DG528 ， DG529
Vishay Siliconix公司
闭锁单8 - CH /差分4通道模拟多路复用器
描述
该DG528是一款8通道单端模拟复用器
用于连接的八个输入1至公共输出
由一个3位二进制地址（如确定的
0
, A
1
, A
2
） 。 DG529 ，
一个4通道双模拟多路转换器，被设计用来连接
4路差分输入1至公共差分输出
如通过它的2位二进制地址（A确定
0
, A
1
）逻辑。
这些模拟多路复用器具有片内地址和控制
锁存器简化设计，基于微处理器的应用
系统蒸发散。先开后合式开关动作防止
输入信号的暂时短路。该DG528 / 529顷
建立在提高PLUS- 40的CMOS工艺。掩埋
层防止闭锁。
该芯片兼容TTL的地址锁存器简化数字
界面设计和降低数据采集电路板空间
系统，过程控制，航空电子设备和自动测试设备。
特点
低R
DS （ ON）
: 270
44 V电源额定值
板载地址锁存器
中断前先
低漏 - 我
D（上）
： 30 PA
好处
提高了系统的精度
微处理机总线兼容
简便的连接
减少串扰
应用
数据采集系统
自动测试设备
航空电子及军用系统
·医疗器械
功能框图及引脚配置
DG528
DG528
DG529
双列直插式
A0
WR
A
0
EN
V-
S
1
S
2
S
3
S
4
D
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
锁存器
解码器/驱动器
18
17
16
15
14
13
12
11
0
RS
A
1
A
2
GND
V+
S
5
S
6
S
7
S
8
9
S4
EN
V
±
S
1
S
2
S
3
4
5
6
7
8
PLCC
WR
A1
NC
RS
WR
A
0
EN
锁存器
解码器/驱动器
18 A
2
17 GND
16 V+
15 S
5
14 S
6
S
3a
10 11 12 13
S8
NC
S7
D
S
4a
D
a
V-
S
1a
S
2a
1
2
3
4
5
6
7
8
9
双列直插式
18
17
锁存器
解码器/驱动器
16
15
14
13
12
11
10
RS
A
1
GND
V+
S
1b
S
2b
S
3b
S
4b
D
b
3
2
1
20 19
顶视图
顶视图
顶视图
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DG528 ， DG529
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真值表和订购信息
真值表 - DG528
8通道单端多路复用器
A
2
A
1
A
0
EN
WR
RS
ON开关
保持先前的
开关状态
无（锁存器清零）
无
1
2
3
4
5
6
7
8
A
0
锁定
X
X
1
X
RESET
X
X
0
0
1
1
0
0
1
1
X
X
0
1
0
1
0
1
0
1
X
0
1
1
1
1
1
1
1
1
X
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
X
X
0
1
0
1
X
0
1
1
1
1
X
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
无（锁存器清零）
无
1
2
3
4
透明运行
X
1
保持先前的
开关状态
锁定
X
RESET
X
X
0
0
0
0
1
1
1
1
透明运行
X
真值表 - DG529
差分4通道多路复用器
EN
WR
RS
ON开关
LOGIC "0" = V
AL
0.8
V
逻辑"1" = V
AH
2.4
V
X =无关
订购信息 - DG528
温度范围
0 C至70 C
- 25 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
18引脚DIP神经酰胺
包
18引脚塑料DIP
20引脚PLCC
产品型号
DG528CJ
DG528DN
DG528BK
DG528AK
DG528AK/883
5962-8768901VA
订购信息 - DG529
温度范围
0 C至70 C
- 25 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
包
18引脚塑料DIP
18引脚DIP神经酰胺
产品型号
DG529CJ
DG529BK
DG529AK/883
绝对最大额定值
参数
电压参考V-
数字输入，V
S
, V
D
电流（任何终端除S或D ）
连续电流，S或D
峰值电流，S或D（脉冲在1毫秒， 10 ％的占空比最大值）
储存温度
（ AK ， BK后缀）
（ CJ ， DN后缀）
18引脚塑料DIP
c
功率耗散（包）
b
a
符号
V+
GND
极限
44
25
（ V - ） - 2 （V + ）+ 2个
或30毫安，以先到者为准
30
20
40
- 65 150
- 65 125
470
900
800
单位
V
mA
°C
18引脚CERDIP
20引脚PLCC
e
d
mW
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.3毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免10毫瓦/°C， 75°C以上。
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文档编号： 70068
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特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V + = 15 V ，V = - 15 V ， WR = 0 ，
RS = 2.4 V ，V
IN
= 2.4 V ， 0.8 μF
f
后缀
B，C ，D后缀
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
房间
满
房间
房间
满
DG528
DG529
DG528
DG529
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
满
满
满
房间
房间
典型值。
c
分钟。
d
- 15
270
6
± 005
± 0.015
± 0.008
± 0.03
± 0.015
-1
- 50
- 10
- 200
- 10
- 100
- 10
- 200
- 10
- 100
- 10
- 30
10
30
- 10
- 30
1
1.5
1
s
- 10
- 30
1
50
10
200
10
100
10
200
10
100
-5
- 50
- 20
- 200
- 20
- 100
- 20
- 200
- 20
- 100
- 10
- 30
10
30
A
5
50
20
200
20
100
20
200
20
100
马克斯。
d
15
400
500
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
450
550
单位
V
%
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
最大的变化在研发
DS （ ON）
通道之间
f
来源OFF漏电流
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
V
D
= - 10 V，I
S
= - 200 A
- 10 V < V
S
＆ LT ; 10 V
V
EN
= 0 V, V
D
= ± 10 V
V
S
= ± 10 V
V
EN
= 0 V, V
D
= ± 10 V
V
S
= ± 10 V
V
S
= V
D
= ± 10 V
V
EN
= 2.4 V
流掉泄漏电流
I
D（关闭）
nA
漏极泄漏电流
数字控制
逻辑输入电流
I
D（上）
V
A
= 2.4 V
I
AH
V
A
= 15 V
I
AL
t
TRANS
t
开放
t
ON （ EN ， WR ）
t
OFF （ EN ， RS ）
Q
OIRR
C
in
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
V
EN
= 0 V, 2.4 V, V
A
= 0 V
RS = 0 V ， WR = 0 V
参见图5
参见图4
参见图6和图7
参见图6和图8
V
S
= 0 V ，R
y
= 0
C
L
= 10
F
V
EN
= 0 V ，R
L
= 1 kC
L
= 15 pF的
V
S
= 7 V
RMS
， F = 500千赫
F = 1 MHz的
V
EN
= 0 V, V
D
= 0 V ， F = 140千赫
DG528
V
EN
= 0 V, V
D
= 0 V
F = 140千赫
DG529
- 0.002
0.006
- 0.002
输入电压高
逻辑输入电流
输入电压低
动态特性
转换时间
突破前先间隔
EN和WR开启时间
EN和WR关闭时间
电荷注入
关断隔离
逻辑开关输入电容
源关断电容
流掉电容
0.6
0.2
1
0.4
4
68
2.5
5
25
12
300
180
30
500
pC
dB
pF
最小输入时序要求
t
W
把脉冲宽度
t
S
A
X
， EN的数据建立时间
t
H
A
X
， EN数据保持时间
复位脉冲宽度
t
RS
电源
正电源电流
I+
负电源电流
I-
V
S
= 5 V ，见图3
V
EN
= V
A
= 0 V
300
180
30
500
2.5
2.5
- 1.5
ns
- 1.5
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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典型特征
(T
A
= 25 ° C，除非另有说明）
500
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
T
A
= 25 °C
400
± 7.5 V
I S ， I D （PA ）
- 20
I
D（关闭）
I
S（ OFF）
I
D（上）
0
300
± 10 V
200
± 15 V
- 40
± 15 V电源
T
A
= 25
± 20 V
100
- 20
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
20
V
D
- 漏极电压（ V）
- 60
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
类似物
- 模拟电压（ V）
R
DS （ ON）
与V
D
和电源
2.5
T
A
= 25 °C
2.0
3
I + ， I- （毫安）
V T（ V）
1.5
4
漏电流与模拟电压
I+
2
1.0
0.5
1
I-
0
0
0
±5
± 10
± 15
± 20
1k
10 k
100 k
1M
V + ， V-正负电源（ V）
切换频率（Hz ）
输入开关阈值与
V +和V-电源电压
电源电流与频率切换
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原理图（典型值CHANNEL ）
V+
GND
V
REF
V+
EN
V+
V-
A
X
V+
V-
WR
V+
V-
RS
V-
V+
CLK
RESET
D
O
Q
O
V-
V+
D
n
Q
n
V-
V+
V-
锁存器
水平
移
解码
V-
S
1
S
n
V+
D
图1 。
详细说明
该DG528 / DG529的内部结构，包括一个5 -V
具有输入保护电路的逻辑接口，其次是
锁存器，电平移位器，译码器和最后的开关构造
具有平行n型和p沟道MOSFET （参见图1） 。
的逻辑接口电路中的TTL输入信号相比较
针对TTL阈值的参考电压。的输出
比较提要A D型锁存器的数据输入。水平
敏感的D弹连续放置为D
X
输入信号
在Q
X
当WR输入为低电平，从而导致包括透明输出
耳鼻喉科锁存操作。当WR返回高电平时，锁存器
保持的数据的最后存在的D
X
输入时，受微型
妈妈的输入时序要求。
3V
WR
0
t
W
t
S
3V
A
0
, A
1
, (A
2
)
EN
0
t
H
50 %
继锁存器的Q
X
信号电平转换和
解码，提供适当的驱动电平为CMOS
开关。这个电平转换可确保充分的开/关切换操作
为V +和V-电源之间的任何模拟信号本
轨。
EN引脚用于使能在地址锁存器
WR脉冲。它可以被硬线连接到逻辑电源或到V + ，如果
其中一个通道将总是（复位期间除外），可以使用
或者它可以被连接到地址译码电路，用于存储
映射操作。在RS引脚作为主复位。所有
不管锁存器被清除的任何其他锁的状态
或控制线。该WR引脚用来传送的状态
地址控制线闩锁，除了一个复位期间或
当EN为低电平（见真值表） 。
3V
RS
0
t
RS
t
关（ RS）的
开关
产量
V
O
80 %
0
50 %
80 %
80 %
图2中。
网络连接gure 3 。
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