S I 5 3 0 / 5 31
P
L I M I N A R
D
助教
S
ê （E T）
C
R的TA L
O
S·C I L L A T O服务
（XO）
（ 10 M·H
T O服务
1.4克
Z
)
特点
适用于任何速率输出
从10兆赫至945兆赫的频率
并选择频率为1.4 GHz的
第三代DSPLL
具有超强的
抖动性能
3倍优于频率稳定度
基于SAW的振荡器
内部固定晶振频率
确保高可靠性和低
老化
可用CMOS ， LVPECL ，
LVDS和CML输出
3.3 ， 2.5 ，和1.8 V电源选项
行业标准的5× 7毫米
封装和引脚排列，
无铅/符合RoHS标准
Si5602
订货信息：
请参见第6页。
应用
SONET / SDH的
联网
SD / HD视频
时钟和数据恢复
FPGA / ASIC时钟发生器
引脚分配：
请参见第5页。
（ TOP VIEW ）
NC
OE
GND
1
2
3
6
5
4
V
DD
描述
该Si530 / 531 XO采用Silicon Laboratories的DSPLL先进的电路
以提供低抖动时钟在高频率。该Si530 / 531可
与任何速率输出频率为10至945兆赫和选择频率
1400兆赫。不同于传统的XO ，在那里需要一个不同的晶体
每一个输出频率， Si530 / 531使用一个固定的晶体，以提供一
宽范围的输出频率。该IC为基础的方法可以让水晶
谐振器提供卓越的频率稳定性和可靠性。此外，
DSPLL时钟合成提供优越的电源噪声抑制，从而简化
产生在嘈杂环境中的低抖动时钟的任务通常存在于
通信系统。该Si530 / 531芯片基于XO出厂配置
为各种各样的用户规格，包括频率，电源电压
输出格式和温度稳定性。具体的配置是厂家
在出厂时编程，从而消除了很长的时间
定制振荡器有关。
CLK “
CLK +
Si530 （ LVDS / LVPECL / CML ）
OE
NC
GND
1
2
3
6
5
4
V
DD
功能框图
V
DD
CLK- CLK +
NC
CLK +
Si530 （ CMOS）的
固定
频率
XO
任意速率
10-1400兆赫
DSPLL
时钟
合成
OE
NC
GND
1
2
3
6
5
4
V
DD
CLK “
CLK +
Si531 （ LVDS / LVPECL / CML ）
OE
GND
初步版本0.4 5/06
版权所有 2006年由Silicon Laboratories公司
Si530/531
此信息适用于正在研发的产品。其特点和规格如有变更，恕不另行通知。
Si530/531
1.电气连接特定的阳离子
表1.推荐工作条件
参数
电源电压
1
符号
V
DD
测试条件
3.3 V选项
2.5 V选项
1.8 V选项
电源电流
I
DD
输出启用
三态模式
输出使能（ OE ）
2
V
IH
V
IL
工作温度范围
T
A
民
2.97
2.25
1.71
—
—
0.75× V
DD
—
–40
典型值
3.3
2.5
1.8
90
60
—
—
—
最大
3.63
2.75
1.89
—
—
—
0.5
85
mA
V
单位
V
C
注意事项：
1.
部件编号指定的可选参数。请参见第6页的第3 "Ordering Information"进一步的细节。
2.
OE引脚包括一个17 k电阻上拉至V
DD
。拉OE接地会导致输出三态。
表2. CLK ±输出频率特性
参数
标称频率
1,2
符号
f
O
测试条件
LVPECL / LVDS / CML
CMOS
民
10
10
—
–20
–50
典型值
—
—
±1.5
—
—
—
—
最大
945
160
—
+20
+50
±10
10
单位
兆赫
初始精度
f
i
测量温度为25 ℃，
发货时间
PPM
PPM
PPM
ms
温度稳定性
1,3
老化
通电时间
4
f/f
O
频率漂移
预计15年生活
f
a
t
OSC
—
—
注意事项：
1.
请参见第6页的第3 "Ordering Information"进一步的细节。
2.
部件编号指定在订购时。在频率也可从970到1134 MHz和1213年至1417年兆赫。
3.
部件编号指定的可选参数。
4.
从上电或三态模式到f时间
O
.
2
初步修订版0.4
Si530/531
表3. CLK ±输出电平与对称
参数
LVPECL输出选项
1
符号
V
O
V
OD
V
SE
测试条件
中级
摆动（DI FF ）
摆动（单端）
中级
摆动（DI FF ）
民
V
DD
– 1.42
1.1
0.5
1.125
0.32
典型值
—
最大
V
DD
– 1.25
1.9
0.93
1.275
0.50
单位
V
V
PP
V
PP
V
V
PP
—
—
1.20
0.40
LVDS输出选项
2
V
O
V
OD
CML输出选项
2
V
O
V
OD
中级
摇摆
（ DIFF ）
I
OH
= 32毫安
I
OL
= 32毫安
—
0.70
0.8× V
DD
V
DD
– 0.75
0.95
—
—
—
1
—
—
1.20
V
DD
V
V
PP
V
CMOS输出选项
3
V
OH
V
OL
—
—
—
45
0.4
350
—
55
上升/下降时间（20 /80％ ）
t
R,
t
F
LVPECL / LVDS / CML
CMOS与CL = 15 pF的
ps
ns
%
对称性（占空比）
符号
LVPECL ：
LVDS ：
CMOS ：
V
DD
- 1.3 V （差异）
1.25 V （差异）
V
DD
/2
注意事项：
1.
50
到V
DD
– 2.0 V.
2.
R
TERM
= 100
（差分） 。
3.
C
L
= 15 pF的
表4. CLK ±输出相位抖动
参数
相位抖动（ RMS ） *
适用于F
OUT
> 500兆赫
相位抖动（ RMS ） *
适用于F
OUT
125至500兆赫的
符号
测试条件
12 kHz至20 MHz的（ OC- 48 ）
50 kHz至80 MHz的（ OC -192 ）
12 kHz至20 MHz的（ OC- 48 ）
民
—
—
—
典型值
0.27
0.30
0.50
最大
—
—
—
单位
ps
ps
φ
J
φ
J
*注意：
差分模式： LVPECL / LVDS / CML 。请参考AN256了解更多信息。
表5. CLK ±输出周期抖动
参数
周期抖动*
适用于F
OUT
< 160兆赫
符号
J
每
测试条件
RMS
峰 - 峰值
民
—
—
典型值
1
5
最大
—
—
单位
ps
*注意：
任何输出模式，包括CMOS ， LVPECL ， LVDS ， CML 。 N = 1000次。
初步修订版0.4
3
Si530/531
表6.绝对最大额定值
1
参数
电源电压
输入电压（任何输入引脚）
储存温度
ESD敏感度（ HBM ，每JESD22- A114 ）
焊接温度（无铅资料）
2
焊接温度时间@ T
PEAK
（无铅资料）
2
符号
V
DD
V
I
T
S
ESD
T
PEAK
t
P
等级
-0.5到+3.8
-0.5到V
DD
+ 0.3
-55到+125
>2500
260
10
单位
伏
伏
C
伏
C
秒
注意事项：
1.
超出的绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。实用
操作或技术要求的不是在这些条件暗示的保证。
2.
请参阅Si5xx包装常见问题可供下载
www.silabs.com/VCXO
欲了解更多信息，包括
焊接型材。
表7.环境合规性
该Si530 / 531符合下列资格考试的要求。
参数
机械冲击
机械振动
可焊性
格罗斯&精细泄漏
耐溶剂性
条件/试验方法
MIL- STD- 883F ，方法2002.3 B
MIL- STD- 883F ，方法2007.3一
MIL- STD- 883F ，方法203.8
MIL- STD- 883F ，方法1014.7
MIL- STD- 883F ，方法; 2016年
4
初步修订版0.4
Si530/531
2.引脚说明
（ TOP VIEW ）
NC
OE
GND
1
2
3
6
5
4
V
DD
OE
NC
GND
1
2
3
6
5
4
V
DD
OE
NC
GND
1
2
3
6
5
4
V
DD
CLK “
CLK +
NC
CLK +
CLK “
CLK +
Si530
LVDS / LVPECL / CML
Si530
CMOS
Si531
LVDS / LVPECL / CML
表8.引脚的Si530系列
针
1
符号
OE （ CMOS只）
OE
（ LVPECL ， LVDS ，
CML ）
GND
CLK +
CLK “
V
DD
LVDS / LVPECL / CML功能
无连接
OUTPUT ENABLE
0 =时钟输出禁用（三态输出）
1 =时钟输出启用
电气和外壳接地
振荡器输出
互补输出
电源电压
CMOS功能
OUTPUT ENABLE
0 =时钟输出禁用（三态输出）
1 =时钟输出启用
无连接
电气和外壳接地
振荡器输出
无连接
电源电压
2
3
4
5
6
表9.引脚的Si531系列
针
1
2
3
4
5
6
符号
OE （ LVPECL ， LVDS ， CML ）
无连接
GND
CLK +
CLK “
V
DD
LVDS / LVPECL / CML功能
OUTPUT ENABLE
0 =时钟输出禁用（三态输出）
1 =时钟输出启用
无连接
电气和外壳接地
振荡器输出
互补输出
电源电压
初步修订版0.4
5
QQ：2880707522 复制
