54BCT245
八路缓冲器收发器
内存
逻辑图
F
EATURES
:
三态输出驱动总线或缓冲存储器地址
注册
R
AD
-P
AK *
抗辐射对自然空间辐射
化
总剂量硬度：
- > 100拉德（SI ） ，根据航天任务
??包装：
- 20针
AD
-P
AK *
扁平封装
工作温度范围： -55 + 125°C
双CMOS设计
?? ESD保护超过2000V
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 54BCT245八路总线收发器为特色的
Tures的一个大于100拉德（ Si）的总剂量耐受性。该
54BCT245是异步commu-专
数据总线之间讯。该54BCT245传输数据
从A路公交车到B总线或从B总线到A总线
根据水平方向的控制（DIR）输入。
输出使能（OE）输入可用于禁用
装置，使公交车被有效隔离。
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽，同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上，R
AD
-P
AK
提供大于100
拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选来上课S.
02年7月25日第5版
所有数据表如有变更，恕不另行通知
1
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2002麦克斯韦技术
版权所有。
八路缓冲器收发器
T
ABLE
1. P
INOUT
D
ESCRIPTION
P
IN
1
2-9
10
11-18
19
20
S
YMBOL
DIR
A1-A8
GND
B8-B1
OE
V
CC
D
ESCRIPTION
方向控制输入
双向I / O与三态
地
双向I / O与三态
OUTPUT ENABLE
电力供应
54BCT245
T
ABLE
2. 54BCT245一
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS 1
P
ARAMETER
电源电压范围
输入电压范围
控制输入3 / I / O端口
2
I / O端口
3
电压范围适用于任何输出的禁用或断电
状态
电压范围适用于任何输出为高电平状态
目前进入低状态的任何输出
总功率耗散@ T
A
= +55
°
C
3
输入钳位电流
工作温度范围
存储温度范围
S
YMBOL
V
CC
V
I
-0.5
-0.5
V
O
V
O
I
O
P
D
I
IK
(V
I
< 0 ）
T
A
T
S
-0.5
-0.5
--
--
--
-55
-65
7.0
5.5
7.0
V
CC
96
651
-30
125
150
V
V
mA
mW
mA
°C
°C
M
IN
-0.5
M
AX
7.0
U
NIT
内存
V
V
1.强调以上的绝对最大额定值可能会导致器件的永久性损坏。在马克西扩展操作
妈妈级别可能会降低性能并影响可靠性。
2.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3.必须能够承受额外的P
D
由于短路测试，例如我
DS
。在P
D
数基于直流值。
T
ABLE
3. D
ELTA
L
IMITS
P
ARAMETER
I
CC （ OL ）
I
CC （ OH）
I
CC （OD）的
V
ARIATION
± 10％的规定值在表5中
± 10％的规定值在表5中
± 10％的规定值在表5中
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2
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54BCT245
T
ABLE
4. 54BCT245
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS1
P
ARAMETER
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电流
一个端口
B端口
低电平输出电流
一个端口
B端口
输入钳位电流
热阻抗 - 扁平封装
工作温度
S
YMBOL
V
CC
V
IH
V
IL
I
OH
M
IN
4.5
2.0
--
--
-3
-12
I
OL
--
20
48
I
IK
--
--
-55
-18
5.56
125
mA
° C / W
°
C
M
AX
5.5
--
0.8
U
NIT
V
V
V
mA
mA
Θ
JC
T
A
内存
1.所有未使用的控制输入必须保持高电平或低电平，以保证器件正常工作。
T
ABLE
5. 54BCT245 DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55
°
C
TO
125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
输入钳位电压
高电平输出电压
S
YMBOL
V
IK
V
OH
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 4.5 V端口A
端口B
低电平输出电压
输入电流
高电平输入电流
1
低电平输入电流
2
输出短路电流
2
电源电流，高输出
电源电流，输出低电平
V
OL
I
I
I
IH
I
IL
I
OS
I
CCH
I
CCL
V
CC
= 4.5 V端口A
端口B
V
CC
= 5.5 V A或B口
控制输入
V
CC
= 5.5 V A或B口
控制输入
V
CC
= 5.5 V A或B口
控制输入
V
CC
= 5.5 V端口
B端口
A到B
A到B
V
CC
= 5.5 V
V
CC
= 5.5 V
1, 2, 3
1, 2, 3
V
O
= 0 V
1, 2, 3
-60
-100
--
--
V
IN
= 0.5 V
1, 2, 3
V
I
= 2.7 V
1, 2, 3
--
--
--
T
美东时间
C
ONDITIONS
I
I
= -18.0毫安
I
OH
= -1毫安
I
OH
= -3毫安
I
OH
= -3毫安
I
OH
= -12毫安
I
OL
= 20毫安
I
OL
= 48毫安
V
I
= 5.5V
1, 2, 3
1, 2, 3
S
UBGROUPS
1, 2, 3
1, 2, 3
M
IN
--
2.5
2.4
2.4
2
--
--
M
AX
-1.2
--
--
--
--
0.5
0.55
1
0.1
70
20
-0.65
-1.2
-150
-225
57
90
mA
mA
mA
A
A
mA
mA
V
U
NIT
V
V
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T
ABLE
5. 54BCT245 DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55
°
C
TO
125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
电源电流，输出显示
体健为高阻状态
输入电容
输入输出电容
S
YMBOL
I
CCZ
C
i3
C
io3
V
CC
= 5.5 V
V
I
= 2.5 V或控制输入V
CC
= 5.5 V
0.5V
V
CC
= 5.5 V
A到B
B到A
V
I
= 2.5 V或
0.5 V
T
美东时间
C
ONDITIONS
S
UBGROUPS
1, 2, 3
1, 2, 3
54BCT245
M
IN
--
M
AX
15
7
9
12
U
NIT
mA
pF
pF
1.对于I / O端口，参数我
IH
我
IL
包括在关断状态的输出电流。
2.不超过一个输出应在同一时间被短路和测试的持续时间不得超过一秒。
3.通过设计保证。
T
ABLE
6. 54BCT245 AC ê
LECTRICAL
C
极特
内存
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55
°
C
TO
125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
传播延迟时间
从A或B至B或A
S
YMBOL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
输出使能时间
OE到Yn
t
PZH
t
PZL
t
PZH
t
PZL
输出禁止时间
OE到Yn
t
PHZ
t
PLZ
t
PHZ
t
PLZ
T
美东时间
C
ONDITIONS
V
CC
= 4.5 5.5 V
R
1
= 500
T
A
= -55 + 125
°
C
V
CC
= 5.0 V
R
1
= 500
T
A
= +25
°
C
V
CC
= 4.5 5.5 V
R
1
= 500
T
A
= -55 + 125
°
C
V
CC
= 5.0 V
R
1
= 500
T
A
= +25
°
C
V
CC
= 4.5 5.5 V
R
1
= 500
T
A
= -55 + 125
°
C
V
CC
= 5.0 V
R
1
= 500
T
A
= +25
°
C
C
L
= 50 pF的
R
2
= 500
C
L
= 50 pF的
R
2
= 500
9, 10, 11
C
L
= 50 pF的
R
2
= 500
C
L
= 50 pF的
R
2
= 500
9, 10, 11
C
L
= 50 pF的
R
2
= 500
C
L
= 50 pF的
R
2
= 500
S
UBGROUPS
9, 10, 11
M
IN
1
1.5
1
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
M
AX
7.2
7.6
6
6.6
11.2
11.8
9.4
10.2
9.7
9.6
8.3
7.8
ns
ns
U
NIT
ns
02年7月25日修订版1
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4
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