1.2.4案例纲要（ S） 。外壳轮廓（ S）作为被指定的MIL -STD- 1835 ，如下所示：
概要信
X
Y
Z
描述性标志
CMGA15-P84
CQCC2-J84
CQCC1-N84
码头
84
84
84
包装样式
针脚栅格阵列
有引线芯片载体W /未成形的线索
方形芯片载体
1.2.5铅完成。在引线末端在MIL -PRF- 38535的设备类Q和V或指定
MIL -PRF- 38535 ，附录A设备类M.
1.3绝对最大额定值。 1 /
电源电压范围............................................... ............
DC输入/直流输出电压范围（Ⅴ
I / O
).................................
DC输入电流（I
I
) .............................................................
存储温度范围............................................... ...
铅tempreature （焊接10秒） ............................
最大耗散功率（P
D
) 2/ ...................................
最高结温（T
J
) ...................................
热阻，结到外壳（ θ
JC
) ...........................
闭锁抗扰度（我
LU
) ........................................................
占空比................................................ ..............................
1.4推荐工作条件。
电源电压（V
DD
) ...........................................................
4.5 V至5.5 V
情况下的工作温度范围（T
C
) ..............................
-55 ° C至+ 125°C
工作频率（F
o
) ......................................................
12兆赫
±
0.01 ％的
辐射的特点：
6
总剂量................................................ ..........................
≥
1 ×10拉德（SI ）
单事件现象（ SEP ）的有效线性能量阈值，
2
没有冷门或闭锁（见4.4.4.4 ） .....................................
≥
27 MEV-厘米/毫克
心烦剂量率（ 20纳秒脉冲） .......................................... 。
3/
剂量率闭锁............................................... ................
3/
剂量率生存能力............................................... .........
3/
14
中子照射................................................ ..............
> 1× 10
1.5数字逻辑测试设备类Q和V.
故障制造的覆盖测量
逻辑测试（ MIL - STD-883标准，测试方法5012 ） ........................
86.5 ％的
0.3 V至7.0 V
-0.3 V至（V
DD
+0.3 V)
±10
mA
-65 ° C至+ 150°C
+300°C
300毫瓦
+175°C
见MIL -STD- 1835
±150
mA
50
±10
百分
1 /应力超过绝对最大额定值可能会导致器件的永久性损坏。在扩展操作
最高级别可能会降低性能并影响可靠性。
2/
3/
必须能承受加P
D
由于短路测试（例如，我
OS
).
当表征为采购活动请求的结果，条件将被指定。
标准
微电路图纸
哥伦布国防供应中心
美国俄亥俄州哥伦布市43216-5000
DSCC FORM 2234
APR 97
SIZE
A
修订级别
E
5962-89577
片
3
QQ：2881677436 复制
