【CMOS逻辑六角非反相缓冲器54HC4050逻辑图内存FEATURES:高速CMOS逻辑六角非反相缓】,IC型号54HC4050RPFS,54HC4050RPFS PDF资料,54HC4050RPFS经销商,ic,电子元器件-51电子网

CMOS逻辑六角

非反相缓冲器

54HC4050

逻辑图

内存

F

EATURES

:

高速CMOS逻辑六角非反相缓冲器

R

AD

-P

AK

抗辐射对自然空间辐射

化

单粒子效应：

- SEL ： > 120兆电子伏/毫克/平方厘米

总剂量硬度：

- > 100拉德（SI ），根据航天任务

??包装：

-16引脚

AD

-P

AK

扁平封装

典型传播延迟：

- 为6ns在V

CC

= 5V ，C

L

= 15pF的，T

A

= 25°C

高到低电压电平转换器，用于高达V

I

= 16V

扇出（整个温度范围内）

-10 LSTTL负载（标准输出）

-15 LSTTL负载（总线驱动器输出）

平衡传输延迟和转换时间

相比LSTTL逻辑IC显着降低功耗

- 2V至6V工作

高噪声抗扰度

-N

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

D

ESCRIPTION

:

麦克斯韦技术“ 54HC4050高速CMOS逻辑器件

六角非反相缓冲器设有超过100拉德（SI ）

总剂量耐受性，取决于航天飞行任务。这些

部件有一个修改的输入保护结构，使

它们被用作逻辑电平转换器，将转换

高逻辑电平到低逻辑电平操作时关闭低

电平逻辑电源。例如， 15V的输入脉冲电平可以

下变频为0V至5V的逻辑电平。修改后的输入

保护结构，可以防止负电 - 输入

静电放电。的54HC4050可以用作简单的缓冲的

器或逆变器无需电平转换。

麦克斯韦技术的专利

AD

-P

AK

封装技

术采用辐射屏蔽的微电路封装

年龄。它省去了盒屏蔽，同时提供

所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生

使命。在地球同步轨道上，R

AD

-P

AK

提供大于100

拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产品可

与筛选来上课S.

1000587

01年12月19日修订版1

所有数据表如有变更，恕不另行通知

1

（ 858 ） 503-3300 - 传真：（ 858 ） 503-3301 - www.maxwell.com

2001麦克斯韦技术。

CMOS逻辑六角非反相缓冲器

T

ABLE

1. 54HC4050 P

INOUT

D

ESCRIPTIONS

P

IN

1

8

13, 16

3, 5, 7, 9, 11, 14

2

4

6

10

12

15

S

YMBOL

V

CC

V

SS

NC

A-F

G =一

H'B

IC

J =

K =

L F

D

ESCRIPTION

电源

地

没有连接

输入

缓冲输出

54HC4050

内存

T

ABLE

2. 54HC4050一

BSOLUTE

M

AXIMUM

R

ATINGS

P

ARAMETER

储存温度

工作温度范围

直流电源电压

DC输入二极管电流

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+0.5V

DC输出二极管电流

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+0.5V

DC输出源或汇每路输出引脚电流

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+0.5V

DC V

CC

或接地电流

S

YMBOL

T

S

T

A

V

CC

I

IK

I

OK

I

O

I

CC

还是我

GND

M

IN

-65

-55

-0.5

-20

-25

-50

M

AX

150

125

7.0

+20

+25

+50

U

NIT

°C

V

mA

T

ABLE

3. D

ELTA

L

IMITS

P

ARAMETER

I

CC

V

ARIATION

± 10％的规定值在表5中

1000587

01年12月19日修订版1

所有数据表如有变更，恕不另行通知

2

2001麦克斯韦技术。

CMOS逻辑六角非反相缓冲器

T

ABLE

4. 54HC4050

ECOMMENDED

O

操作摄像机

C

ONDITIONS

P

ARAMETER

电源电压

DC输入或输出电压

输入上升和下降时间

2V

4.5V

6V

温度范围

T

A

S

YMBOL

V

CC

V

I

, V

O

M

IN

2

0

--

1000

500

400

-55

125

M

AX

6

V

CC

54HC4050

U

NIT

V

ns

°C

T

ABLE

5. 54HC4050 DC ê

LECTRICAL

C

极特

(V

CC

= 5V ±10 ％，T

A

= -55

TO

125°C,

除非另有说明

)

P

ARAMETER

高电平输出电压

CMOS负载

S

YMBOL

V

OH

T

美东时间

C

ONDITIONS

V

I

= V

IH

或V

IL

, I

O

= -0.02mA

V

CC

= 2V

V

CC

= 4.5V

V

CC

= 6V

V

I

= V

IH

或V

IL

, I

O

= -4mA

V

CC

= 4.5V

V

I

= V

IH

或V

IL

, I

O

= -5.2mA

V

CC

= 6V

低电平输出电压

CMOS负载

V

OL

V

I

= V

IH

或V

IL

, I

O

= -0.02mA

V

CC

= 2V

V

CC

= 4.5V

V

CC

= 6V

V

I

= V

IH

或V

IL

, I

O

= 4毫安

V

CC

= 4.5V

V

I

= V

IH

或V

IL

, I

O

= 5.2毫安

V

CC

= 6V

高电平输入电压

V

IH

V

CC

= 2V

V

CC

= 4.5V

V

CC

= 6V

V

CC

= 2V

V

CC

= 4.5V

V

CC

= 6V

V

CC

= 6V, V

I

= V

CC

或GND

V

CC

= 6V, V

I

= 15V

+25°C

-55到125°C

+25°C

-55到125°C

1000587

01年12月19日修订版1

M

IN

1.9

4.4

5.9

+25°C

-55到125°C

+25°C

-55到125°C

3.98

3.7

5.48

5.2

M

AX

--

U

NIT

V

内存

高电平输出电压

TTL负载

V

0.1

+25°C

-55到125°C

+25°C

-55到125°C

0.26

0.4

0.36

0.4

1.5

3.15

4.2

--

0.5

1.35

1.8

±0.1

±1

±0.5

±5

V

低电平输出电压

TTL负载

低电平输入电压

V

IL

V

输入漏电流

I

A

所有数据表如有变更，恕不另行通知

3

2001麦克斯韦技术。

CMOS逻辑六角非反相缓冲器

T

ABLE

5. 54HC4050 DC ê

LECTRICAL

C

极特

(V

CC

= 5V ±10 ％，T

A

= -55

TO

125°C,

除非另有说明

)

P

ARAMETER

静态电流器件

S

YMBOL

I

CC

T

美东时间

C

ONDITIONS

V

I

= V

CC

或GND ，我

O

= 0毫安

V

CC

= 6V

+25°C

-55到125°C

M

IN

--

54HC4050

M

AX

2

40

U

NIT

A

T

ABLE

6. 54HC4050交流ê

LECTRICAL

C

极特

(V

CC

= 5V ±10 ％，T

A

= -55

TO

125°C,

除非另有说明

)

P

ARAMETER

传播延时

nA至纽约

S

YMBOL

t

PLH ，

t

PHL

C

L

= 50pF的

V

CC

= 2V

V

CC

= 4.5V

V

CC

= 6V

转换时间

（图1）

t

TLH ，

t

THL

C

L

= 50pF的

V

CC

= 2V

V

CC

= 4.5V

V

CC

= 6V

T

美东时间

C

ONDITION

+25°C

--

-55到125°C

+25°C

-55到125°C

+25°C

-55到125°C

+25°C

--

-55到125°C

+25°C

-55到125°C

+25°C

-55到125°C

--

75

110

15

22

13

19

--

85

130

17

26

M

IN

M

AX

U

NIT

ns

内存

14

22

ns

T

ABLE

7. 54HC4050

APACITANCE1

P

ARAMETER

输入电容

功率耗散电容

2, 3

1.

通过设计保证。

2. C

PD

被用于确定所述动态功耗，每个门。

3. P

D

= V

CC2

网络连接（C

PD

+ C

L

），其中Fi =输入频率，C

L

=输出负载电容，V

CC

=电源电压。

S

YMBOL

C

I

C

PD

V

CC

= 5V

T

美东时间

C

ONDITIONS

M

AX

10

35

U

NIT

pF

1000587

01年12月19日修订版1

所有数据表如有变更，恕不另行通知

4

2001麦克斯韦技术。

CMOS逻辑六角非反相缓冲器

54HC4050

F

IGURE

1. T

RANSITION

T

IMES和

P

ROPOGATION

D

ELAY

T

IMES

, C

OMBINATION

L

逻辑

内存

1000587

01年12月19日修订版1

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5

2001麦克斯韦技术。

CMOS逻辑六角

非反相缓冲器

54HC4050

逻辑图

内存

F

EATURES

:

高速CMOS逻辑六角非反相缓冲器

R

AD

-P

AK

抗辐射对自然空间辐射

化

单粒子效应：

- SEL ： > 120兆电子伏/毫克/平方厘米

总剂量硬度：

- > 100拉德（SI ），根据航天任务

??包装：

-16引脚

AD

-P

AK

扁平封装

典型传播延迟：

- 为6ns在V

CC

= 5V ，C

L

= 15pF的，T

A

= 25°C

高到低电压电平转换器，用于高达V

I

= 16V

扇出（整个温度范围内）

-10 LSTTL负载（标准输出）

-15 LSTTL负载（总线驱动器输出）

平衡传输延迟和转换时间

相比LSTTL逻辑IC显着降低功耗

- 2V至6V工作

高噪声抗扰度

-N

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

D

ESCRIPTION

:

麦克斯韦技术“ 54HC4050高速CMOS逻辑器件

六角非反相缓冲器设有超过100拉德（SI ）

总剂量耐受性，取决于航天飞行任务。这些

部件有一个修改的输入保护结构，使

它们被用作逻辑电平转换器，将转换

高逻辑电平到低逻辑电平操作时关闭低

电平逻辑电源。例如， 15V的输入脉冲电平可以

下变频为0V至5V的逻辑电平。修改后的输入

保护结构，可以防止负电 - 输入

静电放电。的54HC4050可以用作简单的缓冲的

器或逆变器无需电平转换。

麦克斯韦技术的专利

AD

-P

AK

封装技

术采用辐射屏蔽的微电路封装

年龄。它省去了盒屏蔽，同时提供

所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生

使命。在地球同步轨道上，R

AD

-P

AK

提供大于100

拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产品可

与筛选来上课S.

1000587

01年12月19日修订版1

所有数据表如有变更，恕不另行通知

1

（ 858 ） 503-3300 - 传真：（ 858 ） 503-3301 - www.maxwell.com

2001麦克斯韦技术。

CMOS逻辑六角非反相缓冲器

T

ABLE

1. 54HC4050 P

INOUT

D

ESCRIPTIONS

P

IN

1

8

13, 16

3, 5, 7, 9, 11, 14

2

4

6

10

12

15

S

YMBOL

V

CC

V

SS

NC

A-F

G =一

H'B

IC

J =

K =

L F

D

ESCRIPTION

电源

地

没有连接

输入

缓冲输出

54HC4050

内存

T

ABLE

2. 54HC4050一

BSOLUTE

M

AXIMUM

R

ATINGS

P

ARAMETER

储存温度

工作温度范围

直流电源电压

DC输入二极管电流

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+0.5V

DC输出二极管电流

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+0.5V

DC输出源或汇每路输出引脚电流

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+0.5V

DC V

CC

或接地电流

S

YMBOL

T

S

T

A

V

CC

I

IK

I

OK

I

O

I

CC

还是我

GND

M

IN

-65

-55

-0.5

-20

-25

-50

M

AX

150

125

7.0

+20

+25

+50

U

NIT

°C

V

mA

T

ABLE

3. D

ELTA

L

IMITS

P

ARAMETER

I

CC

V

ARIATION

± 10％的规定值在表5中

1000587

01年12月19日修订版1

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2

2001麦克斯韦技术。

CMOS逻辑六角非反相缓冲器

T

ABLE

4. 54HC4050

ECOMMENDED

O

操作摄像机

C

ONDITIONS

P

ARAMETER

电源电压

DC输入或输出电压

输入上升和下降时间

2V

4.5V

6V

温度范围

T

A

S

YMBOL

V

CC

V

I

, V

O

M

IN

2

0

--

1000

500

400

-55

125

M

AX

6

V

CC

54HC4050

U

NIT

V

ns

°C

T

ABLE

5. 54HC4050 DC ê

LECTRICAL

C

极特

(V

CC

= 5V ±10 ％，T

A

= -55

TO

125°C,

除非另有说明

)

P

ARAMETER

高电平输出电压

CMOS负载

S

YMBOL

V

OH

T

美东时间

C

ONDITIONS

V

I

= V

IH

或V

IL

, I

O

= -0.02mA

V

CC

= 2V

V

CC

= 4.5V

V

CC

= 6V

V

I

= V

IH

或V

IL

, I

O

= -4mA

V

CC

= 4.5V

V

I

= V

IH

或V

IL

, I

O

= -5.2mA

V

CC

= 6V

低电平输出电压

CMOS负载

V

OL

V

I

= V

IH

或V

IL

, I

O

= -0.02mA

V

CC

= 2V

V

CC

= 4.5V

V

CC

= 6V

V

I

= V

IH

或V

IL

, I

O

= 4毫安

V

CC

= 4.5V

V

I

= V

IH

或V

IL

, I

O

= 5.2毫安

V

CC

= 6V

高电平输入电压

V

IH

V

CC

= 2V

V

CC

= 4.5V

V

CC

= 6V

V

CC

= 2V

V

CC

= 4.5V

V

CC

= 6V

V

CC

= 6V, V

I

= V

CC

或GND

V

CC

= 6V, V

I

= 15V

+25°C

-55到125°C

+25°C

-55到125°C

1000587

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M

IN

1.9

4.4

5.9

+25°C

-55到125°C

+25°C

-55到125°C

3.98

3.7

5.48

5.2

M

AX

--

U

NIT

V

内存

高电平输出电压

TTL负载

V

0.1

+25°C

-55到125°C

+25°C

-55到125°C

0.26

0.4

0.36

0.4

1.5

3.15

4.2

--

0.5

1.35

1.8

±0.1

±1

±0.5

±5

V

低电平输出电压

TTL负载

低电平输入电压

V

IL

V

输入漏电流

I

A

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3

2001麦克斯韦技术。

CMOS逻辑六角非反相缓冲器

T

ABLE

5. 54HC4050 DC ê

LECTRICAL

C

极特

(V

CC

= 5V ±10 ％，T

A

= -55

TO

125°C,

除非另有说明

)

P

ARAMETER

静态电流器件

S

YMBOL

I

CC

T

美东时间

C

ONDITIONS

V

I

= V

CC

或GND ，我

O

= 0毫安

V

CC

= 6V

+25°C

-55到125°C

M

IN

--

54HC4050

M

AX

2

40

U

NIT

A

T

ABLE

6. 54HC4050交流ê

LECTRICAL

C

极特

(V

CC

= 5V ±10 ％，T

A

= -55

TO

125°C,

除非另有说明

)

P

ARAMETER

传播延时

nA至纽约

S

YMBOL

t

PLH ，

t

PHL

C

L

= 50pF的

V

CC

= 2V

V

CC

= 4.5V

V

CC

= 6V

转换时间

（图1）

t

TLH ，

t

THL

C

L

= 50pF的

V

CC

= 2V

V

CC

= 4.5V

V

CC

= 6V

T

美东时间

C

ONDITION

+25°C

--

-55到125°C

+25°C

-55到125°C

+25°C

-55到125°C

+25°C

--

-55到125°C

+25°C

-55到125°C

+25°C

-55到125°C

--

75

110

15

22

13

19

--

85

130

17

26

M

IN

M

AX

U

NIT

ns

内存

14

22

ns

T

ABLE

7. 54HC4050

APACITANCE1

P

ARAMETER

输入电容

功率耗散电容

2, 3

1.

通过设计保证。

2. C

PD

被用于确定所述动态功耗，每个门。

3. P

D

= V

CC2

网络连接（C

PD

+ C

L

），其中Fi =输入频率，C

L

=输出负载电容，V

CC

=电源电压。

S

YMBOL

C

I

C

PD

V

CC

= 5V

T

美东时间

C

ONDITIONS

M

AX

10

35

U

NIT

pF

1000587

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CMOS逻辑六角非反相缓冲器

54HC4050

F

IGURE

1. T

RANSITION

T

IMES和

P

ROPOGATION

D

ELAY

T

IMES

, C

OMBINATION

L

逻辑

内存

1000587

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2001麦克斯韦技术。