东贝光电科技有限公司
MVL-504G
MVL-504Y
MVL-504HR
MVL-504DR
MVL-504UR
描述
该MVL - 504xx系列套餐是T-1 3/4 （ φ5mm的）标准
水的透明塑料透镜封装。喜- EFF红（ HR）
和黄光LED芯片均采用砷化镓
磷化的磷化镓二极管。绿色LED
芯片上的磷化镓制成与磷化镓
二极管。红色（ DR ）的芯片是用铝镓
砷化镓砷化镓二极管。红色（UR）芯片是
铝镓制成与砷化铝镓
砷化镓二极管。
包装尺寸
5.05
(.200)
单位：mm （英寸）
5.47
(.215)
7.62
(.300)
5.90
(.230)
1.00
(.040)
FLAT为负极
0.50典型。
(.020)
25.40 MIN 。
(1.000)
应用
l
流行的T-1 3/4 （ φ5mm的）直径的包
l
I.C.兼容/低电流要求
l
低功耗
l
通用信息
l
可靠，坚固耐用
1.00MIN.
(.040)
2.54
(.100)
A
C
绝对最大Tatings
参数
功耗
峰值正向电流（1/10占空比为0.1ms脉冲宽度）
连续正向电流
线性降额从25
o
C
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
注意事项：
1.公差为±0.25毫米（ 0.010" ），除非另有说明。
下法兰2.出刃树脂为1.5毫米（ 0.059" ）最大。
3.引线间距是衡量地方引线从包装出现。
符号
PAD
IPF
IAF
V
R
TOPR
TSTG
最大额定值
绿色
黄
HR
DR / UR
单位
mW
A
毫安/
o
C
mA
V
100
120
30
0.4
5
60
80
20
0.25
5
100
120
30
0.4
5
o
-55℃至+ 100
o
C
-55
o
C至+ 100
o
C
100
120
40
0.5
5
引线焊接温度（ 1.6毫米从体） 3秒260
o
C
P1
典型的光 - 电特性曲线
1
相对发光强度
摹
HR DR / UR
50
DR / HR UR 摹
正向电流I
F
（MA ）
500
550
600
650
700
750
40
30
20
10
0
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.5
0
波长（nm ）
图1.相对发光强度
VS.波长
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
DR / UR
G /人力资源
Y
正向电压（ V）
图2.正向电流
VS.正向电压
5.0
相对发光强度
正向电流I
F
（MA ）
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0
10
20
30
40
50
环境温度（
o
C
)
图3.正向电流
- 环境温度
10
相对发光强度
相对发光强度
正向电流I
F
（MA ）
图4.相对光强
与正向电流
0
o
10
o
20
o
30
o
40
o
1.0
0.9
0.8
50
o
60
o
70
o
80
o
90
o
0.5 0.3 0.1
0.2 0.4 0.6
1
0.1
-30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70
环境温度（
o
C
)
图5.相对发光强度
- 环境温度
图6.辐射方向图
P3
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