5910
HIGH- VOLTAGE采用BiMOS III
10位串行输入，锁存驱动程序
OUT
8
OUT
7
OUT
6
时钟
逻辑
地
逻辑
供应
频闪
动力
地
OUT
5
OUT
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20
19
OUT
9
OUT
10
注意，双列直插式封装（指示符
“A” ）和小外形集成电路封装（代号
' LW '）电相同的，并且共享一个
常见的终端数量分配。
绝对最大额定值
在T
A
= 25
°
C
逻辑电源电压，V
DD
................
15 V
驱动器电源电压，V
BB
UCN5910A / LW .........................
150 V
后缀“-2” .................................
140 V
连续输出电流范围，
I
OUT
.......................
-30 mA至40毫安
输入电压范围，
V
IN
....................
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
封装功耗，P
D
.
请参阅图表
工作温度范围，
T
A
...............................
-20
°
C至+ 85
°
C
存储温度范围，
T
S
..............................
-55
°
C至+150
°
C
注意： CMOS器件具有输入静态
保护，但很容易受到损坏时
暴露在极高的静电
收费。
T
C
ü
平负
0：N
R 0
P·E
D C
简
ü ê
IN ER
五六
否E
C R
为O
D F
—
V
BB
18
17
16
锁存器
负载
供应（ 6-10 ）
串行
数据输出
串行
DATA IN
CLK
注册
注册
锁存器
子
该UCN5910x结合了10位CMOS移位寄存器和所附
数据锁存器，控制电路，高压双极采购与输出
DMOS主动下拉电阻。设计主要是用于驱动喷墨和piezoelec-
TRIC打印机，大型平板真空荧光或交流等离子显示器中，
140 V或150 V和
±50
电流输出额定值也允许使用这些设备
在许多其它外围功率驱动器应用。较低的成本（后缀
“-2” ）装置是相同的，除了输出电压额定值的基本设备。
CMOS移位寄存器和锁存允许直接接口与微
基于处理器的系统。采用5 V逻辑电源，串行数据输入速率
通常超过5兆赫，具有显著更高的速度为12 V.索取
使用带有TTL可能需要适当的上拉电阻，以确保输入逻辑
高。
CMOS串行数据输出使级联的应用
需要附加驱动线路。类似设备用于高达60伏的操作是
可在10，12 ，20，和32位的构型。
该UCN5910A / LW输出源极驱动器能够NPN达林顿
采购至少40毫安。该DMOS主动下拉都能够下沉
至少为30毫安。对于数字间消隐，所有的输出驱动器可以是
残疾人和DMOS下沉司机被消隐输入高电平接通。
该UCN5910A和UCN5910A -2都配备了20针的双列直插
塑料封装。表面贴装UCN5910LW和UCN5910LW -2
布置在一个宽体小外形塑料封装（ SOIC ）与鸥翼
导致。铜引线框架，降低电源电流的要求，并降低
输出饱和电压，使所有设备在运行
±20
毫安所有
输出（ 50 ％占空比） ，在环境温度低于+ 30℃ ，或在
±15
mA
至+ 55°C 。
数据表
26182.2A
V
DD
ST
BLNK
15
V
BB
14
13
消隐
负载
供应（ 1-5）
OUT
1
OUT
2
OUT
3
12
10
11
DWG 。 PP- 029-14
特点
s
高速源驱动
s
140 V（后缀“-2” ）或150 V
最小输出故障
s
更换改进
对于TL4810B
s
s
s
s
低输出饱和电压
低功耗CMOS逻辑电路和锁存
至3.3 MHz的数据输入速率
DMOS主动下拉电阻
初步信息
（如有更改，恕不另行通知）
2000年1月18日
通过完整的部件号总是订货，例如，
UCN5910A-2
.
5910
HIGH- VOLTAGE采用BiMOS III
10位串行输入，
锁存驱动程序
功能框图
时钟
串行
DATA IN
频闪
V
DD
逻辑
供应
串行
数据输出
串并移位寄存器
锁存器
消隐
MOS
双极
负载
供应
V
BB
地
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
N
DWG 。 FP- 013-1
典型的输入电路
VDD
IN
ALLOWABLE封装功耗（瓦）
2.5
2.0
SU
FF
IX
DWG 。 EP- 010-4A
1.5
SU
FF
IX
'A
', R
θ
J
A
=
典型的输出驱动器
55
°
C
/W
“ LW
', R
V
BB
1.0
θ
J
A
=
70
°
C
/W
0.5
OUT
N
0
25
50
75
100
125
环境温度
°C
150
DWG 。 GS- 004A
DWG 。编号A- 14219
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
版权所有 1984年， 1999年， Allegro MicroSystems公司
5910
HIGH- VOLTAGE采用BiMOS III
10位串行输入，
锁存驱动程序
在T电气特性
A
= +25
°
C，V
BB
= 150 V（基本设备）或
140 V（后缀“-2” ），除非另有说明。
限@ V
DD
= 5 V
特征
输出漏电流
输出电压
符号
I
CEX
V
OUT(1)
测试条件
V
OUT
= 0 V ，T
A
= +70°C
基本的，我
OUT
= -40毫安
后缀“-2” ，我
OUT
= -40毫安
V
OUT(0)
I
OUT
= 5毫安
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 30毫安
输出下拉电流
I
OUT(0)
V
OUT
= 5 V到V
BB
V
OUT
= 20 V到V
BB
输入电压
V
IN(1)
V
IN(0)
输入电流
I
IN(1)
I
IN(0)
串行数据输出电压
V
OUT(1)
V
OUT(0)
最大时钟频率
电源电流
f
CLK
I
DD(1)
I
DD(0)
I
BB(1)
I
BB(0)
消隐到输出延迟
t
PHL
t
PLH
输出下降时间
输出上升时间
t
f
t
r
所有输出高
所有输出低
输出高，空载
输出低电平
C
L
= 30 pF的，50％至50％的
C
L
= 30 pF的，50％至50％的
C
L
= 30 pF的，90％至10％的
C
L
= 30 pF的，10％至90％的
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0.8 V
I
OUT
= -200
A
I
OUT
= 200
A
万。典型值。马克斯。
–
145
135
–
–
–
10
–
3.5
-0.3
–
-0.3
4.5
–
3.3
–
–
–
–
–
–
–
–
-5.0
148
–
2.5
5.0
–
14
–
–
–
0.05
–
5.0
200
5.0
320
320
0.6
10
0.7
0.9
1.3
1.2
-15
–
–
3.2
–
–
–
–
5.3
+0.8
0.5
-0.8
–
250
–
450
450
1.75
100
0.9
1.3
1.5
1.5
限@ V
DD
= 12 V
分钟。典型值。马克斯。
–
145
135
–
–
–
–
25
10.5
-0.3
–
-0.3
11.7
–
5.0
–
–
–
–
–
–
–
–
-5.0
148
–
2.0
–
12
–
40
–
–
0.05
–
12
200
–
650
650
0.9
10
0.35
0.35
0.6
1.0
-15
–
–
3.2
–
25
–
–
12.3
+0.8
1.0
-0.8
–
250
–
800
800
1.75
100
0.6
0.6
0.7
1.2
单位
A
V
V
V
V
V
mA
mA
V
V
A
A
V
mV
兆赫
A
A
mA
A
s
s
s
s
负电流去连接定义为走出（采购）的特定网络版设备终端。
5910
HIGH- VOLTAGE采用BiMOS III
10位串行输入，
锁存驱动程序
时钟
DATA IN
C
频闪
消隐
G
OUT
N
DWG 。编号A- 12,649A
A
B
D
E
F
串行数据输入端存在被转印
上的逻辑，移位寄存器的“0 ”到逻辑“1”的
该时钟输入脉冲的过渡。上
以后的时钟脉冲，移位寄存器的数据
对串行数据信息OUT-
PUT 。串行数据必须出现在
输入之前的时钟输入的上升沿
波形。
信息存在任何寄存器传输
ferred到各自的锁存器时，该选通
是高（串行到并行转换）。该
锁存器将继续，只要接受新数据
在选通脉冲保持高电平。应用场合
锁存器被旁路（频闪拉高）会
需要消隐输入是在高
串行数据输入。
当消隐输入为高时，
输出源驱动器被禁用（ OFF） ;该
DMOS下沉司机开。信息
存储在锁存器中不会受
消隐输入。随着消隐输入
低时，输出由状态控制
它们各自的锁存器。
(T
A
= +25
°
C，V
DD
= 12 V ，逻辑电平V
DD
和地面）
A.
最小数据有效时钟脉冲之前
（数据建立时间） ........................................... ................................
75纳秒
B.
最小数据有效时间时钟脉冲后
（数据保持时间） ............................................. ..................................
75纳秒
C.
最小数据脉冲宽度.............................................. ...............
150纳秒
D.
最小时钟脉冲宽度.............................................. .............
100纳秒
E.
F.
之间的时钟激活和频闪最短时间....................
300纳秒
最小选通脉冲宽度.............................................. ............
100纳秒
时序条件
G.
间频闪激活和典型时间
输出转换................................................ .............................
750纳秒
真值表
串行
移位寄存器的内容
数据时钟
输入输入我
1
I
2
I
3
... I
N-1
I
N
H
L
X
H
L
R
1
R
2
...
R
1
R
2
...
R
N-2
R
N-1
R
N-2
R
N-1
R
N-1
R
N
X
X
串行
数据选通
输出输入
R
N-1
R
N-1
R
N
X
P
N
L
H
R
1
R
2
R
3
...
P
1
P
2
P
3
...
X
L =低逻辑电平
H =高逻辑电平
X =无关
X
X
...
R
N-1
R
N
P
N-1
P
N
X
X
L
H
P
1
P
2
P
3
... P
N-1
P
N
L
L
L
... L
L
锁存器的内容
I
1
I
2
I
3
...
I
N-1
I
N
消隐
输出内容
I
1
I
2
I
3
... I
N-1
I
N
R
1
R
2
R
3
...
X
X
X
...
P
1
P
2
P
3
...
P
N-1
P
N
P =现状
R =以前的状态
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
5910
HIGH- VOLTAGE采用BiMOS III
10位串行输入，
锁存驱动程序
UCN5910A & UCN5910A - 2
尺寸以英寸
（控制尺寸）
20
11
0.014
0.008
0.430
0.280
0.240
最大
0.300
BSC
1
0.070
0.045
0.100
1.060
0.980
BSC
10
0.005
民
0.210
最大
0.015
民
0.150
0.115
0.022
0.014
DWG 。 MA- 001-20的
单位：毫米
（仅供参考）
20
11
0.355
0.204
10.92
7.11
6.10
最大
7.62
BSC
1
1.77
1.15
2.54
26.92
24.89
BSC
10
0.13
民
5.33
最大
0.39
民
3.81
2.93
0.558
0.356
DWG 。 MA- 001-20毫米
注：1 。确切的身体和领先的配置，在显示范围内的供应商的选择。
2.引线间距有容乃非累积。
3.铅厚度的测量是在座位平面或以下。
QQ：2880707522 复制
