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50WQ10FNPbF
日前,Vishay高功率产品
肖特基整流器, 5.5
特点
??流行的D- PAK大纲
BASE
阴极
4, 2
??小脚印,表面贴装
低正向压降
??高频工作
可用的
RoHS指令*
柔顺
??保护环,增强耐用性和长期
可靠性
D- PAK
1
阳极
3
阳极
铅(Pb ) -free ( “的PbF ”后缀)
设计和合格的AEC Q101等级
描述
产品概述
I
F( AV )
V
R
5.5 A
100 V
该50WQ10FNPbF表面贴装肖特基整流器
被设计用于要求低正向压降的应用
小脚印在PC板。典型的应用是在
磁盘驱动器,开关电源,转换器,
续流二极管,电池充电和电池反接
保护。
主要额定值及特点
符号
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
5 APK ,T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
5.5
100
330
0.63
- 40150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
50WQ10FNPbF
100
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
参见图。五
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参见图。 7
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F( AV )
测试条件
50%的占空比在T
C
= 135℃ ,矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C,I
AS
= 0.5 A , L = 40毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
5.5
330
110
6.0
0.5
mJ
A
A
单位
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 94235
修订: 21 -APR- 08
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
50WQ10FNPbF
日前,Vishay高功率产品
肖特基整流器, 5.5
电气规格
参数
符号
5A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频(1)
10 A
5A
10 A
最大反向漏电流
SEE图。 2
阈值电压
正向斜率电阻
典型结电容
典型的串联电感
(1)
脉冲宽度< 300微秒,占空比< 2 %
I
RM ( 1 )
V
F( TO)
r
t
C
T
L
S
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
=T
J
最大
V
R
= 5 V
DC
(测试信号范围100 kHz至1 MHz)的25℃
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
T
J
= 25 °C
0.77
0.91
0.63
0.74
1
4
0.47
21.46
183
5.0
mA
V
pF
nH
V
单位
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻,
结到外壳
大约重量
打标设备
(1)
符号
T
J (1)
, T
英镑
R
thJC
直流操作
见图。 4
测试条件
- 40150
3.0
0.3
0.01
单位
°C
° C / W
g
盎司
机箱样式D- PAK (类似TO- 252AA )
50WQ10FN
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
www.vishay.com
2
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
文档编号: 94235
修订: 21 -APR- 08
50WQ10FNPbF
肖特基整流器, 5.5
日前,Vishay高功率产品
1000
100
I
R
- 反向电流(mA )
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
I
F
- 瞬时
正向电流( A)
100
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
V
FM
- 正向压降( V)
图。 1 - 最大正向压降特性
V
R
- 反向电压( V)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容(pF )
T
J
= 25 °C
100
10
0
20
40
60
80
100
V
R
- 反向电压( V)
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻( ° C / W)
10
1
P
DM
t
1
0.1
单身
脉冲
(热电阻)
0.01
0.00001
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
0.001
0.01
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.1
1
t
1
- 矩形脉冲持续时间( S)
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号: 94235
修订: 21 -APR- 08
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
3
50WQ10FNPbF
日前,Vishay高功率产品
肖特基整流器, 5.5
150
145
5.5
5.0
允许外壳温度( ℃)
平均功耗( W)
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
DC
140
135
130
125
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
波( D = 0.50 )
80 %
为V
R
应用的
DC
SEE
注(1)
120
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
I
FSM
- 非重复性
浪涌
电流(A )
1000
At
任何
额定负载时
额定V
RRM
应用的
以下
浪涌
100
10
100
1000
10 000
t
p
-
波脉冲持续时间(微秒)
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
公式中使用:T已
C
= T
J
- ( PD +钯
)个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
在(我
F( AV )
/ D ) (参见图6) 。
Pd
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
在V
R1
= 80 %额定V
R
(1)
www.vishay.com
4
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
文档编号: 94235
修订: 21 -APR- 08
50WQ10FNPbF
肖特基整流器, 5.5
日前,Vishay高功率产品
订购信息表
器件代码
50
1
1
2
3
4
5
6
W
2
-
-
-
-
-
-
Q
3
10
4
FN
5
TRL的PbF
6
7
额定电流( 5.5 A)
包装标识:
W = D- PAK
肖特基“Q”系列
电压额定值( 10 = 100 V)
FN = TO- 252AA ( D- PAK )
无=管( 50件)
TR =磁带和卷轴
TRL =带和卷轴(左为导向)
TRR =带和卷轴(右导向)
7
-
无=标准生产
PBF =铅(Pb ) - 免费
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http://www.vishay.com/doc?95016
http://www.vishay.com/doc?95059
http://www.vishay.com/doc?95033
文档编号: 94235
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如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
5
VS-50WQ10FNPbF
威世半导体
肖特基整流器, 5.5
BASE
阴极
4, 2
特点
??流行的D- PAK大纲
??小脚印,表面贴装
低正向压降
D- PAK ( TO- 252AA )
1
阳极
3
阳极
??高频工作
??保护环,增强耐用性和长期
可靠性
符合RoHS指令2002/95 / EC
产品概述
I
F( AV )
V
R
V
F
在我
F
I
RM
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
D- PAK ( TO- 252AA )
5.5 A
100 V
请参阅电气表
在125℃下4毫安
150 °C
单芯片
6兆焦耳
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020的LF最大峰值
260 °C
描述
在VS- 50WQ10FNPbF表面贴装肖特基整流器
已设计用于要求低正向应用
下降和印刷电路板的小脚印。典型应用
在磁盘驱动器,开关电源,转换器,
续流二极管,电池充电和电池反接
保护。
主要额定值及特点
符号
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
5 APK ,T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
5.5
100
330
0.63
- 40150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-50WQ10FNPbF
100
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
参见图。五
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参见图。 7
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F( AV )
测试条件
50%的占空比在T
C
= 135℃ ,矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
5.5
330
110
6.0
0.5
mJ
A
A
单位
T
J
= 25 ° C,I
AS
= 0.5 A , L = 40毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
文档编号: 94235
修订: 14 -JAN- 11
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
VS-50WQ10FNPbF
威世半导体
肖特基整流器, 5.5
电气规格
参数
符号
5A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频(1)
10 A
5A
10 A
最大反向漏电流
SEE图。 2
阈值电压
正向斜率电阻
典型结电容
典型的串联电感
(1)
脉冲宽度< 300微秒,占空比< 2 %
I
RM ( 1 )
V
F( TO)
r
t
C
T
L
S
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
=T
J
最大
V
R
= 5 V
DC
(测试信号范围100 kHz至1 MHz时) ,25°C
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
0.77
0.91
0.63
0.74
1
4
0.47
21.46
183
5.0
mA
V
m
pF
nH
V
单位
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻,
结到外壳
大约重量
打标设备
(1)
符号
T
J (1)
, T
英镑
R
thJC
直流操作
见图。 4
测试条件
- 40150
3.0
0.3
0.01
单位
°C
° C / W
g
盎司
机箱样式D- PAK (类似TO- 252AA )
50WQ10FN
dP
合计
1
------------ ------------- <
热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
文档编号: 94235
修订: 14 -JAN- 11
VS-50WQ10FNPbF
肖特基整流器, 5.5
威世半导体
1000
100
I
R
- 反向电流(mA )
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
I
F
- 瞬时
正向电流( A)
100
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
V
FM
- 正向压降( V)
图。 1 - 最大正向压降特性
V
R
- 反向电压( V)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容(pF )
T
J
= 25 °C
100
10
0
20
40
60
80
100
V
R
- 反向电压( V)
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻( ° C / W)
10
1
P
DM
t
1
0.1
单脉冲
(热电阻)
0.01
0.00001
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
0.001
0.01
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.1
1
t
1
- 矩形脉冲持续时间( S)
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号: 94235
修订: 14 -JAN- 11
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3
VS-50WQ10FNPbF
威世半导体
150
肖特基整流器, 5.5
允许外壳温度( ℃)
5.5
5.0
平均功耗( W)
145
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
DC
140
135
130
125
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
方波( D = 0.50 )
80 %为V
R
应用的
DC
见注( 1 )
120
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
I
FSM
- 不重复浪涌电流(A )
1000
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下浪涌
100
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间(微秒)
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
(1)
式中: T = - ( PD +钯
C
J
)个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
在(我
F( AV )
/ D ) (参见图6) 。
Pd
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
在V
R1
= 80 %额定V
R
www.vishay.com
4
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
文档编号: 94235
修订: 14 -JAN- 11
VS-50WQ10FNPbF
肖特基整流器, 5.5
威世半导体
订购信息表
器件代码
VS-
1
1
2
3
4
5
6
7
-
-
-
-
-
-
-
50
2
W
3
Q
4
10
5
FN
6
TRL的PbF
7
8
威世半导体产品
额定电流( 5.5 A)
包装标识:
W = D- PAK
肖特基“Q”系列
电压额定值( 10 = 100 V)
FN = TO- 252AA ( D- PAK )
无=管( 50件)
TR =磁带和卷轴
TRL =带和卷轴(左为导向)
TRR =带和卷轴(右导向)
8
-
PBF =铅(Pb ) - 免费
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www.vishay.com/doc?95016
www.vishay.com/doc?95059
www.vishay.com/doc?95033
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修订: 14 -JAN- 11
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5
公告PD- 21095转。 B 08/06
50WQ10FNPbF
肖特基整流器器
5.5安培
I
F( AV )
= 5.5Amp
V
R
= 100V
主要额定值及特点
特征
I
F( AV )
矩形
波形
V
RRM
I
FSM
@ TP = 5
μs
正弦
V
F
T
J
@ 5 APK ,T
J
= 125°C
范围
描述/功能
单位
A
V
A
V
°C
该50WQ10FNPbF表面贴装肖特基整流器
被设计用于要求低正向压降的应用程序和
小脚印在PC板。典型的应用是在磁盘
驱动器,开关电源,转换器,随心所欲
二极管,电池充电和反向电池保护。
流行的D- PAK大纲
小脚印,表面moutable
低正向压降
高频率运行
保护环,增强耐用性和长期
可靠性
无铅( "PbF"后缀)
5.5
100
330
0.63
- 40150
表壳款式
BASE
阴极
4, 2
1
3
阳极
阳极
D- PAK ( TO- 252AA )
www.irf.com
1
50WQ10FNPbF
公告PD- 21095转。
B
08/06
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压( V)
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压( V)
50WQ10FNPbF
100
绝对最大额定值
参数
I
F( AV )
马克斯。平均正向电流
*请参阅图。五
I
FSM
E
AS
I
AR
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流*请参阅图。 7
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
330
110
6.0
0.5
A
mJ
A
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
以下任何额定
载荷条件和
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲额定V
RRM
应用的
50WQ...
5.5
单位条件
A
占空比为50% @ T
C
= 135℃ ,矩形波形式的
T
J
= 25 ° C,I
AS
= 0.5安培, L = 40毫亨
在1当前线性衰减到零
微秒
频率限制T
J
最大。 V
A
= 1.5× V
R
典型
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
*请参阅图。 1
(1)
50WQ...
0.77
0.91
0.63
0.74
单位
V
V
V
V
mA
mA
V
条件
@
@
5A
5A
@ 10A
@ 10A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= T
J
马克斯。
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
I
RM
马克斯。反向漏电流
*请参阅图。 2
(1)
1
4
0.47
21.46
183
5.0
V
F( TO)
阈值电压
r
t
C
T
L
S
正向斜率电阻
典型结电容
典型的串联电感
pF
nH
V
R
= 5V
DC
(测试信号范围100kHz至1MHz ) 25℃
测铅铅从封装体5毫米
(1 )脉冲宽度: LT ; 300μS ,占空比& LT ; 2 %
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围( * )
马克斯。储存温度范围
50WQ...
-40至150
-40至150
3.0
0.3 (0.01)
单位
°C
°C
° C / W
克(盎司)。
直流操作
条件
R
thJC
马克斯。热阻结
到案
wt
大约重量
机箱样式
器件标识
( * ) dPtot
DTJ
& LT ;
1
Rth的第(j-一)
*请参阅图。 4
- PAK
50WQ10FN
类似TO- 252AA
热失控条件对自己的散热器二极管
2
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公告PD- 21095转。
B
08/06
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T
J
= 150°C
125°C
100°C
75°C
50°C
25°C
瞬时F
正向电流 - I
F
(A)
100
R
EVERSE电流 - 我
R
(MA )
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
反向电压 - V
R
(V)
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
图。 2 - 典型值反向电流
与反向电压
1000
结Capacitanc ê - C
T
(PF )
T
J
= 25°C
10
T
J
= 25°C
100
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
10
0
20
40
60
80
100
正向电压下降 - V
FM
(V)
反向电压 - V
R
(V)
图。 1 - 最大正向压降特性
10
T
有源冰箱,抗Z
thJC
( ° C / W)
图。 3 - 典型结电容
与反向电压
1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
P
DM
0.1
注意事项:
S
英格尔脉冲
(T
有源冰箱
esistance )
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t1
t2
1.负载因数D = T 1 / T 2
2.峰值T = P
DM
X Z
thJC
+ T
C
J
0.1
1
T 1,矩形脉冲持续时间(S
econds )
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
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公告PD- 21095转。
B
08/06
150
允许牛逼案例
emperature - ( ° C)
5.5
5
平均功耗 - (瓦特)
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
3
4
5
6
7
8
145
DC
140
135
130
125
见说明( 2 )
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMSLimit
DC
S
单方波( D = 0.50 )
80 %额定V
R
应用的
120
0
1
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
平均正向电流 - I
F( AV )
(A)
平均正向电流 - I
F( AV )
(A)
图。 5 - 最大允许外壳温度
与平均正向电流
1000
图。 6 - 正向功率损耗特性
非-R
epetitive S
督促电流 - 我
FSM
(A)
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
按S
URGE
100
10
100
1000
10000
S
单方波脉冲持续时间 - T的P(微秒)
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
(2)
公式中使用:T已
C
= T
J
- ( PD +钯
)个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
@ (I
F( AV )
/
D) (参照图6) 。
Pd
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
@ V
R1
= 80 %额定V
R
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3年= 2003
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