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修订
LTR
A
描述
加入包T和W·加入供应商CAGE 60395为源
供应量。提高数据保持至20岁,最小。与重绘
变化。
改变按照NOR 5962 - R139-94 。
改变按照NOR 5962 - R278-94 。
改变按照NOR 5962 - R163-96 。
更新的样板。添加的设备类型16-18和包M和N
要与供应商CAGE 0EU86作为供应商图纸。移除
图9,图10和图11软件的数据保护算法。移除
供应商61395的供应商。 - GLG
纠正尺寸封装"M"和"N"的。 - GLG
加入装置19 ,包6和7,和更新的样板。 KSR
日期
(YR -MO- DA)的
93-06-29
批准
M. A.弗莱
B
C
D
E
94-03-29
94-09-19
96-06-27
98-07-22
M. A.弗莱
M. A.弗莱
M. A.弗莱
雷蒙德Monnin
F
G
99-10-06
01- 10- 05
雷蒙德Monnin
雷蒙德Monnin
该图的最初的第一页已被替换。
REV状态
SHEETS作者
G
35
G
15
G
36
G
16
G
37
G
17
G
18
G
19
G
20
G
21
G
1
G
22
G
2
G
23
G
3
G
24
G
4
G
25
G
5
G
26
G
6
G
27
G
7
G
28
G
8
G
29
G
9
G
30
G
10
G
31
G
11
G
32
G
12
G
33
G
13
G
34
G
14
编制
肯尼斯·赖斯
检查
查尔斯重用
PMIC N / A
标准
微型电路
制图
此图
可用的
供所有
DEPARTMENTS
与机构
国防部
美国超导公司N / A
哥伦布国防供应中心
美国俄亥俄州哥伦布市43216
经批准
查尔斯·E· Besore
微型电路,存储器,数字,
CMOS 128K ×8位EEPROM ,
单片硅
SIZE
A
图纸批准日期
91-07-12
修订级别
G
CAGE CODE
67268
1
OF
37
5962-38267
DSCC FORM 2233
APR 97
分配表A.获准公开发行;分布是无限的。
5962-E561-01
1.范围
1.1适用范围。此图形文件两款产品保证一流的水平,包括高可靠性(设备类Q和M)
和空间应用程序(设备类V) 。案例的选择,外形和引线均可加工,并反映在部分或
识别号码( PIN) 。当可用,辐射硬度保证( RHA )水平的选择会反映在PIN。
1.2 PIN。 PIN码将在下面的例子所示:
5962
|
|
|
联邦
股票类
代号
\
\/
图号
1.2.1 RHA标志。设备类Q和V RHA标设备符合MIL -PRF- 38535规定的RHA水平,
都标有相应的RHA指示符。装置M级RHA标设备符合MIL -PRF- 38535 ,附录A中
指定RHA水平和标有相应的RHA指示符。破折号( - )表示非RHA设备。
1.2.2设备类型( S) 。设备类型(S )应识别电路的功能如下:
软件
数据
保护
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
-
|
|
|
RHA
代号
(参见1.2.1 )
38267
01
|
|
|
设备
TYPE
(参见1.2.2 )
/
Q
|
|
|
设备
代号
(参见1.2.3 )
X
|
|
|
概要
(参见1.2.4 )
X
|
|
|
领导
(参见1.2.5 )
设备类型
01,16
02
03,17
04
05,18
06
07,19
08
09
10
11
12
13
14
15
通用
1/
电路功能
128K ×8 EEPROM
128K ×8 EEPROM
128K ×8 EEPROM
128K ×8 EEPROM
128K ×8 EEPROM
128K ×8 EEPROM
128K ×8 EEPROM
128K ×8 EEPROM
128K ×8 EEPROM
128K ×8 EEPROM
128K ×8 EEPROM
128K ×8 EEPROM
128K ×8 EEPROM
128K ×8 EEPROM
128K ×8 EEPROM
存取时间
250纳秒
250纳秒
200纳秒
200纳秒
150纳秒
150纳秒
120纳秒
120纳秒
90纳秒
90纳秒
70纳秒
70纳秒
120纳秒
90纳秒
70纳秒
写入速度
10毫秒
5毫秒
10毫秒
5毫秒
10毫秒
5毫秒
10毫秒
3毫秒
10毫秒
3毫秒
10毫秒
3毫秒
3毫秒
3毫秒
3毫秒
写模式
字节/页
字节/页
字节/页
字节/页
字节/页
字节/页
字节/页
字节/页
字节/页
字节/页
字节/页
字节/页
字节/页
字节/页
字节/页
耐力
万周期
万周期
万周期
万周期
万周期
万周期
万周期
万周期
万周期
万周期
万周期
万周期
万周期
万周期
万周期
1.2.3设备类标志。设备类指示符应是一个单一的字母标识产品保证水平为
如下所示:
设备类
M
设备需求文档
供应商自我认证,为MIL -STD- 883标准,非JAN要求
符合MIL -PRF- 38535附录A级B级微电路
认证和资格MIL -PRF- 38535
Q或V
1 /通用号码列在标准微电路图纸资料来源批准公告,在本文档的末尾,会
也被列在QML -38535和MIL -HDBK- 103 。
SIZE
标准
微电路图纸
哥伦布国防供应中心
美国俄亥俄州哥伦布市43216-5000
DSCC FORM 2234
APR 97
A
修订级别
G
5962-38267
2
1.2.4案例纲要( S) 。外壳轮廓( S)应按照指定的MIL -STD- 1835和如下:
概要信
X
Y
Z
U
T
W
M
N
6
7
描述性标志
GDIP1 - T32或CDIP2 -T32
CQCC1-N44
见图1
CQCC1-N32
见图1
见图1
见图1
见图1
见图1 (增强型弧度宽容)
见图1 (增强型弧度宽容)
码头
32
44
32
32
30
36
32
32
32
32
包装样式
双列直插式
方形芯片载体
扁平封装
长方形的芯片载体
栅格阵列
栅格阵列
扁平封装
扁平封装
扁平封装
扁平封装
1.2.5铅完成。在引线末端在MIL -PRF- 38535的设备类Q和V或MIL- PRF- 38535 ,附录规定
一种设备类M.
1.3绝对最大额定值。 1/2 /
电源电压范围(VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
热阻,结到外壳(

JC ) :
案件X,Y和U 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
例T和W的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
案例态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
当m 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
当n 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
案例6 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
案例7 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
最大功率耗散( PD ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
耐力。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
1.4推荐工作条件。
电源电压范围(VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
电源电压( VSS ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
高电平输入电压范围( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
低电平的输入电压范围( VIL) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
情况下的工作温度范围(TC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
1.5数字逻辑测试设备类Q和V.
故障制造的覆盖测量
逻辑测试( MIL - STD-883标准,测试方法5012 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100 %的
4.5 V直流最低至5.5 V DC最大
0.0 V直流
2.0 V直流电源VCC + 1.0 V直流6 /
-0.1 V直流至0.8 V直流
-55
(
C至+ 125
(
C
-0.5 V直流到+6.0 V直流3 /
-55
(
C至+ 125
(
C
-65
(
C至+150
(
C
+300
(
C
见MIL -STD- 1835
21
(
C / W 4 /
18
(
C / W 4 /
3
(
C / W 4 /
2
(
C / W 4 /
1.5
(
C / W 4 /
1.5
(
C / W 4 /
1.0瓦特
+175
(
C 5/
10,000次/字节(最低)
20年最低
1 /应力超过绝对最大额定值可能会导致器件的永久性损坏。在扩展操作
最高级别可能会降低性能并影响可靠性。
2 /引用到VSS (VSS =地)中,除非另有说明,所有的电压。
3 /负下冲降到最低-1.0 V的允许最大为20毫微秒的脉冲宽度。
4 /当MIL -STD- 1835指定为这种情况下的热阻,该值将取代
的值表示在本文中。
5 /最高结温不得超过除允许短时间老化筛选
条件符合MIL -STD- 883方法5004 。
6 /对设备类型16-19只, VIH R上
应VCC - 0.5 V分钟。至VCC + 1.0 V最大。
(E S)
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3
2.适用文件
2.1政府规范,标准和手册。下面的说明书,标准,和手册形成部
此图在此规定的范围内。除非另有说明,这些文件的问题都没有在这个列
发行规格和标准防御指数部( DoDISS )和补充于此,引用了
征集。
规范
国防部
MIL -PRF- 38535 - 集成电路,制造,一般规格。
标准
国防部
MIL -STD- 883 -
MIL -STD- 1835 -
环境管理体
国防部
MIL -HDBK- 103 -
MIL -HDBK -780 -
标准微电路图纸清单。
标准微电路图纸。
测试方法标准为电路。
接口标准微电路案纲要。
(除非另有说明,可从标准化的规范,标准,和手册的副本
文档订购中心, 700罗宾斯大道,大厦4D ,费城,宾夕法尼亚州19111-5094 ) 。
2.2非政府出版物。下列文件构成本文件在本文中所指定的范围的一部分。除非
另外说明,否则都DOD通过的文件的问题是那些列出的问题的DODISS中引用的
征集。除非另外指明,在DODISS未列出的文档的问题是在文档的引用的问题
在招标。
美国测试和材料协会(ASTM )
ASTM标准F1192-88
-
标准导则单事件现象的测量
半导体器件的重离子辐照。
(申请ASTM出版物的复印件应当给美国测试与材料, 1916
赛街,费城,宾夕法尼亚州19103 ) 。
电子工业协会( EIA )
JEDEC标准EIA / JESD78 - I / C闩锁测试。
(申请复印件应当给电子工业协会, 2500威尔逊大道,阿灵顿,
VA 22201 ) 。
(非政府标准和其他出版物通常可从准备或分发机构
的文档。这些文件也可提供在或通过库或其它信息服务)。
2.3优先顺序。在该图的文本和本文引用的参考文献,文本之间的冲突的情况下
这张图纸为准。本文件的内容,但是,取代除非适用的法律和法规
特定豁免已获得。
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4
3.要求
3.1项目的要求。个别项目要求设备类Q和V应符合MIL -PRF- 38535
和本文规定或修改设备制造商的质量管理( QM )计划。在质量管理中修改
本文所述的计划不得影响外形,装配或功能。个别项目要求的设备M级应
按照MIL- PRF- 38535 ,附录A非JAN类B级的设备和如本文指定。
3.2设计,建设和物理尺寸。设计,施工,物理尺寸应符合规定
在MIL -PRF- 38535 ,并在此设备类Q和V或MIL- PRF- 38535 ,附录A和这里的设备类M.
3.2.1案例概述( S) 。外壳轮廓( S)应符合1.2.4本文和图1 。
3.2.2终端连接。该终端的连接应符合图2中指定。
3.2.3真值表。真值表应符合图3上指定的。
3.2.3.1未编程器件。事实表未编程器件的不涉及改变绘图项目合同
应如本文所指定的图3上。必要时,在筛查(见本文4.2 ) ,或质量一致性检验组
A,B ,C或D(见本文4.4 ) ,该装置应通过测试的棋盘或类似的现有制造厂进行编程
图案(最小比特编程总数的50%)。
3.2.3.2编程设备。是用于提供已编程器件的要求不是本文件的一部分。
3.3电气性能和照射后的参数限制。除非另有规定,该电
性能特点及照射后的参数限制为指定表I ,并应适用于整个情况
工作温度范围。
3.4电气试验的要求。电气试验要求应在表IIA指定的子组。电
测试每个子组都在表I中定义
3.5标记。该部分应标有1.2本文列出的PIN 。此外,制造商的PIN码也可以被标记为
如MIL -HDBK- 103上市。对于包时标记的整个SMD PIN码是不可行的,由于空间的限制,
制造商还没有标记设备上的"5962-"的选项。对于RHA产品使用该选项时, RHA标志
应仍然标记。对于设备类Q和V标志应符合MIL -PRF- 38535 。对于设备类标识
米,则符合MIL -PRF- 38535 ,附录A.
3.5.1认证/符合性标志。根据需要在认证标志的设备类Q和V应为"QML"或"Q"
MIL -PRF- 38535 。按要求MIL -PRF- 38535 ,附录A中的合规性标志的设备M级应为"C"
3.6合格证书。
对于设备类Q和V,均须由QML -38535合格证明书
为了供给到该图的要求中列出的制造商(见6.6.1本文) 。对于设备类男,证书
合规应要求从制造商才能被列为供应MIL -HDBK- 103的合法来源(参见6.6.2
在此) 。符合上市前的这张图纸提交给DSCC -VA作为供应的合法来源的证明应
确认,制造商的产品符合,对于设备类Q和V中, MIL -PRF- 38535 ,并在此或要求
设备类男, MIL-PRF- 38535 ,附录A和这里的要求。
3.7证书的一致性。按要求设备类MIL -PRF- 38535或Q和V一致性证书
在MIL -PRF- 38535设备类男,附录A中应提供每批交付给该图的微电路的。
3.8变更通知为设备类M.对于设备类男,通报产品的变化DSCC -VA (见本文6.2 )
涉及获取到该图中的设备作为在MIL-PRF- 38535定义所需的任何变化,附录A.
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    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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