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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符5型号页 > 首字符5的型号第357页 > 54LVTH162373RPFE
P
RELIMINARY
3.3V 16位透明
D类锁存器
1OE
1Q1
1Q2
GND
1Q3
1Q4
VCC
1Q5
1Q6
GND
1Q7
1Q8
2Q1
2Q2
GND
2Q3
2Q4
VCC
2Q5
2Q6
GND
2Q7
2Q8
2OE
24
25
1
48
1LE
1D1
1D2
GND
1D3
1D4
VCC
1D5
1D6
GND
1D7
1D8
54LVTH162373
逻辑图( PositiveLogic )
1/24
1OE/2OE
1LE/2LE
48/25
C1
1D1/2D1
47/36
1D
2/13
1Q1/2Q1
54LVTH162373
2D1
2D2
GND
2D3
2D4
VCC
2D5
2D6
GND
2D7
2D8
2LE
七其他渠道
逻辑图
内存
F
EATURES
:
3.3V低电压的先进的BiCMOS技术( LVT ) 16
位透明D型锁存器三态输出
总剂量硬度:
- > 100拉德(SI ) ,根据航天任务
卓越的单粒子效应:
- SEL
TH
:没有LU > 119兆电子伏/毫克/平方厘米
2
封装: 48引脚
AD
-P
AK
扁平封装
工作温度范围:
- 55 125
°
C
分布式V
CC
和GND引脚配置最大限度地减少高
高速开关噪声
支持混合模式信号操作
- 5V的输入电压和输出电压与3.3V V
CC
支持非稳压电池操作低至2.7V
??支持实时插入
总线保持数据输入,无需外部上拉
电阻器
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 54LVTH162373 16位的D-
型锁存器三态输出具有大于100
拉德( Si)的总剂量耐受性,取决于航天飞行任务。
该54LVTH162373是专为低电压( 3.3V )V
CC
操作,但与有能力提供一个TTL接口以
一个5V的系统环境。它是适用于实现缓冲
寄存器,I / O端口,双向总线驱动程序和工作寄存器
存器。该54LVTH162373可以用作两个8位锁存器或
一个16位锁存器。当锁存使能( LE)的输入为低时,
Q输出被锁存于设置在所述数据(D)输入端的电平。
当LE为高电平时,输出Q跟随D输入。一个缓冲
输出使能(OE)输入可用于将8输出
使在任何一个正常的逻辑状态或者高阻抗状态。
在高阻抗状态下,输出没有负载也没有驱动
公交线路显著。高阻抗状态,并在
提高驱动器提供驱动公交线路的能力与 -
出必要的接口或拉组件。 OE不
影响锁存器的内部操作。旧的数据可以保留
的或新的数据可被输入,而输出是在高
阻抗状态。
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽,同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上,R
AD
-P
AK
提供大于100
拉德( Si)的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选来上课S.
1000596
01年12月19日修订版1
所有数据表如有变更,恕不另行通知
1
( 858 ) 503-3300 - 传真: ( 858 ) 503-3301 - www.maxwell.com
2001麦克斯韦技术
版权所有。
P
RELIMINARY
3.3V 16位透明D类
T
ABLE
1. P
INOUT
D
ESCRIPTION
P
IN
1, 24
2, 3, 5, 6, 8, 9, 11, 12
4, 10, 15, 21, 28, 34, 39, 45
7, 31, 42
13, 14, 16, 17, 19, 20, 22, 23
25, 48
26, 27, 29, 30, 32, 31, 32,
33, 35, 36
37, 38, 40, 41, 43, 44, 46, 47
S
YMBOL
1OE-2OE
1Q1-1Q8
GND
V
CC
2Q1-2Q8
2LE-1LE
2D8-2D1
1D8-1D1
输出
电源
输出
LATCH ENABLE
输入
输入
54LVTH162373
D
ESCRIPTION
OUTPUT ENABLE
T
ABLE
2. 54LVTH162373一
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
P
ARAMETER
电源电压范围
输入电压范围
1
电压范围适用于任何输出的高电平状态或关机
状态
1
目前进入低状态的任何输出
目前进入高状态的任何输出
2
输入钳位电流(V
I
< 0 )
输出钳位电流(V
O
< O)
在TA最大功耗= 55
°
C
3
存储温度范围
S
YMBOL
V
CC
V
I
V
O
I
O
I
O
I
IK
I
OK
P
D
T
S
M
IN
-0.5
-0.5
-0.5
--
--
--
--
--
-65
M
AX
4.6
7
7
30
30
-50
-50
0.85
150
U
NIT
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°
C
内存
1.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
只有2.该电流流动时,输出处于高状态和V
O
& GT ; V
CC
.
3.最大的封装功耗使用150结温计算
°
C和750电路板走线长度
密耳。
T
ABLE
3. D
ELTA
L
IMITS
P
ARAMETER
I
CC ( OL )
I
CC ( OH)
I
CC (OD)的
V
ARIATION
± 10%的规定值在表5中
± 10%的规定值在表5中
± 10%的规定值在表5中
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3.3V 16位透明D类
54LVTH162373
S
YMBOL
V
CC
V
IH
V
IL
V
I
I
OH
I
OL
T
A
M
IN
2.7
2
--
--
--
--
--
-55
M
AX
3.6
--
0.8
5.5
-12
12
10
125
U
NIT
V
V
V
V
mA
mA
NS / V
°
C
T
ABLE
4. 54LVTH162373
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS 1
P
ARAMETER
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
输入过渡上升或下降速率(输出使能)
工作温度
t/
v
1.未使用的控制输入必须保持高电平或低电平,以防止它们飘浮。
T
ABLE
5. 54LVTH162373 DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 3.3V ±10 % ,T
A
= -55至125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
输入钳位电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入电流
S
YMBOL
V
IK
V
OH
V
OL
I
I
V
CC
= 2.7
V
CC
= 3V
V
CC
= 3V
V
CC
= 0或3.6V
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 3.6V
保持电流
输出禁用泄漏
电流 - 高
输出禁用泄漏
电流 - 低
通电电流
掉电电流
I
我( HOLD )
V
CC
= 3V
I
OZH
I
OZL
I
OZPU2
I
OZPD2
V
CC
= 3.6V, V
O
= 3V
V
CC
= 3.6V, V
O
= 0.5V
V
CC
= 0 1.5V ,V
O
= 0.5V到3V , OE =不关心
V
CC
= 1.5V至0 ,V
O
= 0.5V到3V , OE =不关心
T
美东时间
C
ONDITIONS
I
I
= -18mA
I
OH
= -12毫安
I
OL
= 12毫安
VI = 5.5V
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
V
I
= 0
V
I
= 0.8V
V
I
= 2V
控制
输入
数据
输入
数据
输入
M
IN
--
2
--
--
--
--
--
75
-75
--
--
--
--
M
AX
-1.2
--
0.8
10
±1
1
-5
--
--
5
-5
±100
±100
A
A
A
A
A
U
NIT
V
V
V
A
内存
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54LVTH162373
M
IN
输出
输出
输出
--
--
--
--
--
--
M
AX
0.19
5
0.19
0.2
8
15
mA
pF
pF
U
NIT
mA
T
ABLE
5. 54LVTH162373 DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 3.3V ±10 % ,T
A
= -55至125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
电源电流
S
YMBOL
I
CC
V
CC
= 3.6V
I
O
= 0
V
I
= V
CC
或GND
T
美东时间
C
ONDITIONS
台达电源电流
输入电容
输入输出电容
I
CC 1
V
CC
= 3V至3.6V ,输入一个在V
CC
-0.6V ,其他投入
在V
CC
或GND
C
I2
C
O2
V
I
= 3V或0
V
O
= 3V或0
1.这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平,而不是V
CC
或GND 。
2.设计保证。
内存
T
ABLE
6. 54LVTH162373 AC ê
LECTRICAL
C
极特
( VCC = 3.3V ±10 % ,T
A
= -55至125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
脉冲持续时间, LE高
建立时间, LE ↑前数据
保持时间, LE ↑后的数据
传播延迟时间
D到Q
传播延迟时间
LE到Q
输出使能时间
OE为Q
输出禁止时间
OE为Q
S
YMBOL
t
W
t
SU
t
H
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
V
CC
= 3.3V ± 0.3V
M
IN
3.3
1.5
1.8
1.3
1.4
2.1
2.1
1.3
1.3
2.0
1.0
M
AX
--
--
--
5.2
4.9
6.0
5.2
8.0
5.5
6.8
7.6
M
IN
3.0
0.6
2
--
--
--
--
--
--
--
--
V
CC
= 2.7V
M
AX
--
--
--
6.0
5.0
6.5
4.9
7.4
6.2
6.9
6.7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
U
NIT
1000596
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3.3V 16位透明D类
fp
54LVTH162373
T
ABLE
7. F
油膏表
(
8-
BIT节
)
输入
OE
L
L
L
H
LE
H
H
L
X
D
H
L
X
X
产量
Q
H
L
Q
0
Z
F
IGURE
1. L
OAD
C
IRCUIT
内存
图注:
1. C
L
包括探头和夹具电容。
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
TEST
t
PLH
/t
PHL
t
PLZ
/t
PZL
t
PHZ
/t
PZH
S1
开放
6V
GND
F
IGURE
2. P
ULSE
D
uration
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
54LVTH162373RPFE
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