军事数据表
MN54F563 -X REV 1A0
原始创建日期： 96年5月7日
最后更新日期： 96年7月30日
最后一个主要的修订日期： 96年5月7日
八D型锁存器与三态输出
概述
在F563是一种高速八进制锁存器与常见的缓冲锁存使能（ LE ）和缓冲
常见的输出使能（ OE ）输入。
该装置在功能上张玉峰到F573 ，但反相输出。
工业编号
54F563
NS零件编号
54F563DMQB
54F563FMQB
54F563LMQB
总理模
M563
处理
MIL -STD -883方法5004
Subgrp说明
1
2
3
4
5
6
7
8A
8B
9
10
11
在静态测试
在静态测试
在静态测试
在动态测试
在动态测试
在动态测试
在功能测试
在功能测试
在功能测试
开关在试验
开关在试验
开关在试验
温度（
o
C)
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
质量一致性检验
MIL -STD -883方法5005
1
MN54F563 -X REV 1A0
军事数据表
电气特性
DC参数
（以下条件适用于以下所有参数，除非另有说明）。
DC ： VCC为4.5V至5.5V ，温度范围： -55℃ 125℃
符号
IIH
IBVI
IIL
VOL
VOH
VOH3
IOS
VCD
ICC
ICEX
IOZH
IOZL
参数
输入高
当前
输入高
当前
输入低电平电流
输出低
电压
输出高
电压
输出高
电压
短路
当前
输入钳位二极管
电压
电源电流
输出高
漏电流
输出漏
当前
输出漏
当前
条件
VCC = 5.5V ， VM = 2.7V ， VINH = 5.5V
VCC = 5.5V ， VM = 7.0V ， VINH = 5.5V
VCC = 5.5V ， VM = 0.5V ， VINH = 5.5V
VCC = 4.5V ， VIL = 0.8V ， IOL = 20mA时，
VIH = 2.0V ， VINH = 5.5V
VCC = 4.5V ， VIL = 0.8V ， VIH = 2.0V ，
IOH = -1.0mA ， VINH = 5.5V
VCC = 4.5V ， VIL = 0.8V ， VIH = 2.0V ，
VINH = 5.5V ， IOH = -3.0mA
VCC = 5.5V ， VM = 0.0V ， VINH = 5.5V ，
VINL=0.0V
VCC = 4.5V ， IM = -18mA
VCC = 5.5V ， VINH = 5.5V ， VINL = 0.0V
VCC = 5.5V ， VINH = 5.5V ， VINL = 0.0V ，
VM=5.5V
VCC = 5.5V ， VM = 2.7V ， VIH = 2.0V ， VINH = 5.5V
VCC = 5.5V ， VM = 0.5V ， VIH = 2.0V ，
VINL = 0.0V ， VINH = 5.5V
笔记
PIN的
名字
民
最大
20
100
-0.6
0.5
单位
uA
uA
mA
V
V
V
-150
-1.2
61
250
50
-50
mA
V
mA
uA
uA
uA
SUB -
群体
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1, 2,
3
1 ， 3个输入
1 ， 3个输入
1 ， 3个输入
1 ， 3个输出
1 ， 3个输出2.5
1 ， 3个输出2.4
1 ， 3个输出-60
1 ， 3个输入
1,3 VCC
1 ， 3个输出
1 ， 3个输出
1 ， 3个输出
4
MN54F563 -X REV 1A0
军事数据表
电气特性
AC参数
（以下条件适用于以下所有参数，除非另有说明）。
AC ： CL = 50pF的， RL = 500欧姆， TR =为2.5ns ， TF =为2.5ns
看到AC图
符号
tpLH(1)
参数
传播延迟
条件
VCC = 5.0V @ 25℃ ， VCC = 4.5V & @ 5.5V
-55/125C
笔记
PIN的
名字
民
3.5
3.0
2.5
2.0
4.5
4.0
3.0
2.5
2.0
2.0
3.0
2.5
1.5
1.5
1.5
2.0
3.0
4.0
最大
8.5
10.5
6.5
7.5
9.5
11.0
7.0
7.5
7.5
9.5
8.5
10.0
5.5
7.0
5.5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
SUB -
群体
9
10, 11
9
10, 11
9
11, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9, 10,
11
9, 10,
11
9, 10,
11
9, 10,
11
2,4 Dn得
On
2,4 Dn得
On
tpHL(1)
传播延迟
VCC = 5.0V @ 25℃ ， VCC = 4.5V & @ 5.5V
-55/125C
2,4 Dn得
On
2,4 Dn得
On
tpLH(2)
传播延迟
VCC = 5.0V @ 25℃ ， VCC = 4.5V & @ 5.5V
-55/125C
2 ， 4 LE到
On
2 ， 4 LE到
On
tpHL(2)
传播延迟
VCC = 5.0V @ 25℃ ， VCC = 4.5V & @ 5.5V
-55/125C
2 ， 4 LE到
On
2 ， 4 LE到
On
tpZH
OUTPUT ENABLE
时间
VCC = 5.0V @ 25℃ ， VCC = 4.5V & @ 5.5V
-55/125C
2 ， 4 ，以OE
On
2 ， 4 ，以OE
On
tPZL
OUTPUT ENABLE
时间
VCC = 5.0V @ 25℃ ， VCC = 4.5V & @ 5.5V
-55/125C
2 ， 4 ，以OE
On
2 ， 4 ，以OE
On
tPHZ
输出禁用
时间
VCC = 5.0V @ 25℃ ， VCC = 4.5V & @ 5.5V
-55/125C
2 ， 4 ，以OE
On
2 ， 4 ，以OE
On
tPLZ
TS（ H / L）
第（ H / L）
总重量（H ）
输出禁用
时间
设置历史新高
或低
保持时间
或低
脉冲宽度
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
高
VCC = 5.0V @ 25℃ ， VCC = 4.5V & @ 5.5V
-55/125C
VCC = 5.0V @ 25℃ ， VCC = 4.5V & @ 5.5V
-55/125C
VCC = 5.0V @ 25℃ ， VCC = 4.5V & @ 5.5V
-55/125C
VCC = 5.0V @ 25℃ ， VCC = 4.5V & @ 5.5V
-55/125C
2 ， 4 ，以OE
On
5
5
5
DN来
LE
DN来
LE
LE
屏幕上的每个设备上，在-55℃ ， + 25℃ & + 125 ℃的温度，群A1测试的100 ％ ，
2，第3 ，第7 & 8 。
屏幕上的每个设备上，在25 ℃的温度只，小组A9测试100 ％ 。
样品上测试的每个制作所（方法5005 ，表1）。很多在25 ℃， 125 & -55℃温度，
分组A 1， 2，3， 7 & 8 。
样品测试在每制作所（方法5005 ，表1）。很多在+ 25℃小组A9 ， &
定期在125 & -55℃温度，亚10 & 11 。
5
54F 74F563八路D类锁存器与三态输出
1995年5月
54F 74F563
八D型锁存器与三态输出
概述
的“ F563是一种高速八进制锁存与缓冲常见
锁存使能（ LE ）和缓冲的共同输出使能
（OE）输入
该装置在功能上等同于“ F573 ，但有
反向输出
特点
Y
Y
Y
关于包的相对侧的输入和输出
让简单的接口与微处理器
有用的，作为微处理器的输入或输出端口
功能上等同于“ F573
广告
74F563PC
军事
包
数
N20A
包装说明
20引脚（ 0 300广角）模压双列直插式
20引脚陶瓷双列直插式
20引脚（ 0 300广角）模压小外形JEDEC
20引脚（ 0 300广角）模压小外形EIAJ
20引脚Cerpack
20引脚陶瓷无引线芯片载体C型
54F563DM （注2）
74F563SC （注1 ）
74F563SJ （注1 ）
54F563FM （注2）
54F563LM （注2）
J20A
M20B
M20D
W20A
E20A
注1
也可在13盘使用后缀设备
e
SCX和SJX
注2
军用级设备与环境和老化处理中使用的后缀
e
DMQB FMQB和LMQB
逻辑符号
IEEE IEC
TL F 9562 - 3
TL F 9562 - 5
单位荷载扇出
54F 74F
引脚名称
描述
UL
高低
10 10
10 10
10 10
150 40 (33 3)
输入I
IH
I
IL
输出I
OH
I
OL
20
mA
b
0 6毫安
20
mA
b
0 6毫安
20
mA
b
0 6毫安
b
3毫安24毫安（20 mA）的
D
0
–D
7
LE
OE
O
0
–O
7
数据输入
锁存使能输入（高电平有效）
三态输出使能输入（低电平有效）
三态输出锁存
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 9562
RRD - B30M75印制在U S A
连接图
引脚分配
DIP SOIC和Flatpak
引脚分配
对于LCC
TL F 9562 - 2
TL F 9562- 1
功能说明
在' F563包含八个D型锁存与TRI -STATE
输出缓冲器当锁存使能（ LE ）输入为高电平
在D个数据
n
输入端进入锁存器在此状态下
锁存器是透明的国际能源署（IEA）锁存器输出将改变
说明它的每一个D输入转换时间当LE为低电平时，
锁存器存储存在的D输入信息
提出的高到低的跳变之前的准备时间
LE的该三态缓冲器由所述输出控制
启用（ OE ）输入当OE是低电平的缓冲区中
双态模式当OE为高电平时的缓冲区中高
阻抗模式，但这并不与进入干涉
新的数据进入锁存器
输入
OE
H
H
H
H
L
L
L
LE
X
H
H
L
H
H
L
D
X
L
H
X
L
H
X
功能表
国内
Q
X
H
L
NC
H
L
NC
产量
O
Z
Z
Z
Z
H
L
NC
高Z
高Z
高Z
LATCHED
透明
透明
LATCHED
功能
H
e
高电压电平
L
e
低电压电平
X
e
非物质
Z
e
高阻抗
NC
e
没有变化
逻辑图
TL F 9562 - 4
请注意，该图仅用于逻辑操作的理解提供的，不应该被用来估计的传播延迟
2
AC电气特性
74F
符号
参数
民
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
传播延迟
D
n
与O
n
传播延迟
LE与O
n
输出使能时间
输出禁止时间
35
25
45
30
20
30
15
15
T
A
E A
25 C
V
CC
E A
5 0V
C
L
e
50 pF的
典型值
最大
85
65
95
70
75
85
55
55
54F
T
A
V
CC
e
米尔
C
L
e
50 pF的
民
30
20
40
25
20
25
15
15
最大
10 5
75
11 0
75
95
10 0
70
55
74F
T
A
V
CC
e
COM
C
L
e
50 pF的
民
30
20
40
25
20
15
15
15
最大
95
70
10 5
70
90
95
65
55
ns
ns
单位
ns
AC操作要求
74F
符号
参数
T
A
E A
25 C
V
CC
E A
5 0V
民
t
s
(H)
t
s
(L)
t
h
(H)
t
h
(L)
t
w
(H)
建立时间高或低
D
n
以LE
保持时间高或低
D
n
以LE
LE脉冲宽高
20
20
30
30
40
最大
54F
T
A
V
CC
e
米尔
民
20
20
30
30
40
最大
74F
T
A
V
CC
e
COM
民
20
20
30
30
40
最大
ns
ns
ns
单位
订购信息
设备号被用于形成一个简化采购的代码，其中所述包类型和温度范围内是部分
定义如下
74F
温度范围：家庭
74F
e
广告
54F
e
军事
设备类型
封装代码
P
e
塑料DIP
D
e
陶瓷DIP
F
e
Flatpak
L
e
无引线芯片载体（ LCC ）
S
e
小外形封装SOIC JEDEC
SJ
e
小外形EIAJ SOIC
563
S
C
X
特殊变化
X
e
设备出货量在13卷轴
QB
e
军工级器件
环境和老化
处理运管
温度范围
C
e
商用（ 0℃至
a
70 C)
M
e
军事（
b
55 ℃
a
125 C)
4
QQ：2881677436 复制
