594D
日前，Vishay斯普拉格
固体钽芯片电容器
T
ANTAMOUNT
保形涂层，最大CV ，低ESR
特点
大电容额定值范围
最低的ESR为表面贴装片式钽
无铅
电容
可用的
100％的浪涌电流调节为C，D和R
RoHS指令*
案例
柔顺
终端：锡（ 2 ）标准
8毫米12毫米磁带和卷轴包装可用
每EIA 481-1和符合IEC 286-3缫丝。 7" [ 178毫米]
标准。 13" [330 MM]可用
与EIA 535BAAE和案例代码兼容性
CECC30801模芯片
性能/电气特性
工作温度：
- 55 ° C至+ 85°C
（ + 125 ℃，电压降额）
注意：
请参阅文档。 40088
电容范围：
1.0 μF至1500 μF
电容容差：
±10％ ， ± 20％的标准
额定电压：
4 WVDC至50 WVDC
等效串联电阻：
ESR读数测量
100千赫， + 25°C ，从3500 m 30 m
订购信息
594D
TYPE
477
电容
这被表示在
皮法。前两个
数字是显著
数字。第三是
零到数
随之而来。
X0
电容
公差
X0 =
±
20 %
X9 = ± 10 %
004
直流电压额定值
AT + 85°C
这表示以伏特为单位。
要完成三位数
块，零之前的
额定电压。十进制
点是通过一个“R ”表示的
（ 6R3 = 6.3 V） 。
R
CASE CODE
见评级
与案例
码表
2
终止
2 = 100 ％的锡
4 =镀金
8 =焊接
镀（60/40）
特别订做
T
包装
T =卷带式
7" [ 178毫米]卷轴
W = 13" [330 MM]卷轴
看到磁带和卷轴
特定连接的阳离子。
注意：
较好的耐受性和卷轴尺寸以粗体显示。
我们保留提供更高的额定电压和更严格的电容容差的电容器在同一案件中的大小正确。电压换人
将标有更高的额定电压。
尺寸
以英寸[毫米]
钽丝
笔尖标识
阳极（+）
终奌站
W
L
马克斯。
D
REF 。
A
B
J
马克斯。
J
马克斯。
H
例
CODE
B
C
D
R
L（ MAX 。 ）
0.158
[4.0]
0.281
[7.1]
0.293
[7.5]
0.283
[7.2]
W
0.110 + 0.012 - 0.016
[2.8 + 0.3 - 0.4]
0.126 ± 0.012
[3.2 ± 0.3]
0.170 + 0.012/- 0.024
[4.3 + 0.3/- 0.6]
0.235 + 0.012/- 0.024
[6.0 + 0.3/- 0.6]
H
0.075 + 0.012 - 0.024
[1.9 + 0.3 - 0.6]
0.098 ± 0.012
[2.5 ± 0.3]
0.110 ± 0.012
[2.8 ± 0.3]
0.136 ± 0.012
[3.5 ± 0.3]
A
0.031 ± 0.012
[0.80 ± 0.30]
0.051 ± 0.012
[1.3 ± 0.30]
0.051 ± 0.012
[1.3 ± 0.30]
0.051 ± 0.012
[1.3 ± .30]
B
0.097 ± 0.016
[2.5 ± 0.4]
0.180 ± 0.024
[4.6 ± 0.6]
0.180 ± 0.024
[4.6 ± 0.6]
0.180 ± 0.024
[4.6 ± 0.6]
D（ REF ）。
0.138
[3.5]
0.236
[6.0]
0.253
[6.4]
0.243
[6.2]
J（下MAX 。 ）
0.004
[0.1]
0.004
[0.1]
0.004
[0.1]
0.004
[0.1]
注意事项：
阳极终端（D小于B）将是最小的0.012" [ 0.3毫米] 。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 40006
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如有技术问题，请联系： tantalum@vishay.com
www.vishay.com
85
594D
日前，Vishay斯普拉格
固体钽芯片电容器
T
ANTAMOUNT
，保形涂层，
最大CV ，低ESR
10 V
16 V
20 V
25 V
35 V
50 V
B
额定值和外形编码
F
4V
6.3 V
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
B
33
B
47
68
100
B*
B
120
C
150
B / C
180
220
C / D
270
D
330
C*
C / D
390
R
470
商业/住宅
D / R
560
680
D
R
1000
R
1500
R
*初步值，请联络厂方可用性
B
B
B
B
B
B
B
B
B / C
B / C
C
C / D
D
C / D
D / R
R
R
B
B / C
B / C
B / C
C / D
C / D
D
R
R
R
C
D
R
B
C
B
C
C
D
D
D / R
R
C / D
D
R
R
C
D
R
标准/扩展评级
电容
(F)
CASE CODE
产品型号
马克斯。 DCL
AT + 25°C
(A)
马克斯。 DF
AT + 25°C
120赫兹
(%)
马克斯。 ESR
AT + 25°C
100千赫
(
Ω
)
0.38
0.30*
0.25
0.08
0.06
0.08*
0.075
0.045
0.060
0.030
0.380
0.250
0.085
0.080
0.065
0.080
0.080
0.060
0.045
0.060
0.060
0.050
0.045
0.045
0.030
0.030
马克斯。纹波
100千赫
IRMS
(A)
0.47
0.53*
0.58
1.17
1.58
1.17*
1.21
2.36
1.58
2.89
0.47
0.58
1.48
1.37
1.52
1.17
1.17
1.58
2.36
1.58
1.58
2.24
2.36
2.36
2.89
2.89
33
100*
150
150
270
330*
470
470
680
1500
22
100
120
220
220
330
330
330
390
470
470
470
680
680
1000
1000
4 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 5.2 V 。 。 。 2.7直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 3.4 V
B
594D336X_004B2T
1.3
6
B*
594D107X_004B2T*
4.0*
8*
B
594D157X_004B2T
6.0
8
C
594D157X_004C2T
6.0
8
D
594D277X_004D2T
10.8
8
C*
594D337X_004C2T*
13.2*
8*
C
594D477X_004C2T
18.8
10
R
594D477X_004R2T
18.8
10
D
594D687X_004D2T
27.2
12
R
594D158X_004R2T
60.0
20
B
B
C
C
D
C
C
D
R
D
D
R
R
R
R
R
6.3 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 8 V 。 。 。 4直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 5 V
594D226X_6R3B2T
1.4
6
594D107X_6R3B2T
6.3
6
594D127X_6R3C2T
7.6
8
594D227X_6R3C2T
13.9
8
594D227X_6R3D2T
13.9
8
594D337X_6R3C2T
20.8
8
594D337X_6W3C2T
20.8
8
594D337X_6R3D2T
20.8
8
594D397X_6R3R2T
24.6
8
594D477X_6R3D2T
29.6
10
594D477X_6W3D2T
29.6
10
594D477X_6R3R2T
29.6
10
594D687X_6R3R2T
42.8
12
594D687X_6W3R2T
42.8
12
594D108X_6R3R2T
63.0
16
594D108X_6W3R2T
63.0
16
*初步数值，联系工厂。对于10 ％的容差，指定"9" ; 20 ％的容差，更改为"0" 。
www.vishay.com
86
如有技术问题，请联系： tantalum@vishay.com
文档编号： 40006
修订： 23 -JAN- 08
594D
固体钽芯片电容器
T
ANTAMOUNT
，保形涂层，
最大CV ，低ESR
标准/扩展评级
电容
(F)
15
33
47
68
68
100
100
120
150
150
180
220
220
330
330
470
680
CASE CODE
产品型号
马克斯。 DCL
AT + 25°C
(A)
马克斯。 DF
AT + 25°C
120赫兹
马克斯。 ESR
AT + 25°C
100千赫
马克斯。纹波
100千赫
IRMS
0.41
0.41
0.46
0.49
1.05
0.57
1.08
1.08
1.11
1.41
1.29
1.05
1.52
1.52
2.36
2.36
2.36
0.39
0.41
0.86
0.34
1.00
0.95
1.26
1.17
1.41
1.33
2.13
2.13
2.13
0.31
0.31
0.32
0.38
0.86
0.89
1.26
1.33
1.77
0.24
0.31
0.70
0.74
1.05
1.07
1.00
1.60
1.67
0.22
0.25
0.51
0.52
0.75
0.75
1.12
1.12
0.16
0.33
0.58
0.85
日前，Vishay斯普拉格
10 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 13 V 。 。 。 7直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 8 V
B
594D156X_010B2T
1.5
6
0.50
B
594D336X_010B2T
3.3
6
0.50
B
594D476X_010B2T
4.7
6
0.40
B
594D686X_010B2T
6.8
6
0.350
C
594D686X_010C2T
6.8
6
0.100
B
594D107X_010B2T
10
12
0.250
C
594D107X_010C2T
10
8
0.095
C
594D127X_010C2T
10.2
7
0.095
C
594D157X_010C2T
15
8
0.090
D
594D157X_010D2T
15
8
0.075
D
594D187X_010D2T
14.4
7
0.090
C
594D227X_010C2T
22
8
0.100
D
594D227X_010D2T
22
8
0.065
D
594D337X_010D2T
33
8
0.065
R
594D337X_010R2T
33
8
0.045
R
594D477X_010R2T
47
10
0.045
R
594D687X_010R2T
68
14
0.045
16 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 20 V 。 。 。 10直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 12 V
15
B
594D156X_016B2T
2.4
6
0.55
33
B
594D336X_016B2T
5.3
6
0.500
33
C
594D336X_016C2T
5.3
6
0.150
47
B
594D476X_016B2T
7.5
6
0.72
47
C
594D476X_016C2T
7.5
6
0.110
68
C
594D686X_016C2T
10.9
6
0.123
68
D
594D686X_016D2T
10.9
6
0.095
100
C
594D107X_016C2T
16
8
0.080
100
D
594D107X_016D2T
16
8
0.075
150
D
594D157X_016D2T
24
8
0.085
180
R
594D187X_016R2T
28.8
8
0.055
220
R
594D227X_016R2T
35.2
8
0.055
330
R
594D337X_016R2T
52.8
8
0.055
20 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 26 V 。 。 。 13直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 16 V
4.7
B
594D475X_020B2T
0.9
6
0.90
6.8
B
594D685X_020B2T
1.4
6
0.90
10
B
594D106X_020B2T
2.0
6
0.85
22
B
594D226X_020B2T
4.4
6
0.60
22
C
594D226X_020C2T
4.4
6
0.150
47
C
594D476X_020C2T
9.4
6
0.140
47
D
594D476X_020D2T
9.4
6
0.095
100
D
594D107X_020D2T
20
8
0.085
120
R
594D127X_020R2T
24
8
0.080
25 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 32 V 。 。 。 17直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 20 V
3.3
B
594D335X_025B2T
0.8
6
1.50
10
B
594D106X_025B2T
2.5
6
0.900
15
C
594D156X_025C2T
3.8
6
0.220
22
C
594D226X_025C2T
5.5
6
0.200
33
D
594D336X_025D2T
8.3
6
0.130
47
D
594D476X_025D2T
11.8
6
0.130
68
D
594D686X_025D2T
17
8
0.200
68
R
594D686X_025R2T
17
6
0.095
100
R
594D107X_025R2T
25
8
0.090
35 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 46 V 。 。 。 23直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 28 V
2.2
B
594D225X_035B2T
0.8
6
1.70
4.7
B
594D475X_035B2T
1.6
6
1.40
6.8
C
594D685X_035C2T
2.4
6
0.43
15
C
594D156X_035C2T
5.3
6
0.40
15
D
594D156X_035D2T
5.3
6
0.27
22
D
594D226X_035D2T
7.7
6
0.27
33
R
594D336X_035R2T
11.6
6
0.20
47
R
594D476X_035R2T
16.6
6
0.20
50 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 65 V 。 。 。 33直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 38 V
1.0
B
594D105X_050B2T
0.5
4
3.5
4.7
C
594D475X_050C2T
2.4
6
1.0
6.8
D
594D685X_050D2T
3.4
6
.45
15
R
594D156X_050R2T
7.5
6
.35
*初步数值，联系工厂。对于10 ％的容差，指定"9" ; 20 ％的容差，更改为"0" 。
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87
594D
日前，Vishay斯普拉格
固体钽芯片电容器
T
ANTAMOUNT
，保形涂层，
最大CV ，低ESR
典型曲线在+ 25 ° C，阻抗和ESR VS.频率
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;例
1000
100
阻抗
10
ESR
＆ QUOT ; C＆ QUOT ;例
阻抗
100
ESR
Ω
10
Ω
2.2 μF ， 35 VDC
1
1.0
15 μF ， 25 VDC
0.1
22 μF ， 6.3 VDC
0.1
100
1K
10K
100K
在赫兹的频率
1M
10M
0.01
100
1K
10K
100K
在赫兹的频率
120 μF ， 6.3 VDC
1M
10M
＆ QUOT ; D＆ QUOT ;例
100
阻抗
10
ESR
10
100
＆ QUOT ; R QUOT ;例
阻抗
ESR
Ω
33 μF ， 25 VDC
1.0
Ω
1.0
390 μF ， 6.3 VDC
0.1
33 μF ， 35 VDC
0.1
220 μF ， 6.3 VDC
0.01
100
1K
10K
100K
在赫兹的频率
1M
10M
0.01
100
1K
10K
100K
在赫兹的频率
1M
10M
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88
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文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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