【修订LTRC描述更新的文件样板。添加设备06和07.添加供应商CAGE 61772源供应的设备06和】,IC型号5962-89568,5962-89568 PDF资料,5962-89568经销商,ic,电子元器件-51电子网

修订

LTR

描述

更新的文件样板。添加设备06和07.添加供应商

CAGE 61772源供应的设备06和07.编辑

整个的变化。

改变按照NOR 5962 - R187-95

更新的样板，以单组分，单组分的数字格式。额外

规定列入的抗辐射器件。 - GLG

图纸更新，以反映当前的需求。 - GLG

更新的样板段。加入08设备。 KSR

补充包T和N.剂量率和总剂量数分别为

改变;供应商以前没有运radhard设备。 KSR

日期（YR -MO- DA）的

93-11-15

批准

M. A.弗莱

95-08-14

00-01-21

01-01-17

01-07-27

02-02-04

M. A.弗莱

雷蒙德Monnin

该图的最初的第一页已被替换。

转

片

转

片

REV状态

SHEETS作者

PMIC N / A

标准微电路

制图

此图

可用的

供所有

DEPARTMENTS

与机构

国防部

美国超导公司N / A

转

片

编制

肯尼斯·赖斯

检查

雷Monnin

经批准

迈克尔。 A.弗莱

哥伦布国防供应中心

美国俄亥俄州哥伦布市43216

http://www.dscc.dla.mil

图纸批准日期

1989年11月8日

修订级别

微电路，存储器，

DIGITAL ， CMOS ， 4K ×9 FIFO ，

单片硅

SIZE

片

1作者：

5962-E221-02

CAGE CODE

67268

5962-89568

DSCC FORM 2233

APR 97

分配表A.获准公开发行;分布是无限的。

1.范围

1.1适用范围。此图形文件两款产品保证一流的水平，包括高可靠性（设备类Q和

M）和空间应用程序（设备类V）。案例的选择，外形和引线均可加工，并反映在

部或识别号码（PIN）。当可用时，辐射硬度保证的选择（ RHA ）的水平，反映在

引脚。

1.2 PIN。 PIN码将在下面的例子所示：

对于设备类M和Q不使用类标志中的密码：

5962

联邦

股票类

代号

图号

对于其中类的指示符被包括在PIN设备类Q和V ：

5962

联邦

股票类

代号

图号

1.2.1 （ RHA ）标志。设备类Q和V RHA标设备符合MIL -PRF- 38535规定的RHA水平，

都标有相应的RHA指示符。装置M级RHA标设备符合MIL -PRF- 38535 ，附录A中

指定RHA水平和标有相应的RHA指示符。破折号（ - ）表示非RHA设备。

1.2.2设备类型（ S）。设备类型（S ）应识别电路的功能如下：

设备类型

通用号码

7204

电路功能

4K ×9位并行FIFO

4K ×9位并行FIFO （非常低的功率）

存取时间

120纳秒

80纳秒

65纳秒

50纳秒

40纳秒

30纳秒

20纳秒

15纳秒

RHA

代号

（参见1.2.1 ）

89568

设备

TYPE

（参见1.2.2 ）

设备

类

代号

（参见1.2.3 ）

例

概要

（参见1.2.4 ）

领导

完

（参见1.2.5 ）

RHA

代号

（参见1.2.1 ）

89568

设备

TYPE

（参见1.2.2 ）

例

概要

（参见1.2.4 ）

领导

完

（参见1.2.5 ）

1.2.3设备类标志。设备类指示符应是一个单一的字母标识产品保证水平为

下面列出。

设备类

Q或V

设备需求文档

供应商自我认证，为在非JAN B级微电路的要求

符合MIL -PRF- 38535 ，附录A中

认证和资格MIL -PRF- 38535

标准

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1.2.4案例纲要（ S）。外壳轮廓（ S）应按照指定的MIL -STD- 1835 ，和如下：

概要信

描述性标志

GDIP1 - T28或CDIP2 - T28

GDFP2-F28

CQCC1-N32

GDIP4 - T28或CDIP3 - T28

见图1

码头

包装样式

双列直插式封装

扁平封装

长方形的芯片载体

双列直插式封装

扁平封装

1.2.5铅完成。在引线末端在MIL -PRF- 38535规定，附录A.

1.3绝对最大额定值。

对于端子对地电压....................................

直流输出电流............................................... .......................

存储温度范围............................................... ........

最大功耗............................................... .......

引线温度（焊接， 10秒） ................................

热阻，结到外壳（ θ

) ................................

结温（T

) ..........................................................

1.4推荐工作条件。

电源电压范围（V

)........................................................

最小输入高电平电压（V

) ......................................

低输入电压（V

) ................................................................

情况下的工作温度范围（T

) ....................................

1.5辐射功能。

最大总剂量可（剂量率= 0.1弧度/秒） ---------------------------

2.适用文件

2.1政府规范，标准和手册。下面的说明书，标准，和手册形成部

此图在此规定的范围内。除非另有说明，这些文件的问题都没有在这个列

发行规格和标准防御指数部（ DoDISS ）和补充于此，引用了

征集。

规范

国防部

MIL -PRF- 38535 - 集成电路，制造，一般规格。

标准

国防部

MIL -STD- 883 -

MIL -STD- 1835 -

测试方法标准为电路。

接口标准电子元器件案纲要。

10千拉德（SI ）

+4.5 V直流至+5.5 V直流

2.2 V直流最小2 /

0.8 V DC最大3 /

-55 ° C至+ 125°C

-0.5 V直流至7.0 V直流

50毫安

-65 ° C到+ 155℃

1.0 W

+260°C

见MIL -STD- 1835

+150°C 1/

老化和稳态寿命期间的1 /最大结温度可以升高到+ 175 ℃。

2/ V

是2.2 V最小为所有输入引脚，除了十一是3.5 V最小。

3 / 1.5 V下冲允许每循环一次10纳秒。

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环境管理体

国防部

MIL -HDBK- 103 - 标准微电路图纸清单（ SMD的）。

MIL -HDBK -780 - 标准微电路图纸。

2.2非政府出版物。下列文件（多个）形成该文档到本文规定的范围内的一个部分。

除非另有说明，这些文件都DOD通过的问题是没有在这个DODISS的问题列出

引用的邀请。除非另外指明，在DODISS未列出的文档的问题的问题

引用在招标文件中。

美国测试和材料协会（ASTM ）

ASTM标准F1192M -95

标准导则单事件现象的测量

半导体器件的重离子辐照。

（申请ASTM出版物的复印件应当给美国测试和材料，

1916年马街，费城，宾夕法尼亚州19103 ）。

电子工业协会（ EIA ）

JEDEC标准EIA / JESD78

IC闩锁测试。

（申请复印件应当给电子工业协会， 2500威尔逊大道，阿灵顿，弗吉尼亚州

22201.)

（非政府标准和其他出版物通常可从准备或分发机构

的文档。这些文件也可提供在或通过库或其它信息服务）。

2.3优先顺序。在该图的文本和本文引用的参考文献中，文本之间的冲突的情况下

此图为准。本文件的内容，但是，取代适用的法律法规，除非

特定豁免已获得。

3.要求

3.1项目的要求。个别项目要求设备类Q和V应符合MIL- PRF-

38535和本文或修改设备制造商的质量管理（ QM）计划中指定。在该变形

本文所述的质量管理计划不得影响外形，装配或功能。个别项目要求的设备M级

应符合MIL -PRF- 38535 ，附录A非JAN级B级设备和本文规定。

3.2设计，建设和物理尺寸。设计，施工，物理尺寸应符合规定

在MIL -PRF- 38535 ，并在此设备类Q和V或MIL- PRF- 38535 ，附录A和这里的设备类M.

3.2.1案例概述（ S）。外壳轮廓（ S）应符合1.2.4本文和图1 。

3.2.2终端连接。该终端的连接应符合图2中指定。

3.2.3真值表（ S）。真值表（ S）应为在图3中指定。

3.2.4辐射暴露的电路。辐射暴露电路，由下文件制造商保持

修订级别控制和要求应提供给准备和收购活动。

3.3电气性能和照射后的参数限制。除非在本文中，特别说明

电性能特性和照射后的参数范围是如在表I中规定并应适用于整个

外壳工作温度范围。

3.4电气试验的要求。电气试验要求应在表IIA指定的子组。电

测试每个子组都在表I中定义

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3.5标记。该部分应标有1.2本文列出的PIN 。此外，制造商的PIN码也可以是

标记为MIL -HDBK- 103上市。对于包，其中的标记的整个贴片PIN号码是不是由于空间可行

的限制，制造商还没有标记设备上的"5962-"的选项。对于RHA产品使用此选项，

RHA标志仍应进行标记。对于设备类Q和V标志应符合MIL -PRF- 38535 。

对于设备M级标记应符合MIL -PRF- 38535 ，附录A.

3.5.1认证/符合性标志。需要认证标志的设备类Q和V应为"QML"或"Q"

在MIL -PRF- 38535 。按要求MIL -PRF- 38535 ，附录A中的合规性标志的设备M级应为"C"

3.6合格证书。对于设备类Q和V，均须由QML -38535合格证明书

为了供给到该图的要求中列出的制造商（见6.6.1本文）。对于设备类男，证书

合规应要求从制造商才能被列为供应MIL -HDBK- 103的合法来源（见

6.6.2在此）。遵守上市前提交DSCC -VA作为供应的合法来源为这个证书

图纸应确认，制造商的产品符合，对于设备类Q和V， MIL -PRF- 38535的要求

与本文所述的或为设备类男， MIL-PRF- 38535 ，附录A和这里的要求。

3.7证书的一致性。在MIL -PRF- 38535或需要设备类Q和V一致性证书

在MIL -PRF- 38535设备类男，附录A中应提供每批交付给本图微电路。

3.8变更通知为设备类M.对于设备类男，通报产品的变化DSCC -VA （见6.2

本文），涉及获取到该图的设备如MIL-PRF- 38535定义所需的任何变化，附录A.

3.9检验和审查设备类M.对于设备类男， DSCC ， DSCC的经纪人和收购活动保留

该选项来查看制造商的设备和应用要求的文件。离岸文件应进行

在评审的选项可用岸。

对于设备类M.设备类M器件包括在本图中3.10微电路组分配应

微电路组号41 （见MIL -PRF- 38535 ，附录A）。

4.质量保证条款

4.1取样和检验。对于设备类Q和V，采样和检验程序应符合

MIL -PRF- 38535或修改设备制造商的质量管理（ QM ）计划。在质量管理计划的修改

如本文所述，不影响外形，装配或功能。对于设备类男，抽样和检验程序应

按照MIL-PRF- 38535 ，附录A.

4.2筛选。对于设备类Q和V，筛选应符合MIL -PRF- 38535 ，并应进行

在之前的资格和技术的一致性检验所有设备。对于设备类男，筛选应

按照MIL -STD- 883方法5004 ，并应事先以质量一致性检验所有设备进行。

4.2.1设备类M.附加条件

一。通过中期（伤后入）电气删除指定为初始（预燃式）电气参数的顺序

方法5004和替代线路1至6台IIA此参数。

B 。测试电路应由制造商的文档修订级别控制下保持并应进行

可应要求准备或收购活动。测试电路应指定输入，输出，偏见和

功率耗散，如适用，根据在测试方法1015指定的意图。

(1)

动态老化测试（方法MIL- STD-883标准，测试条件C或D 1015 ;对于电路，见4.2.1b说明此处）。

。中期和最终的电气参数应符合表IIA本文规定。

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