54FCT573八路D类锁存器与三态输出
1998年8月
54FCT573
八D型锁存与TRI -STATE
输出
概述
在“ FCT573是常见的缓冲锁存器的锁存八
使能（ LE ）和缓冲常见的输出使能（ OE ） IN-
放。
该装置在功能上等同于“ FCT373但现在
不同的引脚。
特点
n
在包的两侧输入和输出允许
简单的接口与微处理器
n
有用的，作为微处理器的输入或输出端口
n
TTL输入，兼容输出电平
n
CMOS的功耗
n
功能上等同于“ FCT373
n
三态输出的总线接口
n
32 mA输出吸收能力，源能力
12毫安
n
标准微电路图纸（ SMD ） 5962-8863901
订购代码
军事
54FCT573DMQB
54FCT573FMQB
54FCT573LMQB
包
数
J20A
W20A
E20A
20引脚陶瓷双列直插式
20引脚Cerpack
20引脚陶瓷无引线芯片载体， C型
包装说明
接线图
引脚分配
对于DIP和CERPACK
引脚分配
对于LCC
DS100951-39
DS100951-1
针
名字
D
0
–D
7
LE
OE
O
0
–O
7
数据输入
描述
锁存使能输入（高电平有效）
三态输出使能输入
（低电平有效）
三态输出锁存
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
1999美国国家半导体公司
DS100951
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54FCT573
功能说明
在“ FCT573包含八个D型锁存器TRI -STATE
输出缓冲器。当锁存使能（ LE ）输入为高电平，
在D个数据
n
输入端进入锁存器。在这种状态下
锁存器是透明的，也就是说，锁存器输出将改变状态
它的每一个D输入转换时间。当LE为低电平时，锁存器
在D输入一个存储存在的信息
LE的高到低转换前的设置时间。该
三态缓冲器由所述输出控制使能（ OE）的
输入。当OE是低电平时，缓冲区中的双态模式。
当OE为高电平的缓冲器是处于高阻抗
模式，但这并不与输入新的数据到干扰
所述锁存器。
OE
L
L
L
H
H
H
L
X
功能表
输入
LE
D
H
L
X
X
输出
O
H
L
O
0
Z
H =高电压等级
L =低电压等级
X =非物质
O
0
=从以前的时钟周期储值
逻辑图
DS100951-3
请注意，该图仅用于逻辑操作的理解提供的，不应该被用来估计的传播延迟。
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54FCT573
AC电气特性
符号
参数
54FCT
T
A
= -55 ° C至+ 125°C
V
CC
= 4.5V至5.5V
C
L
= 50 pF的
民
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
输出禁止时间
时间
传播延迟
D
n
与O
n
传播延迟
LE与O
n
输出使能时间
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
8.5
8.5
15.0
15.0
13.5
13.5
10.0
10.0
ns
ns
ns
ns
单位
图。
号
图4
图4
图6
图6
AC操作要求
符号
参数
54FCT
T
A
= -55 ° C至+ 125°C
V
CC
= 4.5V至5.5V
C
L
= 50 pF的
民
t
s
(H)
t
s
(L)
t
h
(H)
t
h
(L)
t
w
(H)
设置时间，高
或D越低
n
以LE
保持时间，高
或D越低
n
以LE
脉冲宽度，
乐高
2.0
2.0
1.5
1.5
6.0
ns
ns
最大
ns
单位
图。
号
图7
图7
图5
电容
符号
C
IN
C
OUT
（注3）
参数
输入电容
输出电容
最大
10
12
单位
pF
pF
条件
(T
A
= 25C)
V
CC
= 0V
V
CC
= 5.0V
注3 ：
C
OUT
测量频率f = 1元MIL -STD- 883B ，方法3012兆赫。
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