修订

LTR

A

描述

添加设备类型03.添加的情况下轮廓H.添加抗辐射的要求。

更新的样板，以反映新的要求。 - RRP

日期（YR -MO- DA）的

00-07-12

批准

R. MONNIN

B

更改TCV

OS

, I

OS

, I

IB

，共模抑制比，V

O

， PSRR ， SR ， GBW ，P

D

试验

下表中指定一，请更改图1.添加子组7

表IIA 。 - RO

00-10-23

R. MONNIN

该图的原始第一页已被替换。

转

片

转

片

REV状态

SHEETS作者

PMIC N / A

转

片

编制

RICK人员

B

1

B

2

B

3

B

4

B

5

B

6

B

7

B

8

B

9

B

10

B

11

B

12

标准

微型电路

制图

这个图是可用

供所有

DEPARTMENTS

与机构

国防部

检查

查尔斯重用

哥伦布国防供应中心

美国俄亥俄州哥伦布市43216

经批准

迈克尔·弗莱A.

微型电路，线性， JFET输入，

运算放大器的单片

硅

图纸批准日期

89-10-31

美国超导公司N / A

修订级别

B

SIZE

A

片

CAGE CODE

67268

1作者：

12

5962-89542

DSCC FORM 2233

APR 97

分配表A.获准公开发行;分布是无限的。

5962-E590-00

1.范围

1.1适用范围。此图形文件两款产品保证一流的水平，包括高可靠性（设备类Q和

M）和空间应用程序（设备类V） 。案例的选择，外形和引线均可加工，并反映在

部或识别号码（PIN） 。当可用时，辐射硬度保证的选择（ RHA ）的水平，反映在

引脚。

1.2 PIN。 PIN码是如图所示的实施例。

对于设备类M和Q ：

5962

~

~

~

-

~

~

~

89542

01

~

~

~

G

~

~

~

X

~

~

~

联邦

股票类

代号

\

RHA

代号

（参见1.2.1 ）

/

\/

图号

设备

TYPE

（参见1.2.2 ）

例

概要

（参见1.2.4 ）

领导

完

（参见1.2.5 ）

对于设备类V ：

5962

~

~

~

R

~

~

~

89542

01

~

~

~

V

~

~

~

G

~

~

~

X

~

~

~

联邦

股票类

代号

\

RHA

代号

（参见1.2.1 ）

/

\/

图号

设备

TYPE

（参见1.2.2 ）

设备

类

代号

（参见1.2.3 ）

例

概要

（参见1.2.4 ）

领导

完

（参见1.2.5 ）

1.2.1 RHA标志。设备类Q和V RHA标设备符合MIL -PRF- 38535规定的RHA水平，

都标有相应的RHA指示符。装置M级RHA标设备符合MIL -PRF- 38535 ，附录A中

指定RHA水平和标有相应的RHA指示符。破折号（ - ）表示非RHA设备。

1.2.2设备类型（ S） 。设备类型（多个）识别电路的功能如下：

设备类型

01

02

03

通用号码

OP-15A

OP-15B

OP-15A

电路功能

JFET输入运算放大器

JFET输入运算放大器

抗辐射， JFET输入运算放大器

1.2.3设备类标志。设备类指示符是一个单字母标识产品保证水平为列出

下文。由于该设备类标志了原签发此图后增加了，设备类M和Q

代号将不会被包含在PIN并不会被标记的设备上。

设备类

M

设备需求文档

供应商自我认证，为MIL -STD- 883标准的要求，

非JAN级B级微型电路符合MIL -PRF- 38535 ，

附录A

认证和资格MIL -PRF- 38535

Q或V

标准

微电路图纸

哥伦布国防供应中心

美国俄亥俄州哥伦布市43216-5000

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SIZE

A

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B

2

1.2.4案例纲要（ S） 。外壳轮廓（ S）作为被指定的MIL -STD- 1835 ，如下所示：

概要信

G

H

P

描述性标志

MACY1-X8

GDFP1 - F10或CDFP2 -F10

GDIP1 - T8或CDIP2 -T8

码头

8

10

8

包装样式

可以

扁平封装

双列直插式

1.2.5铅完成。在引线末端在MIL -PRF- 38535的设备类Q和V或MIL- PRF- 38535规定的，

附录A设备类M.

1.3绝对最大额定值。 1 /

正电压（ + V

S

） ................................................. ............................. + 22 V直流

负电源电压（-V

S

） ................................................. ....................... -22 V直流

存储温度范围............................................... ............................. -65 ° C至+ 150°C

最大耗散功率（P

D

） ................................................. ................ 500毫瓦2 /

差分输入电压............................................... ................................. ± 40 V

输入电压................................................ .................................................. ± 20 V

输出短路持续时间.............................................. ............................不定

引线温度（焊接， 60秒） .......................................... .......... + 300℃

结温（T

J

).............................................................................. +150°C

热阻，结到外壳（

T

JC

） ................................................. ...查看MIL -STD- 1835

热阻，结到环境（

T

JA

) 2/

方案G ...................................................................................................... 150 ° C / W

案例P ...................................................................................................... 119 ° C / W

方案H ..................................................................................................... 180

q

C / W

1.4推荐工作条件。

电源电压（V

S

) ....................................................................................... ±15 V

工作环境温度（T

A

） ................................................. ............ -55 ° C至+ 125°C

1.5数字逻辑测试设备类Q和V.

最大总剂量使用（剂量率= 50 - 300拉德（SI ） / S） ................. 100 Krads 3 /

2.适用文件

2.1政府规范，标准和手册。下面的说明书，标准，和手册形成

此图以本文规定的范围内的一部分。除非另有说明，这些文件的问题是那些列出

规格和标准防御指数部（ DoDISS ）和其补充的问题，列举了

征集。

1/

2/

强调以上的绝对最大额定值可能会导致器件的永久性损坏。在扩展操作

最高级别可能会降低性能并影响可靠性。

线性降额6.7毫瓦/

q

C以上牛逼

A

= +75

q

下P封装;线性降额7.1毫瓦/

q

C以上牛逼

A

= +80

q

下G封装;

线性降额5.6毫瓦/

q

C以上牛逼

A

= +70

q

下H封装。

3 /这些部件可以是剂量率在空间环境敏感，表明增强的低剂量率的效果。

对于所提到的参数辐射终点限制，仅在该条件保证如MIL- STD-883标准中指定，

方法1019 ，条件A.

标准

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片

B

3

规范

国防部

MIL -PRF- 38535 - 集成电路，制造，一般规格。

标准

国防部

MIL -STD- 883 -

MIL -STD- 973 -

MIL -STD- 1835 -

环境管理体

国防部

MIL -HDBK- 103 -

MIL -HDBK -780 -

标准微电路图纸清单（ SMD的） 。

标准微电路图纸。

测试方法标准为电路。

配置管理。

接口标准电子元器件案纲要。

（除非另有说明，可从标准化的规范，标准，和手册的副本

文档订购中心， 700罗宾斯大道，大厦4D ，费城，宾夕法尼亚州19111-5094 。 ）

2.2优先顺序。在该图的文本和本文引用的参考文献中，文本之间的冲突的情况下

此图的优先。本文件的内容，但是，取代除非适用的法律和法规

特定豁免已获得。

3.要求

3.1项目的要求。个别项目要求设备类Q和V应按照

MIL -PRF- 38535和本文或修改设备制造商的质量管理（ QM）计划中指定。该

本文所述的修改，在质量管理计划不得影响外形，装配或功能。个别项目要求

装置M级应符合MIL -PRF- 38535 ，附录A非JAN级B级的设备并按规定

在本文中。

3.2设计，建设和物理尺寸。设计，施工，物理尺寸应符合规定

在MIL -PRF- 38535 ，并在此设备类Q和V或MIL- PRF- 38535 ，附录A和这里的设备类M.

3.2.1案例概述。案件轮廓应符合1.2.4于此。

3.2.2终端连接。该终端的连接应符合图1上指定的。

3.2.3辐射暴露的电路。辐射暴露电路应在图2中指定。

3.3电气性能和辐照后的参数限制。除非在本文中，特别说明

电性能特性和交照射参数的限制，如表I中规定并应适用在

全工作温度范围。

3.4电气试验的要求。电气试验要求应在表IIA指定的子组。电

测试每个子组都在表I中定义

3.5标记。该部分应标有1.2本文列出的PIN 。此外，制造商的PIN码也可以是

标记为MIL -HDBK- 103上市。对于包，其中的标记的整个贴片PIN号码是不是由于空间可行

的限制，制造商还没有标记设备上的"5962-"的选项。对于RHA产品使用此选项，

RHA标志仍应进行标记。对于设备类Q和V标志应符合MIL -PRF- 38535 。

对于设备M级标记应符合MIL -PRF- 38535 ，附录A.

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4

表I.电气性能特性。

TEST

符号

条件1/2/ 3 /

-55

q

C

d

T

A

d

+125

q

C

除非另有说明

A组

亚

设备

TYPE

民

输入失调电压

V

OS

V

CM

= 0 V

M，D ，P，L ，R

1

2, 3

1

1

2, 3

输入失调电压

温度COEF网络cient

输入失调电流

TCV

OS

I

OS

-55 ° C至+ 125°C 4 /

V

S

= ±20 V, V

CM

= 0 V 5/

M，D ，P，L ，R

2, 3

1, 3

2

1

1, 3

2

输入偏置电流

I

IB

V

S

= ±20 V, V

CM

= 0 V 5/

M，D ，P，L ，R

1, 3

2

1

1, 3

2

共模抑制4 /

比

输出电压摆幅

V

O

CMRR

V

CM

= IVR = ± 10.5 V

V

CM

= IVR = ± 10.4 V

R

L

= 2 k

:

M，D ，P，L ，R

R

L

= 10 k

:

大信号电压增益

A

VO

V

O

= -10 V ，R

L

= 2 k

:

M，D ，P，L ，R

1

2, 3

4

4

5, 6

4

5, 6

4

4

5, 6

参见脚注表的末尾。

03

02

所有

03

所有

01, 03

所有

86

85

±11.0

±11.0

±12.0

100

35

50

75

30

V / MV

V

03

02

01, 03

03

02

03

01, 03

03

02

01, 03

范围

单位

最大

0.5

0.9

1.0

1.0

2.0

10

±10

±4

±0.3

±20

±6

±50

±5.0

±3.0

±100

±7.5

P

mV

V /°C的

pA

nA

nA

pA

nA

pA

nA

nA

pA

nA

dB

标准

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片

B

5