值)
UVLO迟滞。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0.3V (最小值)
宽电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8V至18V
低待机电流消耗
- 输入低。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2.1mA (最大)
- 输入高。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2.7mA (最大)
应用
开关电源
DC / DC转换
引脚
ISL74422BRHF ( FLATPACK CDFP4 - F16 )
顶视图
NC
NC
VS ( IB )
VIN
GND( IB)的
NC
NC
GND ( OB )
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VS ( OB )
VS ( OB )
NC
+ VOUT
-VOUT
NC
NC
GND ( OB )
电机控制器
订购信息
订购数量
5962F0324801VXC
5962F0324801QXC
国内
MKT 。 NUMBER
ISL74422BRHVF
ISL74422BRHQF
温度。
RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
ISL74422BRHF / PROTO ISL74422BRHF / PROTO
注意事项:
1.引脚3提供电源电压的控制逻辑。它不是
内部连接到引脚15和16的抗噪声能力
的目的,但它必须在外部连接。
2. 5脚是控制逻辑的回报。它内部没有连接到
销8和9,用于抗噪声的目的,但它必须是
外部连接。
3.引脚8和9必须连接到GND 。
4.引脚12和13必须从外部连接。
5.销15和16必须被连接到VS.
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
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版权所有 Intersil公司美洲2003版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL74422BRH
模具特点
DIE尺寸:
4191μm X 4826μm ( 165密耳×190密耳)
厚度: 483μm
±
25.4μm ( 19密耳
±
1密耳)
界面材料:
玻璃钝化:
类型: PSG (磷硅玻璃)
厚度: 8.0k
±
1.0k
顶级金属化:
类型: AlSiCu
厚度: 16.0k
±
2k
基材:
抗辐射硅栅
介质隔离
背面表面处理:
大会相关信息:
衬底电位:
无偏( DI )
附加信息:
最坏情况下的电流密度:
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量:
40
金属掩模布局
(3) VS ( IB)的
ISL74422BRH
(15, 16), VS (OB )
( 13 ) + VOUT
(4)车辆
( 12 ) -VOUT
(5)接地( IB)的
( 8,9), GND( OB)
Intersil公司所有产品的制造,组装和测试都采用ISO9000质量体系标准。
Intersil公司的质量CERTI网络阳离子可在www.intersil.com/design/quality观看
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留随时修改电路设计,软件和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
通知。因此,告诫读者,以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而,承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯,可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
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2
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